Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák."— Előadás másolata:

1 Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák kialakítása a felületen Adott munkafázis gátlása adott helyen Pl. leválasztás, marás, fémezés stb. Ábraalakítás eszközei: maszkok CMOS: legalább 10 különböző maszk kell

2 2 Maszkkészítés Maszkok Primer: ábrahordozó, árnyékolás levilágításnál Reziszt (szerves): művelet gátlás, oxidmaszk kialakítás Oxid: védelem műveletek ellen, amire reziszt nem alkalmas

3 3 Maszkkészítés Kritérium: pontosság Abszolút pontosság Technológiai felbontás egysége ( ) szerint (vonalvastagság, ábra alakja) Relatív pontosság Koherencia: illeszthetőség adott munkadarab különböző maszkjai között Illesztés a lépések során: kézzel (~1  m) / lézeres interferometria (pár nm) Előtorzítás: a technológia okozta torzítások ellen

4 4 Maszkkészítés Primer maszk –fém vagy Fe 2 O 3 üveg hordozón –Pontos és drága (pl. előállításkor stabil hőmérséklet szükséges) –Koherenciához: egyszerre kialakítás vagy lézeres interferometria –Klasszikus: rubilit-fóliába vágott kép > 1:10 kicsinyített fotó > fotózás továbbkicsinyítve, chipeknek megfelelően többszörözve

5 5 Maszkkészítés Korszerű –nem készül mesterrajz (rubilit) –Digitális ábragenerálás a „második”, kicsinyített szintre –Ez közvetlenül szeletre fotózható (sok példányra lassú az illesztések miatt), DSW: direct step writing –vagy készíthető „1x” maszk –„1x” maszk: kontakt (kopik) vagy proximity: kb. 1  m magasan (alávilágítás ellenére ez ma a jellemző)

6 6 Maszkkészítés Elektronsugaras ábraalakítás –Közvetlenül a szeletre (DWW: direct wafer writing, kis példányszám) –Közvetlenül az „1x” maszkra RTG ábragenerálás –RTG: kis hullámhossz, de nem tudjuk fókuszálni Optikai (UV) ábragenerálás –A fizikai határok közelében, de még mindig ez az általános

7 7 Maszkkészítés Ionsugaras ábraalakítás –DWW (rezisztre) –Anyageltávolítás (l. katódporlasztás) Pl. krómmmaszk javítása, Cr leválasztás ionból –Közvetlen implantáció lehetősége Trench-kapacitásos DRAM-cella: trench fala közvetlenül implantálható

8 8


Letölteni ppt "Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák."

Hasonló előadás


Google Hirdetések