Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Advertisements

BKÁE- ÁFK, BCE-KIK Közigazgatás szervezéstan és technológia A funkcionális, a divizionális, a programorientált és a team- orientált szervezet bemutatása.
1 Dekomponálás, detritivoria Def.: azon szervezetek tevékenysége, amelyek elhalt szerves anyag feldarabolását, bontását és a mineralizáció útjára irányítását.
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
4. gyakorlat Készítette: Földváry Árpád
TÖMÖRÍTÉS. Fogalma A tömörítés egy olyan eljárás, amelynek segítségével egy fájlból egy kisebb fájl állítható elő. A tömörítési arány függ a fájl típusától,
1 Az összeférhetőség javítása Vázlat l Bevezetés A összeférhetőség javítása, kompatibilizálás  kémiai módszerek  fizikai kompatibilizálás Keverékkészítés.
1 Számítógép Hálózatok A hálózatok kialakulása, alapfogalmak Készítette: Csökmei István Péter ( CsIP ) Szegedi Tudományegyetem Természettudományi Kar levelező.
Az elektromos áram hatásai:  Hőtani hatás  Fénytani hatás  Mágneses hatás  Élettani hatás.
A szoftver mint komplex rendszer (folyt.) A SunTone módszertan 3 dimenziós osztályozási sémája kifinomultabb osztályozást tesz lehetővé.
1/12 © Gács Iván A levegőtisztaság-védelem céljai és eszközei Levegőszennyezés matematikai modellezése Energia és környezet.
Károly Alexandra és Kocsis Ákos 10.B. Tranzisztorok A legfontosabb félvezetőeszközök: – erősítőként (analóg áramkörökben) – kapcsolóként (digitális áramkörökben)
ENERGIA TAKARÉKOS RENDSZERSZEMLÉLET AZ ÉPÜLETGÉPÉSZETBEN Fehér János okl. kohómérök Fűtéstechnikai szakmérnök Székesfehérvár, 2010.JAN.20.
BINARIT TIMESHEET Több, mint munkaidő nyilvántartás Virág Zsolt (BINARIT Informatikai Kft.)„Hogyan legyek milliomos?” konferencia – BKIK ( )
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Gépészmérnöki Kar Energetikai Gépek és Rendszerek Tanszék ENERGETIKA VILLAMOS ENERGIA FAZEKAS ANDRÁS ISTVÁN.
© Gács Iván (BME) 1/26 Energia és környezet NO x keletkezés és kibocsátás.
KÉPZŐ- ÉS IPARMŰVÉSZET ISMERETEK ÁGAZATI SZAKMAI ÉRETTSÉGI VIZSGA (középszintű) május-június.
Lieszkovszky József Pál (PhD hallgató, RGDI
Brikettálás – új innovatív technológia
PANNON-LNG Projekt Tanulmány LNG lehetséges hazai előállításának
Vezetékes átviteli közegek
WE PROVIDE SOLUTIONS.
Frekvencia függvényében változó jellemzők mérése
Zsiros Péter A Bolyai János megyei matematikaverseny feladatsorairól és a javítás egységesítéséről Zsiros Péter
Energetikai gazdaságtan
Deformáció és törés Bevezetés Elasztikus deformáció – analógiák
Az elektrosztatikus feltöltődés keletkezése
Fraktálok a tőzsdén Szegedi Tudományegyetem
A közigazgatással foglalkozó tudományok

Kockázat és megbízhatóság
Levegőszennyezés matematikai modellezése
Az elektromos áram, vezetési jelenségek
Kémiai érzékelők Előadás a BME Vegyészmérnöki Karának Fizikai Kémia-, Általános és Analitikai Kémia-, valamint Műanyag és Gumiipari Tanszéke által a Magyar.
A talajok szervesanyag-készlete
Levegőtisztaság-védelem 6. előadás
Kockázat és megbízhatóság
Tervezés I. Belsőtér BME-VIK.
Kockázat és megbízhatóság
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Eszközök elektromos ellenállása
Innovációs képesség és jólét összefüggései
Az élesség beállítása vagy fókuszálás
KITEKINTÉS Elektronika I.
A Dunához kapcsolódó lehetőségek Budapest közlekedésfejlesztésében
Elektronika Alapismeretek II. rész.
Tilk Bence Konzulens: Dr. Horváth Gábor
Fényforrások 3. Kisülőlámpák 3.4 Működtető szerelvények
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
Ékszíj-, laposszíjtárcsa Kúpos kötések, szorítóbetétek
Munkanélküliség.
AVL fák.
Fényforrások 3. Kisülőlámpák
Felszín alatti vizek kémiai állapotfelmérése
Tremmel Bálint Gergely ELTE-TTK, környezettudomány MSc
4. Fénytechnikai mennyiségek mérése
szabadenergia minimumra való törekvés.
A RÖNTGEN ÉS A RADIOAKTÍV SUGÁRZÁSOK DETEKTÁLÁSA
Térvezérelt tranzisztorok FET (field effect transistor)
Fizikai kémia I. a 13. VL osztály részére 2013/2014
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig
Az elektromágneses indukció
Műszeres analitika környezetvédelmi területre
Készítette: Koleszár Gábor
Állandó és Változó Nyomású tágulási tartályok és méretezésük
Áramlástan mérés beszámoló előadás
Gadamer ( ) filozófiai hermeneutikája
Hagyományos megjelenítés
A program értékelése Kerekasztal beszélgetés
Előadás másolata:

Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET 2006-2013 Monolit technika Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET 2006-2013

Bipoláris technológia ~1960- tól alkalmazzák (TTL) Bevezetésének érdekessége: logikai tervezés Manapság analóg áramkörök technológiája A következő képek nem méretarányosak! laterális méret: 100 m vertikális méret: 1-10 m

npn tranzisztor előállítása I. Eltemetett réteg (n+) kialakítása p tip. hordozóban Ez a dinamikus ellenállást (rd) csökkenti 1. maszk

npn tranzisztor előállítása II. Epitaxiális réteg (n) kialakítása Ez lesz majd a kollektor

npn tranzisztor előállítása III. Szigetelő diffúzió (p+) Elkülöníti a különböző tranzisztorokat egy szeleten elektromosan 2. maszk

npn tranzisztor előállítása IV. Ablaknyitás, és p diffúzió Ez fogja szolgáltatni a bázist 3. maszk

npn tranzisztor előállítása V. Ablaknyitás, és n+ diffúzió Ez fogja adni az emittert, és a kollektor kivezetést A kollektornál az n+ réteg a Schottky átmenet kiürített rétege kicsi legyen (a réteg egy potenciálgát, de ha elég kicsi, akkor alagúthatás révén az elektronok átlépik) 4. maszk

npn tranzisztor előállítása VI. Kontaktusablak nyitás E, C, B részére 5. maszk

npn tranzisztor előállítása VII. Fémezés és megmunkálása 6. maszk A kapott struktúra jellemzése: E erősen adalékolt B keskeny B-ben van beépített tér (diffúzió révén) n+ réteg a rd csökkentéséért

A koncentráció eloszlásfüggvénye I. A bázis bépített tere: U=26mV*ln100=120mV x=1m E=U/x=120 kV/m

A koncentráció eloszlásfüggvénye II. Itt van egy pnn+p parazita tranzisztor Az n+ a lyukak terjedését gátolja, ezzel a parazita tranzisztor ellen is védi a struktúrát

A koncentráció eloszlásfüggvénye III. Az np+ átmenet letörhet!

Laterális pnp tranzisztor n+ réteg a pnp parazita tranzisztort gátolja Hátrányok: emitter nem erősen adalékolt bázis homogén oxid közelében folyik az áram  oxid közelében kristályhibák vannak nagy rekombinációs centrum B áramerősítési tényező kicsi

Javítások az pnp laterális tranzisztor hibáira Emitter - kollektor közötti hasznos felület növelése (áthaladó elektronok száma nő) B növelése: kompozit fokozat alkalmazása Kollektor Bázis Emitter

A pnp tranzisztor előnye Az npn tranzisztorral szemben az emitter-bázis letörési feszültsége nagy, akkora mint a bázis-kollektor letörési feszültsége.

Vertikális pnp tranzisztor Szubsztrát tranzisztornak is nevezik, mivel a szubsztrát egyben a kollektor is E-B letörési feszültsége nagyobb Kisebb a transzport hatásfok (bázis homogén) Kisebb az emitter hatásfok (emitter gyengén adalékolt) 1 szeleten csak ez az egy tranzisztor lehet (kollektor a szubszrát)

Bázis ellenállás Csonka bipoláris tranzisztor (nincs C, E) n+ réteg a parazita pnp tranzisztor ellen véd R=100Ω...1kΩ (Az adalékolás határozza meg.)

Adalékolás-ellenállás viszony A bázis (p)  Gaussi görbe szerinti az adalékolása (a skála logaritmikus  parabola) Egy W szélességű, L hosszúságú ellenállásszakasz vezetése: Vezetés 1 térrészre: (ahol xj a pn átmenet határa) Ellenállás egy térrészre: (ahol Rs 1 négyzetnyi ellenállásrész ellenállása) Rs értéke csak a □ alatti adalékatomok számától függ pontos eloszlásuknak nincs jelentős hatása az Rs-re RsSi=100Ω...150Ω (20% a tűrés)

Megnyomott ellenállás a felső n+ réteg hatása: adalékolás „elrontása” rekombinációs centrum A kapott ellenállás négyzetes ellenállása: Rs=10kΩ...50kΩ (100% a tűrése, mivel 2 diffúzió különbsége állítja be) Egy parazita JFET is van itt! Az áram feszültséget kelt az n+ alatt Kiürített réteg alakul ki n+ alatt Az áram növelése ezt a hatást csak fokozza Áramgenerátort valósít meg a JFET Mivel az ellenállások abszolút értéke nagy szórással bír, az ellenállások arányára kell hagyatkozni

Emitter ellenállás Kis ellenállású Átvezetésként szokás használni Jó nagyteljesítményű tranzisztorok párhuzamos kötésénél nyitófeszültség eltolására Rs~1Ω

Epitaxiális réteg ellenállás n+ eltemetett réteg nincs, mivel az ellenállás értékét nagyon lecsökkentené

Ellenállások fajtái Epitaxiális réteg ellenállás Bázis ellenállás Megnyomott ellenállás Meander bázis ellenállás Emitter ellenállás

E-B dióda Bázis és a kollektor összekötésével a bázis és az emitter közötti dióda használható

Bipoláris tranzisztorok: különlegességek Az E-B élhossz azért ekkora, mert ha IE nagy, akkor IB is nagy, és ekkor az IB az emitter alatt nagy feszültséget kelt  csak az E-B él a hasznos a működés szempontjából, az emitter „közepe” nem (áramkiszorulás) Teljesítmény tranzisztor Laterális pnp tranzisztor Multiemitteres tranzisztor