Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC Okt 18. BME
In-assisted növesztés MBE-ben SiO2/HSQ rétegre Zink-blende szerkezet Sok ikersík 5 nm-es alignolási pontosság SEM szennyezés No passziválás O +, Ar + plazma Ti/Au
SEM hatása: Longitudinális ellenállás 2 nagyságrendet csökken Hall-ellenállás közel állandó -> nagyrészt kontakt ellenállás (~2k) Oka: As vakanciát hozhat létre a felületen a SEM -> In többlet -> dópolja Hall-mérés: I = 1 -5
BG hatása: Csökkenti az elektron sűrűséget Mobilitás nem változik Field effect-mérés: Kb 4-szeres n-t jósol Elektronok ¼-e vezetési elektron A többi interfész/felületi állapotoban lokalizálódik
NW: d = nm, zink-blende 1 μm PMMA n = 7000/nm = const (Field-effect n) (μ = 500 cm 2 /Vs, l e ~ 18 nm) Erősebb szórás a NW-PMMA felületen -> G csökken pozitív gate-re l φ korrelál G-val α: 2x faktor, polarizáció függetlenül
Suspended NW (1 min HF marás) Li + vagy ClO 4 - a NW felületre diffundál Radiálisan szimmetrius E a NW-ben E~10 7 V/cm, α: 6x, τ SO : 3 nagyságrend l φ korrelál G-vel itt is, l SO erősen változik
τ φ : T -2/3 függés: Nyquist-folyamat (e-e kölcsönhatás) τ SO : hőmérséklet függés alapján más folyamat is jelentős lehet