Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Titán alapú implantátumok optimalizálása porlasztott vékonyrétegek segítségével Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka) Tanára: dr.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Titán alapú implantátumok optimalizálása porlasztott vékonyrétegek segítségével Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka) Tanára: dr."— Előadás másolata:

1 Titán alapú implantátumok optimalizálása porlasztott vékonyrétegek segítségével Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka) Tanára: dr. Balázsi Katalin és Oláh Nikolett, Vékonyrétegfizika Oszt. Tanára: dr. Balázsi Katalin és Oláh Nikolett, Vékonyrétegfizika Oszt.

2 A kutatás célja A fémből készült orvosi implantátumok nagy részét titánból készítik annak kedvező biokompatibilitása miatt. A titánnak kiváló kémiai, mechanikai, és egyéb fizikai tulajdonságai vannak. Ennek ellenére az implantátum beültetése után, a korrózió vagy fémleválások miatt, titán ionokat lehet kimutatni a szervezetben, amelyek allergiás tünetekhez is vezethetnek.

3 Mintakészítés A mintát a porlasztóban állítottuk elő a Si hordozóra, melyen egy pár nm nagyságban SiO 2 védőrétegre titánt és szenet porlasztottunk 1:1 arányban.

4 A porlasztó felépítése

5 Szerkezeti vizsgálatok Transzmissziós Elektron Mikroszkópia (TEM) Si hordozó SiO 2 TiC 50nm Si hordozó SiO 2 TiC 50nm TiC kristályok

6 Szerkezeti vizsgálatok Összetétel analízis (EDS) ElemAtom %Hiba % C 22+/- 1.4 O2+/- 0.0 Ti 76+/- 0.0

7 A példaként mért TiC spektrumából a következő információk nyerhetők  A felület közelében és a tömbi részen lévő relatív kémiai összetétel  Az összetevők kémiai kötödése  A kémiai összetevők mélységi profilja O 1s Ti 2p C 1s Ar 2p O 1s Ti 2p C 1s Ar 2p Felület-közeli mérés: A titán oxidálódott, minimális mennyiségű titán található karbidos környezetben, a szén grafit-típusú Tömbi anyag: Az oxigén nyomokban található; a titán karbid kötést alkot a szén egy részével; a szén grafitos és karbidos összetevővel rendelkezik; az Ar kimutatható mennyiségben van jelen grafit karbid grafit karbid oxid-kötődésű Ti karbid-kötődésűTi karbid-kötődés XPS spektroszkópia

8 Összefoglalás Magnetronos porlasztással TiC vékonyréteg előállítása (300nm) Réteg szerkezete: 20nm vastag TiC amorf szén mátrixban A réteg felületén 2nm vastag TiO 2

9 Köszönjük a figyelmet!!! Köszönetnyilvánítás: - dr. Balázsi Katalin és Oláh Nikolett - Illés Levente (SEM) - Gurbán Sándor (Auger) - Tóth Lajos (TEM) - Radnóczi György


Letölteni ppt "Titán alapú implantátumok optimalizálása porlasztott vékonyrétegek segítségével Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka) Tanára: dr."

Hasonló előadás


Google Hirdetések