MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.

MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október

MOS inverterek UDD GND Be Ki A p vezetéses tranzisztorokat kétszeres W/L értékkel valósították meg

MOS I/O áramkörök Core Pad Input pad: védelem Output pad: áram meghajtás

MOS I/O áramkörök Pad Input pad: védelem (elektrosztatikus feltöltõdés, a gate védendõ) Védõ diódák

MOS I/O áramkörök Bemeneti védelem elektron- mikroszkópos kép Védõ diódák

MOS I/O áramkörök Kimeneti áram-meghajtó két soros inverterrel Bemenet Kimenet

MOS I/O áramkörök Kimeneti áram-meghajtó két soros inverterrel Bemenet Kimenet Elektron- mikroszkópos felvétel

Az előadások a következő témára: "MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október."— Előadás másolata: