A térvezérelt tranzisztorok I.

Az előadások a következő témára: "A térvezérelt tranzisztorok I."— Előadás másolata:

1 A térvezérelt tranzisztorok I.
Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március

2 A MOSFET tranzisztor elmélete
1. Felületi jelenségek

3 Legfontosabb paraméter:
MOSFET tranzisztorok növekményes (enhancement mode) Ezt használjuk a leggyakrabban! + Legfontosabb paraméter: VT küszöbfeszültség Bulk

4 A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége

5 A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége
Flat-band potenciál: Bulk állandó:

6 A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája

7 A karakterisztika egyenlet levezetése
U(0) = UGS , U(L) = UGD Qi(U) = Qi(U(x))

8 A karakterisztika egyenlet levezetése
U(0) = UGS , U(L) = UGD

9 A karakterisztika egyenlet levezetése
Minden működési tartományra!

10 Minden működési tartományra!
A telítéses működés Telítés: UGD < VT vagy UGS-VT< UDS Minden működési tartományra!

11 MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek λ függ a csatornahossztól!
A csatornarövidülés λ függ a csatornahossztól!

12 MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek
A küszöb alatti (sub-threshold) áram

13 MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek
A küszöbfeszültség függése a geometriától Rövid csatorna: VT csökken Keskeny csatorna: VT növekszik

14 Kisjelű modell D G gmugs rds S