A térvezérelt tranzisztorok I. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március
A MOSFET tranzisztor elmélete 1. Felületi jelenségek
Legfontosabb paraméter: MOSFET tranzisztorok növekményes (enhancement mode) Ezt használjuk a leggyakrabban! + Legfontosabb paraméter: VT küszöbfeszültség Bulk
A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége
A MOS tranzisztor küszöbfeszültsége Flat-band potenciál: Bulk állandó:
A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája
A karakterisztika egyenlet levezetése U(0) = UGS , U(L) = UGD Qi(U) = Qi(U(x))
A karakterisztika egyenlet levezetése U(0) = UGS , U(L) = UGD
A karakterisztika egyenlet levezetése Minden működési tartományra!
Minden működési tartományra! A telítéses működés Telítés: UGD < VT vagy UGS-VT< UDS Minden működési tartományra!
MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek λ függ a csatornahossztól! A csatornarövidülés λ függ a csatornahossztól!
MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek A küszöb alatti (sub-threshold) áram
MOS tranzisztor, másodlagos jelenségek A küszöbfeszültség függése a geometriától Rövid csatorna: VT csökken Keskeny csatorna: VT növekszik
Kisjelű modell D G gmugs rds S