Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

A bipoláris tranzisztor II. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március BME Villamosmérnöki és.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "A bipoláris tranzisztor II. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március BME Villamosmérnöki és."— Előadás másolata:

1 A bipoláris tranzisztor II. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra!

2 A beépített tér számítása A bázisban gradiense van a lyuksűrűségnek A lyukak nem áramlanak A bázisban gradiense van a lyuksűrűségnek A lyukak nem áramlanak Kell legyen egy térerősség, amely az egyensúlyt tartó sodródási áramot kelti!

3 A beépített tér számítása

4 PÉLDA Számítsuk ki a bázis beépített poten- ciálját az alábbi adatok ismeretében: Számítsuk ki a bázis beépített poten- ciálját az alábbi adatok ismeretében: N B (0) = /cm 3, N B ( w B ) = /cm 3

5 Injektálási- és transzporthatásfok Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok:

6 Az emitterhatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk

7 Az emitterhatásfok számítása Inhomogén adalékolásnál: Gummel szám Inhomogén adalékolásnál: Gummel szám

8 A transzporthatásfok számítása Homogén bázisú tranzisztorral számolunk

9 Emitter- és transzporthatásfok PÉLDA Számítsuk ki az alábbi adatokkal rendelkező, homogén bázisú tranzisztor emitter- és transzport hatásfokát, valamint áramerősítését! N E = /cm 3, w E = 2  m, N B = 4  /cm 3, w B = 1,5  m, D n =0,0026 m 2 /s, D p = 0,0011 m 2 /s,  n = s. N E = /cm 3, w E = 2  m, N B = 4  /cm 3, w B = 1,5  m, D n =0,0026 m 2 /s, D p = 0,0011 m 2 /s,  n = s.

10 A tranzisztor üzemmódjai Normál aktív Inverz aktív TelítésLezárás

11 Az Ebers - Moll modell Helyettesítés a normál aktív beállításban:

12 Az Ebers - Moll modell Helyettesítés az inverz aktív beállításban:

13 Az Ebers - Moll modell Telítéses üzemben a két modellt szuperponáljuk:

14 Az Ebers - Moll egyenletek

15

16 Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös bázisú alapkapcsolás

17 Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös bázisú alapkapcsolás

18 Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban

19 Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

20 Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás B : közös emitteres, nagyjelű áramerősítés

21 Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

22 Az ideális tranzisztor karakterisztikái Közös emitteres alapkapcsolás

23 Az ideális tranzisztor karakterisztikái A telítés határa: U BC = 0 U BE = U CE X U CE


Letölteni ppt "A bipoláris tranzisztor II. BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március BME Villamosmérnöki és."

Hasonló előadás


Google Hirdetések