Előadást letölteni
Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon
1
KITEKINTÉS Elektronika I.
2001 tavasz záró előadás Témáink: A III-V vegyület-félvezetők és alkalmazásaik Optikai-elektromos IC-k Mikromechanika, mikrorendszerek
2
A III-V vegyület-félvezetők
Legfontosabb: a GaAs Wg 1,5 eV Elektron mozgékonyság igen nagy: cm2/Vs Direkt sávszerkezet optikai alkalmazások Mellékvölgyek, Gunn effektus Probléma: a sokkal nehezebb technológia
3
A III-V vegyület-félvezetők
Egyéb anyagok: pl. GaP, InP Használnak ilyent is: GaAsP (GaAsxP1-x ) x : a tiltott sáv szélesség szabályozása Sőt ilyen is lehet: InGaAsP Most Wg és az optikai törésmutató függetlenül beállítható
4
III-V alkalmazások: a MeSFET tranzisztor
Metal - Schottky - FET Schottky átmenet kiürí-tett rétege vezérel. JFET-szerű karakte-risztika Nagy el , szigetelő alap: igen gyors működés Mikrohullámú analóg és nagyseb. digitális ák. Gondok: p-vezetéses CMeS +U-nál gate nyit!
5
III-V alkalmazások: világítódióda, lézerdióda
LED = Light Emitting Diode A működés: nyitó áram, rekombináció (sugárzó) A legegyszerűbb esetek: GaAs dióda infra LED GaAsxP1-x vörös LED Gondoskodni kell a fény kivezetéséről (törésmutató problémák)
6
III-V alkalmazások: világítódióda, lézerdióda
LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation A lézer-hatás feltételei: stimulált emisszió populáció inverzió A középső rétegben 1. Wg kisebb: be vannak zárva az elektronok, 2. n nagyobb: be vannak zárva a fotonok
7
Optikai-elektromos IC-k integrált “üvegszál” (rib)
(OEIC) Az optikai vezeték: integrált “üvegszál” (rib) Azonos technológiával összeintegráljuk az elektronikus részt az optikai részt az átalakítókat Nagyobb törésmutató
8
Optikai-elektromos IC-k Megoldás az optikai kapcsolóra
9
Optikai-elektromos IC-k Integrálás aktív eszközökkel
Pl. fotodiódával: a hullámvezető átmegy a kiürített réteg alatt
Hasonló előadás
