2. gyakorlat Készítette: Földváry Árpád

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
a sebesség mértékegysége
Advertisements

A szabályozott szakasz statikus tulajdonsága
A hőterjedés differenciál egyenlete
ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA 2.
Nanométeres oxidáció gyors hőkezeléssel
A monolit technika alaplépései
© Gács Iván (BME) 1/26 Energia és környezet NO x keletkezés és kibocsátás.
SO 2, NO x felbontási hatásfokának vizsgálata korona kisülésben Horváth Miklós – Kiss Endre.
Szilárdfázisú diffúzió
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Vízminőségi jellemzők
Készítette: Móring Zsófia Vavra Szilvia
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Szennyezőanyagok légköri terjedése Gauss típusú füstfáklya-modell
Si egykristály előállítása
Dr. Mizsei János előadásai alapján készítette Balotai Péter
Euklidészi gyűrűk Definíció.
AZ ÉGHAJLAT ÁBRÁZOLÁSA
© Gács Iván (BME) 1/36 Energia és környezet Szennyezőanyagok légköri terjedése.
MIKROELEKTRONIKA 2. - Elektromos vezetés, , hordozók koncentrációja, mozgékonyság, forró elektronok, Gunn effektus, eszközök Adalékolás (növesztésnél,
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Differenciál számítás
VEGYÉSZETI-ÉLELMISZERIPARI KÖZÉPISKOLA CSÓKA
ANYAGÁTBOCSÁTÁSI MŰVELETEK (Bevezető)
Levegőtisztaság-védelem 7. előadás
Mikroelektronikaéstechnológia Bevezetõ elõadás Villamosmérnöki Szak, III. Évfolyam.
A moláris kémiai koncentráció
Növekedés és termékképződés idealizált reaktorokban
Elektron transzport - vezetés
ELVÁLASZTÁSTECHNIKA 1.
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Hősugárzás vizsgálata integrált termoelemmel
Szilícium alapanyagok minősítése
Készítette: Földváry Árpád
Diffúzió Mizsei János Bakonyi-Kiss Gyula BME-EET 2012
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Szilícium egykristály előállítása
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
1.Határozza meg a kapacitást két párhuzamos A felületű, d távolságú fémlemez között. Hanyagolja el a szélhatásokat, feltételezve, hogy a e lemez pár egy.
HŐTAN 3. KÉSZÍTETTE: SZOMBATI EDIT
Az áramló folyadék energiakomponensei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
Egykristályok előállítása
Fázisátalakulások Fázisátalakulások
Potenciometria Elektroanalitika fogalma, Potenciometria fogalma, mérőcella felépítése, mérő- és összehasonlító elektródok, Közvetlen és közvetett potenciometria.
Készítette: Sovák Miklós Konzulens: Dr. Kiss Endre
Növekedés és termékképződés idealizált reaktorokban
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
Áramlástani alapok évfolyam
Hővezetés falakban Író Béla Hő- és Áramlástan II.
A gáz halmazállapot.
Áramlás szilárd szemcsés rétegen
Szilárdfázisú diffúzió
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
A gázállapot. Gáztörvények
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Előadás másolata:

2. gyakorlat Készítette: Földváry Árpád

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat2/39 Si adalékolása Ionimplantáció –hideg eljárás –adalékbevitel elektromos energiával –kristályroncsolódás –helyreállító hőkezelés –tetszőleges profil!

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat3/39 Si adalékolása

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat4/39 Si adalékolása napelemben Szelektív emitter –egyszerű és folyamatos eljárás –teljesen automatizálható –nagy hatásfok is elérhető

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat5/39 Si adalékolása Szilárd fázisú diffúzió –magas hőmérsékletű folyamat –adalékbevitel termikus energiával, hajtóerő: koncentráció gradiens –párhuzamosan oxidréteg kialakítható –profil: exponenciális függvények, felületi maximum

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat6/39 Si adalékolása

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat7/39 Diffúziós mechanizmus Az adalékanyag mozgása két mechanizmussal történhet: - rácsközi (intersticiális) módon - rácsponti (szubsztitúciós) módon Si adalék atom vakancia Si adalék atom IntersticiálisSzubsztitúciós

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat8/39 Diffúziós mechanizmus Valamennyi adalékatom (P, As, Sb, B, In, Ga, stb.) szubsztitúciós mechanizmussal diffundál a Si-ban. Au és egyes fém atomok jellemzően intersticiális mechanizmussal diffundálnak (igen gyors diffúzió!). Szubsztitúciós diffúzió vakanciák megléte esetén mehet végbe. Vannak olyan diffúziós mechanizmusok is, melyek folyamán szubsztitúciós adalékok mind a vakanciákat, mind az intersticiális helyeket kihasználják.

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat9/39 Diffúziós állandó Feltételezzük, hogy a diffúziós állandó NEM függ az adalékkoncentrációtól, valamint D 0 függ a hőmérséklettől, de a diffúzióra használt hőmérsékleteken elhanyagolható. A diffúzió hőmérsékletfüggése exponenciális, a diffúziós állandón keresztül jellemezhető.

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat10/39 Diffúziós állandók Si-ban

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat11/39 Diffúziós állandók SiO 2 -ban

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat12/39 A diffúzió matematikája A diffúzió olyan mechanizmus, melyben az atomok véletlenszerű (Brown) mozgással haladnak keresztül egy testen. Az 1800-as évek közepén Fick két differenciál egyenletet adott meg, egy vékony membránon keresztüli anyagáramlás jellemzésére. Fick I. egyenlet:

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat13/39 A diffúzió matematikája Fick II. egyenlet: kimondja, hogy a membránon keresztül a koncentráció időbeli megváltozása arányos az ugyanitt fellépő koncentráció gradiens megváltozásának sebességével: A koncentráció hely szerinti függésének, N(x) meghatározásához megadott határfeltételek mellett kell megoldani, de D nem helyfüggő feltételezéssel.

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat14/39 Kezdeti feltétel: N(x>0, t=0) = 0 Határfeltételek: N(x=0, t>0) = N 0 = állandó (szilárd oldékonyság szabja meg az adott hőfokon) Állandó felületi koncentráció biztosításának esete, anyagfelvitel a felületre. Diffúzió állandó felületi koncentráció mellett

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat15/39 Szilárd oldékonyság

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat16/39 Leválasztás

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat17/39 Diffúzió állandó felületi koncentráció mellett A határfeltételek behelyettesítésével megkapjuk a profil- egyenletet, amely egy erfc függvény: Hibafüggvény menete A p-n átmenet mélysége abból a feltételből határozható meg, hogy a p-n átmeneten N(x)=N B N B – szelet adalékkoncentrációja

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat18/39 Diffúzió állandó felületi koncentráció mellett t l3 > t l2 > t l1 t l = leválasztás ideje Q a bevitt anyagmennyiség, vagyis a görbe alatti terület X, μm N0N0 lgN N o = állandó felületi koncentráció x 1 x 2 x 3 t l1 t l2 t l3 NBNB

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat19/39 Leválasztás paramétereinek számítása N B /N 0 hányadoshoz tartózó z értékét megkeresni a diffúziós profil erfc függvényén. pl: N 0 =4∙10 20 ; N B =10 15 ; T=1000°C; D l =3∙ cm 2 /s; t l =1500s

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat20/39 Diffúzió profilja (erfc függvény)

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat21/39 Diffúziós állandók Si-ban

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat22/39 Kétlépéses diffúzió: leválasztás (elő-diffúzió) Állandó felületi koncentráció biztosítása: leggyakrabban kemencében, ºC közötti hőmérsékleten, állandó diffúziós forrásból választjuk le N 2 gázban. Így a felületen nem alakul ki „védőréteg”. Időtartama perc. A forrás lehet szilárd, folyadék vagy gáz halmazállapotú. x j ≤ 0.5μm (többnyire tized μm) SiO 2 adalékolt tartomány Si xjxj

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat23/39 Diffúziós források A gyakorlatban alkalmazott adalékanyagok: p: B, Ga, In, Al n: P (nagy szilárd oldékonyság, anomáliák), As (kis D), Sb Diffúziós források típusai: szilárd: B 2 O 3 ; P 2 O 5 ; As 2 O 3 folyadék:Foszfor-oxid-klorid (POCl 3 ); BBr 3 ; AsCl 3 gáz:Diborán (B 2 H 6 ); Foszfin (PH 3 ); AsH 3 Legjobban kezelhetők a technológia szempontjából a gáz halmazállapotú források, inert vivőgázba keverve (0,1-1%), de: mérgezőek vagy robbanásveszélyesek.

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat24/39 Diffúziós kályha és a gázrendszer PH3PH3 N2N2 O2O2 H2H2 Gáz vezérlő Diffúziós cső Gáz égetés Gáztisztító berendezés Kifújás

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat25/39 Diffúzió szilárd forrásból bór tárcsából: 2B 2 O 3 + 3Si → 4B + 3SiO 2 A leválasztás csak semleges gázban történhet

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat26/39 Behajtás

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat27/39 Diffúzió véges anyagmennyiségből Behajtás: az adalékatomokat a felület közeléből a megkívánt mélységbe juttatjuk. Kiindulási feltétel: már van felvitt anyag a felület közelében. Határfeltétel: azaz nem vész el adalékatom az oxidba Q= állandó

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat28/39 Diffúzió véges anyagmennyiségből A behajtás rendszerint oxidációval együtt történik (további maszkolás céljából), ezért a ∂N(x,t)/∂x| x = 0 feltétel NEM IGAZ! Adalékanyag mindig átkerül az oxidba, részben a befelé növekedő oxid miatt, részben az adalékatomok szegregációja miatt. Továbbá: annak feltétele, hogy a határfeltétel szerint x=0 helyről számíthassuk a profilt az, hogy az ott lévő anyag valóban végtelenül kis mélységben legyen.

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat29/39 Diffúzió véges anyagmennyiségből A kialakult diffúziós profil Gauss eloszlású t b3 > t b2 > t b1 t b = behajtás ideje X, μm lgN Q = állandó (görbe alatti terület) x 1 x 2 x 3 t b1 t b2 t b3 N0N0 NBNB

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat30/39 Behajtás paramétereinek számítása N B /N 0 hányadoshoz tartózó z értékét megkeresni a diffúziós profil Gauss függvényén. pl: N 0 =4∙10 20 ; N B =10 15 ; T=1100°C; D l =3∙ cm 2 /s; t b =1500s

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat31/39 Diffúzió profilja (Gauss függvény)

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat32/39 Diffúziós állandók Si-ban

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat33/39 Kétlépéses diffúzió: behajtás Termikus úton a megkívánt x j mélységig hajtjuk a diffundáltatandó anyagot. Q ≈ állandó, állandó anyagmennyiséget diffundáltatunk. Általában kemencében ºC között végzik. Időtartama: 30 perctől akár 10 óráig. Oxigén áramban végezhető, ekkor SiO 2 nő további maszkolás céljából. xjxj SiO 2 Si SiO 2

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat34/39 Diffúzió minősítése

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat35/39 Kimutatható, hogy: A szelet S S S I V A Négy tű A diffúziós réteg minősítése: négytűs mérés

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat36/39 Fajlagos ellenállás (Irvin görbe) A diffundáltatott réteg p-típusú, valamint w = x j R s = 50 Ω/□ x j = 1,5 μm 4 tűs mérés → R s

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat37/39 Gömbcsiszolással: Egy nagy átmérőjű gömbbel belecsiszolunk a szeletbe. A csiszolatra ezüst-nitrátot cseppentünk és előhívjuk. Az előhívás hatására az n-típusú rétegre kiválik az ezüst. Diffúziós mélység meghatározása

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat38/39 Diffúziós mélység meghatározása D=44,5mm – csiszoló gömb átmérője d 1 =belső kör átmérője d 2 =külső kör átmérője d1d1 d2d2

Földváry ÁrpádNapelemek - 2. gyakorlat39/39 SRP: spreading resistance probe Diffúziós mélység meghatározása