IC gyártás Új technológiák
2 Strained Silicon (laza szilícium)
3
4
5 Strained Silicon (SiGe)
6 Strained Silicon (laza szilícium)
7 E lazább szerkezetű, módosított szilíciumon a kisebb ellenállásnak köszönhetően 70%-kal gyorsabban áramolnak keresztül az elektronok !!! IBM szilícium-germánium tranzisztor: (210 GHz) (chip órajel cca. 100 GHz lehet) Pl Gbit Ethernet
8 Strained Silicon (laza szilícium)
9 SOI ( Silicon On Insulator )
10 SOI ( Silicon On Insulator )
11 SOI ( Silicon On Insulator )
12 GaAs
13 GaAs
14 GaAs
15 Intel Spacer Gate technológia
16 Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Gateoxid: 1.2nm (cca.5 atom vastag)
17 Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Tri-gate
18 Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Tri-gate SRAM: cella kiolvasási árama 50%-kal nagyobb, mint a hagyományos planár tanzisztoroké
19 Intel Penryn „Az Intel a Penryn lapkákat 45nm-es technológiával gyártja, amely hafnium alapú dielektrikumot és fém kaput használ. Ezek a megoldások csökkentik a szivárgó áram mértékét és így a jelenleginél sokkal energiahatékonyabb lapkák előállítását teszi lehetővé. Csökken az energia-felvételük és mégis nő a sebességük. Az új anyagok használata megkönnyíti a gyártást, javítja a kihozatalt és beépíthetők a következő, kisebb méretű eszközökbe. Az Intel 45nm-es gyártási eljárás az első, amely nagy tömegben gyártott CPU-khoz használja ezeket az újításokat. …A 45nm-es Penryn lapkák szállítása az év második felében kezdődik.” (Prim Online )