A térvezérelt tranzisztorok I.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Digitális elektronika
Advertisements

Logikai alapkapcsolások
Az optikák tulajdonságai
A fotokémiai képrögzítés
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
A bipoláris tranzisztor III.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
A bipoláris tranzisztor II.
Képfeldolgozás - esettanulmányok
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
A térvezérelt tranzisztorok (JFET és MOSFET)
Szennyezőanyagok légköri terjedése Gauss típusú füstfáklya-modell
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
Bevezetés az alakmodellezésbe I. Budapesti Műszaki Főiskola Neumann János Informatikai Főiskolai Kar A Műszaki Tervezés Rendszerei 2000/2001 tanév, I.
Összefüggések modelleken belül Budapesti Műszaki Főiskola Neumann János Informatikai Főiskolai Kar A Műszaki Tervezés Rendszerei 2000/2001 tanév, I. félév.
A bipoláris tranzisztor modellezése
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
A grafikus megjelenítés elvei
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
Nanoelektronika Csonka Szabolcs Fizika Tanszék, BME
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Technische und Wirtschaftswissenschaftliche Universität Budapest Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente MIKROELEKTRONIK, VIEEAB00.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Én miért választottam a BME Villamosmérnöki szakát?!
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

A térvezérelt tranzisztorok I. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március

A MOSFET tranzisztor elmélete 1. Felületi jelenségek

Legfontosabb paraméter: MOSFET tranzisztorok növekményes (enhancement mode) Ezt használjuk a leggyakrabban! + Legfontosabb paraméter: VT küszöbfeszültség Bulk

A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége

A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége Flat-band potenciál: Bulk állandó:

A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája

A karakterisztika egyenlet levezetése U(0) = UGS , U(L) = UGD Qi(U) = Qi(U(x))

A karakterisztika egyenlet levezetése U(0) = UGS , U(L) = UGD

A karakterisztika egyenlet levezetése Minden működési tartományra!

Minden működési tartományra! A telítéses működés Telítés: UGD < VT vagy UGS-VT< UDS Minden működési tartományra!

MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek λ függ a csatornahossztól! A csatornarövidülés λ függ a csatornahossztól!

MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek A küszöb alatti (sub-threshold) áram

MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek A küszöbfeszültség függése a geometriától Rövid csatorna: VT csökken Keskeny csatorna: VT növekszik

Kisjelű modell D G gmugs rds S