Károly Alexandra és Kocsis Ákos 10.B. Tranzisztorok A legfontosabb félvezetőeszközök: – erősítőként (analóg áramkörökben) – kapcsolóként (digitális áramkörökben)

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1 Dekomponálás, detritivoria Def.: azon szervezetek tevékenysége, amelyek elhalt szerves anyag feldarabolását, bontását és a mineralizáció útjára irányítását.
Advertisements

A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
4. gyakorlat Készítette: Földváry Árpád
1 Az összeférhetőség javítása Vázlat l Bevezetés A összeférhetőség javítása, kompatibilizálás  kémiai módszerek  fizikai kompatibilizálás Keverékkészítés.
ALKOHOLIZMUS ELLENI MEGYEI EGYESÜLETEK ÉS KLUBOK ORSZÁGOS SZÖVETSÉGE, MAGYAR KÉKKERESZT EGYESÜLET, KATOLIKUS ALKOHOLISTAMENTŐ SZOLGÁLAT HÁLÓZAT ÉPÍTÉSE.
Elsőrendű és másodrendű kémiai kötések Hidrogén előállítása A hidrogén tulajdonságai Kölcsönhatások a hidrogénmolekulák között A hidrogénmolekula elektroneloszlása.
Atomrácsos kristályok Azokat az anyagokat, amelyekben végtelenül sok atom szabályos rendben kovalens kötésekkel kapcsolódik össze, atomrácsos kristályoknak.
A MINŐSÉGFEJLESZTÉSI TERÜLET 2007 Menner Ákos. A minőségfejlesztés intézményi ritmusa Önértékelés 2006 Önértékelésből származó fejlesztési célkitűzések.
Az információs forradalom  Minden jog fenntartva.
Dr. Szűcs Erzsébet Egészségfejlesztési Igazgatóság Igazgató Budapest, szeptember 29. ÚJ EGÉSZSÉGFEJLESZTÉSI HÁLÓZATOK KIALAKÍTÁSA ÉS MŰKÖDTETÉSE.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Gépészmérnöki Kar Energetikai Gépek és Rendszerek Tanszék ENERGETIKA VILLAMOS ENERGIA FAZEKAS ANDRÁS ISTVÁN.
„A helyi innovációk keletkezése, terjedése és rendszerformáló hatása az oktatási ágazatban” (K ) Az „Innova” kutatás „A helyi innovációk keletkezése,
vizuális megismerés – vizuális „nyelv” vizuális kultúra
„Szeptember végén” A felsőoktatási pályázati tevékenység jelene és jövője Szitáné dr. Kazai Ágnes Semmelweis Pályázati és Innovációs Központ.
EN 1993 Eurocode 3: Acélszerkezetek tervezése
Tájékoztató a munkahelyteremtő pályázati programról
1Transzplantációs Alapítvány
Vezetékes átviteli közegek
Mérése Pl. Hőmérővel , Celsius skálán.
A Repülésbiztonsági Kockázat
DIGITÁLIS KÉPFELDOLGOZÁS ALAPFOGALMAK
TÁMOP E-13/1/KONV „A 21. század követelményeinek megfelelő, felsőoktatási sportot érintő differenciált, komplex felsőoktatási szolgáltatások.
LABORATÓRIUMI GYAKORLATOK Bohátka Sándor és Langer Gábor
Az elektrosztatikus feltöltődés keletkezése
Foglalkoztatási Paktumok az EU-ban
Egyszerű kapcsolatok tervezése
A talajok szervesanyag-készlete
Levegőtisztaság-védelem 6. előadás
Nyomtatott lapok ellenőrzése
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
Reflexiók, áthallások és az ellenük való védekezés
Kockázat és megbízhatóság
H+-ATP-áz: nanogép.
A mozgási elektromágneses indukció
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Legfontosabb erő-fajták
Elektrosztatikus festés (szinterezés)
Szerkezetek Dinamikája
Automatikai építőelemek 8.
Grosz imre f. doc. Kombinációs hálózatok /43 kép
KITEKINTÉS Elektronika I.
A Hálózat és Az internet
Elektronika Alapismeretek II. rész.
RUGÓK.
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Elektromos alapjelenségek
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Munkanélküliség.
Legyünk tisztában a piaci kilátásokkal
Járművillamosság és elektronika II.
Fényforrások 3. Kisülőlámpák
Halmazállapot-változások
Felszín alatti vizek kémiai állapotfelmérése
Gazdaságpolitika 7. ea.
Egymáson gördülő kemény golyók
Biofizika Oktató: Katona Péter.
Térvezérelt tranzisztorok FET (field effect transistor)
A számítógép története
Köszöntjük kedves vendégeinket!
A szállítási probléma.
Dr. Varga Beatrix egyetemi docens
Az egyén társadalmi integrációja
Az AE Szövetség szervezet fejlesztése
A kommunikáció fejlődése, analóg vs. digitális
Állandó és Változó Nyomású tágulási tartályok és méretezésük
Illesztések.
Hagyományos megjelenítés
KOHÉZIÓS POLITIKA A POLGÁROK SZOLGÁLATÁBAN
A talajok mechanikai tulajdonságai III.
Halmazállapot-változások
Előadás másolata:

Károly Alexandra és Kocsis Ákos 10.B

Tranzisztorok A legfontosabb félvezetőeszközök: – erősítőként (analóg áramkörökben) – kapcsolóként (digitális áramkörökben) Fajtái: - Bipoláris (áram vezérelt) - FET (MOS) térvezérelt (unipoláris

A bipoláris tranzisztor Két egymással szoros kapcsolatban lévő p-n átmenetből áll, a középső réteg közös. npn vagy pnp kialakítás egyaránt elképzelhető, az npn tranzisztor gyorsabb, ezért ez a gyakori

A három kivezetés elnevezése: E emitter, B bázis, C kollektor (emitter, base, collector).

Tranzisztor kristályának felépítése. A nevével ellentétben (mivel a félvezető kristály kialakítása teljesen asszimetrikus), a kollektor és az emitter polaritása nem felcserélhető. A PNP tranzisztor emitter mindig pozitív, az NPN tranzisztor emitter mindig negatív tápfeszültséget kap, a tápfeszültség másik sarka a kollektorra van kötve. Egy p-n átmeneten 0.6V feszültség esik. A bázisra kapcsolt 0.6V feszültségnél kezd a tranzisztor nyitni. A teljesen nyitott állapotú tranzisztorban a kollektor és emitter között két átmenet van, ezért rajtuk 2*0,6V=1,2V feszültség alakul ki. Ezt a feszültséget nevezzük maradékfeszültségnek.

Egy NPN-tranzisztor átmenetei közelében a P-típusú bázisból diffúzióval átjutnak a lyukak az N típusú emitterbe és kollektorba. Elektronok diffundálnak az emitterből és a kollektorból a bázisba. A bázisban keletkező lyukhiány és elektronfelesleg negatív többlettöltést hoz létre. Pozitív többlettöltés jön létre az emmitter és a kollektor határfelületek közelében. A határfelületnél keletkező töltések miatt a bázis egy potenciálgátat képez a lyukak számára és az elektronok számára is.

Ez a rajzon mint kiürített réteg jelentkezik, amelyből a töltéshordozók elvándoroltak, így a rétegen keresztül nem folyik áram. A bázis-emitter átmenetre nyitó feszültséget kapcsolva az emitter-bázis átmenetnél a potenciálgát lecsökken, és ez megkönnyiti a lyukaknak a bázisból az emitterbe, az elektronoknak pedig az emitterből a bázisba való jutását. A bázis elektronjai a bázis-kollektor átmenet felé diffundálnak, majd tovább sodródnak a kollektorba.

A bázis-emitter átmenetnél található potenciálgát határozza meg az emitterből a bázisba jutó elektronok számát. A nyitó feszültség hatására a bázisból lyukak diffundálnak az emitterbe, ahol részben rekombinálódnak, részben pedig az emitteren keresztül az emitter kivezetésen át elvezetődnek. Az emitteráram az emitterből a bázison keresztül a kollektor felé áramló kollektoráramnak és a bázisból az emitter felé áramló lyukaktól származó bázisáramnak az összegével egyenlő. A kollektoráram nagysága a kollektor–bázis feszültségtől kevésbé függ. A bázis-emitter feszültségtől az emitteráram nagymértékben függ.

Könnyített magyarázat A kollektor felől az emitterre folyik az áram. Minél nagyobb áramot adsz a bázisra, annál nagyobb áram tud "átfolyni" a tranzisztoron. Másképp: A középső láb a bázis egy vízcsap. A kollektoron befolyik a víz, az emitteren kifolyik. Tehát erősítő, azaz kisárammal nagyokat lehet vezérelni. PNP tranzisztornál fordítva, tehát minél KISEBB áramot adsz a base lábra, annál kevesebb áram folyik át az eszközön.

Köszönjük a figyelmet! Források: Google képek Wikipédia _alapismeretek_- _6_felvezetok_tranzisztorok.html?pg=4 szettudomanyok__ tranzisztor-mukodese