Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Az optikai sugárzás Fogalom meghatározások
Advertisements

ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA 3.
Szilícium plazmamarása Készítette: László SándorBolyai Farkas Elméleti Líceum Marosvásárhely Tanára:Szász ÁgotaBolyai Farkas Elméleti Líceum Marosvásárhely.
Nyomtatott huzalozású szerelőlemezek mechanikai viselkedésének vizsgálata Készítette: Fehérvári Péter Konzulens: Dr. Sinkovics Bálint.
A monolit technika alaplépései
Vékonyréteg Si napelemek, technológia fejlesztési irányok.
Neumann-elvek A számítógép legyen teljesen elektronikus, külön vezérlő és végrehajtó egységgel. Kettes számrendszert használjon. Az adatok és a programok.
Az integrált áramkörök (IC-k) tervezése
Az ultraibolya sugárzás biológiai hatásai
Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC Okt 18. BME.
Rétegmegmunkálás marással
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
16. Speciális nyomtatott huzalozások és technológiájuk
VLSI áramkörök Gyártástechnológiai újítások Készítette: Borbíró Péter Czett Andor.
Az integrált áramkörök (IC-k) gyártása
Az integrált áramkörök (IC-k) gyártása
CMOS technológia a nanométeres tartományban
Szimuláció a mikroelektronikában Dr. Mizsei János 2013.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
1. Bevezetés 1.1. Alapfogalmak
Ragasztás és felületkezelés
Furatbaszerelési és felületszerelési technológiák
VÉKONYRÉTEG LEVÁLASZTÁSA FIZIKAI MÓDSZEREKKEL
Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka)
1 Pórusos szilícium struktúra kialakítása Bedics Gábor Ciszterci Rend Nagy Lajos Gimnáziuma, Pécs.
1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia
1 Mikrofluidika DIGITÁLIS és FOLYTONOS MIKROFLUIDIKA Szuperhidrofób felületek kialakítása és Áramlási folyamatok vizsgálata mikrorendszerekben (keveredés.
Mikroelektronikaéstechnológia Bevezetõ elõadás Villamosmérnöki Szak, III. Évfolyam.
Dr. Nagy Géza Csóka Balázs PTE TTK Általános és Fizikai Kémia Tanszék
5. GÁZLÉZEREK Lézeranyag: kis nyomású (0, Torr) gáz, vagy gázelegy Lézerátmenet: elektronszintek között (UV és látható lézerek) rezgési szintek.
MFA Nyári Iskola június Ádám Andrea 1 FOTÓLITOGRÁFIA Ádám Andrea Tamási Áron Elméleti Líceum, Székelyudvarhely Témavezetők: Vázsonyi Éva,
Rendezett cink-oxid nanorudak Készítette: Harmat Zita, Kodály Zoltán Magyar Kórusiskola – Budapest Mentorok: Erdélyi.
Móra Ferenc Gimnázium (Kiskunfélegyháza)
Optikai rács kialakítása holográfiával
BIOMIMETIKA – LÓTUSZ-EFFEKTUS
Szuperhidrofób felületek kialakítása mikromegmunkálással
MFA Nyári Iskola június Horváth András Zoltán 1 MIKROFLUIDIKA Horváth András Zoltán Tamási Áron Elméleti Líceum, Székelyudvarhely Témavezetők:
Készítette: Földváry Árpád
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
Fotolitográfia a nanoelektronikában
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Mikroelektronikába: technológiai eljárások
Cim Design flow, production flow, maszkok, technológia Tervezési szabályok, lambda. Pálcika diagram, alap layoutok Layout tervezés, P&R.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA 5. Fotonikai elemek és technológiák 5/5 1.CCD vagy CMOS 2.Kivetitők 3.Érzékelők.
A főzőedénytől a nanoméretű eszközig: lépések a nanoszál alapú bioszenzor megvalósítása felé Szemes Gábor Bence Garay János Gimnázium, Szekszárd MTA-MFA.
IC gyártás Új technológiák. 2 Strained Silicon (laza szilícium)
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
NP Fotolitográfia Történetileg a litográfia olyan nyomtatási eljárás, amely a víz és olaj kémiailag eltérő tulajdonságain alapul. Photo-litho-graphy: latin:
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
INDC - 1st International Diabetes Conference, MedicSphere Zárókonferencia.
A szerszámot érő igénybevételek alapján a megmunkálási technológiák csoportosítása Hidegalakítás Melegalakítás- és fémöntés Forgácsolás Műanyag alakítás.
Készítette: Baricz Anita - Áprily Lajos Főgimnázium, Brassó Gréczi László – Andrássy Gyula Szakközépiskola, Miskolc Csoportvezetők:dr. Balázsi Katalin.
Elektronikus Eszközök Tanszéke 2003 INTEGRÁLT MIKRORENDSZEREK MEMS = Micro- Electro- Mechanical Systems.
Ipari vékonyrétegek Lovics Riku Phd. hallgató.
Legelterjedtebbek bemutatása.  Alapelvek már 1970-ben kialakultak  Igény a grafikus felületekre, adatbevitel közvetlenül, egér és billentyűzet nélkül.
HŐMÉRSÉKLETMÉRÉS Udvarhelyi Nándor április 16.
7. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások. Nedves kémiai maratás.
Az integrált áramkörök gyártása. Mi is az az integrált áramkör?  Több, néha igen sok alapelemet tartalmazó egyetlen, nem osztható egységben elkészített.
Szalisznyó László és segéde Takács Viktor. Feltalálója  Jack Kilby  Fizikus  Jack St. Clair Kilby amerikai fizikus volt, ő találta fel és hozta létre.
Neumann elvek és a Neumann elvű számítógép felépítése
A berendezés tervező korszerű eszköztára
Nanotechnológiai kísérletek
Direct Metal Laser Sintering – DMLS Fémporok lézeres szinterezése
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Optikai mérések műszeres analitikusok számára
Szimuláció a mikroelektronikában
Előadás másolata:

Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák kialakítása a felületen Adott munkafázis gátlása adott helyen Pl. leválasztás, marás, fémezés stb. Ábraalakítás eszközei: maszkok CMOS: legalább 10 különböző maszk kell

Maszkkészítés Maszkok Primer: ábrahordozó, árnyékolás levilágításnál Reziszt (szerves): művelet gátlás, oxidmaszk kialakítás Oxid: védelem műveletek ellen, amire reziszt nem alkalmas

Maszkkészítés Kritérium: pontosság Abszolút pontosság Technológiai felbontás egysége (l) szerint (vonalvastagság, ábra alakja) Relatív pontosság Koherencia: illeszthetőség adott munkadarab különböző maszkjai között Illesztés a lépések során: kézzel (~1mm) / lézeres interferometria (pár nm) Előtorzítás: a technológia okozta torzítások ellen

Maszkkészítés Primer maszk fém vagy Fe2O3 üveg hordozón Pontos és drága (pl. előállításkor stabil hőmérséklet szükséges) Koherenciához: egyszerre kialakítás vagy lézeres interferometria Klasszikus: rubilit-fóliába vágott kép > 1:10 kicsinyített fotó > fotózás továbbkicsinyítve, chipeknek megfelelően többszörözve

Maszkkészítés Korszerű nem készül mesterrajz (rubilit) Digitális ábragenerálás a „második”, kicsinyített szintre Ez közvetlenül szeletre fotózható (sok példányra lassú az illesztések miatt), DSW: direct step writing vagy készíthető „1x” maszk „1x” maszk: kontakt (kopik) vagy proximity: kb. 1mm magasan (alávilágítás ellenére ez ma a jellemző)

Maszkkészítés Elektronsugaras ábraalakítás Optikai (UV) ábragenerálás Közvetlenül a szeletre (DWW: direct wafer writing, kis példányszám) Közvetlenül az „1x” maszkra RTG ábragenerálás RTG: kis hullámhossz, de nem tudjuk fókuszálni Optikai (UV) ábragenerálás A fizikai határok közelében, de még mindig ez az általános

Maszkkészítés Ionsugaras ábraalakítás DWW (rezisztre) Anyageltávolítás (l. katódporlasztás) Pl. krómmmaszk javítása, Cr leválasztás ionból Közvetlen implantáció lehetősége Trench-kapacitásos DRAM-cella: trench fala közvetlenül implantálható