TIRISZTOROK SZERKEZETE

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Szén nanocsövek STM leképezésének elméleti vizsgálata
Advertisements

TAMOP /2/A/KMR INTERAKTÍV ANIMÁCIÓ Kvázistacioner ívkarakterisztika Animáció indítása.
Dióda, Tirisztor, GTO, Tranzisztor
GTO-k SZERKEZETE Négyrétegű félvezető
A fényelektromos jelenség
Elektromos töltések, térerősség, potenciál a vezetőn
Digitális elektronika
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Zavarforrások, szűrők, földelési rendszerek kialakítása
A félvezető dióda (2. rész)
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
Az elektron szabad úthossza
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
1. Megszilárdulás (kristályosodás)
Az elektrosztatikus feltöltődés keletkezése
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Napenergia-hasznosítás
JOSEPHSON QUBITEK Josephson effektus dióhéjban
Jelkondicionálás.
Elektrokémia kinetika Írta: Rauscher Ádám Bemutató: Kutsán György
A membrántranszport molekuláris mechanizmusai
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Csík Zoltán Elektrikus T
Elektromágneses hullámok
Fizika 3. Rezgések Rezgések.
ELEKTROMOS ÁRAM, ELEKTROMOS TÖLTÉS.
Agykérgi lassú alvási oszcilláció vizsgálata epilepsziás betegben Csercsa Richárd PPKE-ITK december 16.
MOZGATÓRENDSZER SZÖVETEI
Kölcsönhatások.
A bipoláris tranzisztor modellezése
Elektron transzport - vezetés
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
Gáztöltésű detektorok Szcintillátorok Félvezetők
11. évfolyam Rezgések és hullámok
Félvezető áramköri elemek
Az egyenáramú szaggató
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Készítette: Szabó László
Villamos tér jelenségei
Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.
Az elektromos áram.
Teljesítményelektronika
A termelési függvény.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Teljesítményelektronika
ELEKTROSZTATIKA összefoglalás KÉSZÍTETTE: SZOMBATI EDIT
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
PPKE-ITK I.Házi Feladat Megoldásai Matyi Gábor Október 9.
Járművillamosság-elektronika
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
7. Egyenirányító alapkapcsolások
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Monopolisztikus verseny, Oligopólium
egymáson elgördülve (diffúzió!)
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Makroökonómia 11. szeminárium Az IS-LM-modell
A félvezető dióda.
Jelkondicionálás.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Félvezető áramköri elemek
Előadás másolata:

TIRISZTOROK SZERKEZETE Négyrétegű félvezető Bekapcsolás: Gate-en keresztül pozitív anód-katód feszültségnél. Kikapcsolás: negatív áramnullátmenet után.

POZITÍV ANÓD-KATÓD FESZÜLTSÉG 100 mA-es nagyság-rendű szivárgóáram folyik az anódtól a katód felé. Ennek maximumát adják meg a katalógusok: IDSM A maximális feszült-séget a J2 réteg UD0 letörési feszültsége határozza meg. A katalógusokban az UDRM periódikusan ismétlődő feszültség maximumát adják meg (UDRM < UD0)

TIRISZTOROK BEKAPCSOLÁSA Pozitív anód-katód feszült-ségnél pozitív Gate impulzussal hajtható végre. A Gate pozitív mobil töltéshor-dozókat juttat a környezetébe, amelyek diffúzióval elérik a tértöltési tartományt és csök-kentik annak potenciálját. Ennek hatására az anódáram is megin-dul a Gate-nél lévő szűk csator-nában, amely tovább csökkenti a tértöltési tartományt. Pozitív visszacsatolás jön létre, az anódáram lavinaszerűen nő. Az anódfeszültség hirtelen növekedése (du/dt) nem kívánt bekapcsolást okozhat.

TIRISZTOROK kikapcsolása 1. fázis Az anódáram negatív nullát-menete után történik meg. A nullátmenetet követően negatív anódáram folyik mind-addig, amíg a J1 átmenet p és a J3 átmenet n rétegéből el nem távoznak az egyensúlyi állapot feletti mobil töltések. A negatív anódáram a vezetési állapotban felhalmozott mobil töltések jelentős részét elszállítja a tirisztorból, de a J2 környezeté-ben még maradnak „felesleges” töltéshordozók.

TIRISZTOROK kikapcsolása 2. fázis Az áram az anód és katódoldali p és n rétegek töltéskiüritése után nagy meredekséggel megszakad. A J1, J3 átmeneteknél felépülő tértöltési tartományok miatt a J2 átmenet környezetében ma-radt töltések „elszigetelőd-nek”a külső áramkörtől és re-kombinációval enyésznek el. Pozitív anód-katód feszültsé-get csak az összes mobil töltés-hordozó eltűnése után szabad a tirisztorra kapcsolni (szabaddá-válási idő).

NEGATÍV ANÓD-KATÓD FESZÜLTSÉG 100 mA-es nagyság-rendű szivárgóáram folyik a katódtól a katód felé. Ennek maximumát adják meg a katalógusok: IRSM A maximális feszült-séget a J1 és J3 réteg-gek letörési feszültsé-gének összege határoz-za meg. A katalógu-sokban az URRM peri-ódikusan ismétlődő feszültség maximumát adják meg.

ZÁRÓIRÁNYÚ KARAKTERISZTIKA

ZÁRÓIRÁNYÚ JELLEMZŐK

VEZETŐIRÁNYÚ KARAKTERISZTIKA

VEZETŐIRÁNYÚ JELLEMZŐK

DINAMIKUS KARAKTERISZTIKA

DINAMIKUS JELLEMZŐK

GYUJTÁSI JELLEMZŐK

THERMIKUS JELLEMZŐK

MECHANIKU FELÉPÍTÉS