Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Mizsei János 2013 Rétegmegmunkálás marással. Rétegmegmunkálás 3 lépés: –Réteg leválasztás –Reziszt technológia –Marás (száraz, nedves) –Reziszt eltávolítás.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Mizsei János 2013 Rétegmegmunkálás marással. Rétegmegmunkálás 3 lépés: –Réteg leválasztás –Reziszt technológia –Marás (száraz, nedves) –Reziszt eltávolítás."— Előadás másolata:

1 Mizsei János 2013 Rétegmegmunkálás marással

2 Rétegmegmunkálás 3 lépés: –Réteg leválasztás –Reziszt technológia –Marás (száraz, nedves) –Reziszt eltávolítás Kristályméretnél sokkal jobb felbontás nem érhető el marással  Kristályméret legyen sokkal kisebb, mint a struktúra

3 Marási profilok Ideális marási profilok (a) teljesen anizotropikus (Af=1) és (b) izotropikus marás esetén

4 Rétegmegmunkálás Normál fotoreziszt technika Szelektív marás: ahol nincs fotoreziszt ott maródik ki Hátránya, hogy szelektív marószer kell Inverz fotoreziszt technika Ahol nincs fotoreziszt ott marad meg réteg Vékony réteget lehet csak felvinni

5 R éteg izotróp marása Rosszul tapadó fotoreziszt réteg, amely a marás folyamán fokozatosan fellazul, így változó középpontú, de állandó görbületi sugarú oldalfal jön létre.

6 R éteg izotróp marása Jól tapadó fotoreziszt réteg, állandó görbületi sugár változó középpontja állandó és a lakkábra szélső pontján van.

7 Réteg izotróp marása A fal meredekségének változása az alámarás függvényében az előző ábrán látható modell esetében.

8 Si marószerek Marószer alk hőfok (C°) V/100 (um/min) V/111 (um/min) V SiO2 (A/óra) V/nagy adalék koncentráció esetén (um/min/jelleg) 1 HF 40 HNO 3 15 CH 3 COOH250,20, HF: 10 CH 3 COOH250,13-10,005 -0,01-2,5/p ++ vagy n ++ KOH: H 2 O: izopropil- alkohol8010, ,01/p ++ KOH: H 2 O20-800,01-10, ,01/p ++ EDP EDP- etiléndiamin, pirocatechin, víz ,1-1,10, ,001/p ++

9 Si anizotróp marása

10 Si marási sebesség A p és n rétegek marási sebessége különbözik. Átmenet helyén éles- mérhető lépcső. Az átmenet két oldalán különböző a fémek kiválása is  elektrokémiai potenciálsorban közeli fémek alkalmasak dekorálásra. Leggyakrabban használt dekorációs oldat: 20g CuSO 4 (5H 2 O) + 100ml H 2 O + 1ml HF(48%)

11 TípusSzeletelhelyezés Nyomás (Pa) Ionenergia (eV)Szelektívitás Hengeres plazmamarólebegő potenciálon kíváló Síkelektródás plazmamaró földpotenciálon lévő anódon jó Reaktív ionmaró (RIE)előfeszített katódon jó Ionmaró földpotenciálon lévő mintatartón~10^ rossz Reaktív ionsugaras maró (RIBE) földpotenciálon lévő mintatartón~10^ elég jó Kémiailag segített ionsugaras maró (CAIBE) földpotenciálon lévő mintatartón~10^ jó Maró eszközök (száraz) 1.

12 Maró eszközök (száraz) 2. Típus Marási profil szabályozásaMarás mechanizmus Gener átor Hengeres plazmamarónincskémiaiRF Síkelektródás plazmamarógyengekémiai és gyengén fizikaiRF Reaktív ionmaró (RIE)jókémiai és fizikaiRF IonmarónincsfizikaiDC Reaktív ionsugaras maró (RIBE)gyengekémiai és fizikaiDC Kémiailag segített ionsugaras maró (CAIBE)jókémiai és fizikaiDC

13 Síkelektródás plazmamaró

14 Hengeres plazmamaró

15 Reaktív ionmaró Igen kisméretű alakzatok Felületre merőlegesen tetszés szerinti alakú és mélységű szerkezetek készíthetők

16 Plazmás marás Véges marási rátával rendelkező maszkkal történő marás. W a különbség a tervezett és az aktuális vonalvastagság között

17 17 Másodlagos jelenségek –Szögletesedés (faceting): reziszt fogyásával egyenetlen rétegfogyás, sokszöges struktúra kialakulása –Újralerakódás: felverődött atomok a maszk oldalára ülhetnek. Zavaró: leszakadó, úszkáló fémlapkák, takarás stb.

18 Túlmarás Anizotróp marás esetén, túlmarás szükséges, hogy a visszamaradt anyagot eltávolítsuk.

19 Árokképződés Árok kialakulása „túlzott” ion áramlás következtében, mely az oldalfalakról verődött vissza.


Letölteni ppt "Mizsei János 2013 Rétegmegmunkálás marással. Rétegmegmunkálás 3 lépés: –Réteg leválasztás –Reziszt technológia –Marás (száraz, nedves) –Reziszt eltávolítás."

Hasonló előadás


Google Hirdetések