Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell Elektronika.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell Elektronika."— Előadás másolata:

1 Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell Elektronika

2 Speciális tranzisztorok, Darlington-kapcsolás Áramerősítési tényező megnövelése Nagyobb teljesítmény

3 Darlington problémái Lineáris üzemben: –Nagy nemlinearitás kis vezérlő áramok esetén –Torzítás –Előfeszítés a lineáris szakasz határára Kapcsolóüzemben: –Eredő szaturációs feszültség nagyobb –Nagyobb veszteségi teljesítmény (Pd=U CESat *I C )

4 Komplementer Darlington Különböző tranzisztorokból felépített Eredő tranzisztor a meghajtó Pl. műveleti erősítők végfokozata

5 Schottky-tranzisztor Nem enged töltést felhalmozni a CB átmenetben Nem lesz CB átmeneten töltéstárolási idő Nagyobb megengedett kapcsolási frekvencia STTL -> digitális technológiában

6 Térvezérelt tranzisztor (FET) 1947-ben fejlesztették ki Sorozatgyártás csak a 60-as évektől Digitális elektronikában MOSFET-ek a teljesítmény elektronikában Vezérlése feszültséggel Változó ellenállású csatorna

7 Konstrukciós csoportosítás

8 Záróréteges FET (JFET) N szennyezésű csatorna Merőleges p szennyezésű réteg Hőmérsékletfüggő rétegvastagság Nincs sörétzaj

9 Transzfer karakterisztika Maximális meredekség Ugs=0

10 Transzfer karakterisztika hőfokfüggése Idz a hőmérséklet-független munkapont

11 Kimeneti karakterisztika

12 JFET lineáris üzeme Erősítési felhasználás A tranzisztor ugyanolyan körülmények mellett: –Egy nagyságrenddel nagyobb meredekség –Zaja a sörétzaj miatt jelentősen nagyobb –Rosszabb nagyfrekvenciás tulajdonságok Munkapont beállítás feszültséggel JFET paraméterek szórására és a hőmérsékletfüggésre figyelmet kell fordítani tervezéskor

13 MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Bementi ellenállás sokkal nagyobb a JFET-hez képest Ha U GS >U th I DS =K*(U GS -U th ) 2

14 Kiürítéses MOSFET Feszültségmentes állapotban kialakított csatorna Negatív U GS hatására a csatorna elszegényedik U GS =U th feszültségnél elzáródik a csatorna

15 MOSFET kapcsoló üzeme Működését kapcsoló üzemben a szórt kapacitások határozzák meg Nagy sebesség Kis vezérlési teljesítmény Alacsony veszteségek

16 Kapcsolóüzemi tartományok Ohmos tartomány Zárási tartomány

17 Kapcsolási folyamat

18 Veszteségek számítása Ohmos terhelés esetén: –Vezetési veszteségek –Kapcsolási veszteségek P COND = I 2 * R DS(ON) * D P SWITCH = (I D * U DS )/2 * (t ON + t OFF ) * f SW P AVG = P COND + P SWITCH

19 MOSFET vezérlése Impulzus transzformátor Optocsatoló Totem-pole áramkörök

20 Hőmérséklet függés Ellenállás Élettartam Működési tulajdonságok Letörési feszültség Méret

21 Hőmérsékleti model

22 Tokozások

23 Hűtőborda méretezés

24

25 Hűtőborda típusok

26 Félvezetők zaja Termikus vagy Johnson zaj: –0K felett zaj –Hőmérsékletfüggő –Alkatrészre jutó jel-sávszélesség függő –Teljesítménysűrűség spektruma egyenletes eloszlású –Ellenállás esetén:

27 Félvezetők zaja Sörétzaj: –Potenciálgáton történő áthaladás –FET sörétzaja jelentősen kisebb, mint a tranzisztornak –Teljesítménysűrűség spektruma egyenletes eloszlású

28 Félvezetők zaja Villódzási vagy flicker zaj: –Rácstorzulás és nem teljesen tiszta anyagok miatt –Mértéke technológiai módszerekkel befolyásolható –Teljesítménysűrűség spektruma a frekvenciával arányosan csökken


Letölteni ppt "Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell Elektronika."

Hasonló előadás


Google Hirdetések