GTO-k SZERKEZETE Négyrétegű félvezető

Az előadások a következő témára: "GTO-k SZERKEZETE Négyrétegű félvezető"— Előadás másolata:

1 GTO-k SZERKEZETE Négyrétegű félvezető
Bekapcsolás: Gate-en keresztül pozitív anód-katód feszültségnél. Kikapcsolás: Gate-en keresztül negatív impulzussal .

2 GTO-k kikapcsolása Negatív Gate impulzussal hajtható végre.
A mobil töltéshordozók kiü-rítése a Gate-n keresztül történik. A kikapcsolható anódáramot a Gate környezetében kialakuló áramsűrűség korlátozza.

3 ELOSZTOTT GATE-es GTO-k SZERKEZETE
A kikapcsolható áramot növeli. A középső "n" réteg anódot elérő szigetei csak pozitív irányú zárófeszültséget tudnak magukra venni, negatív irányban pedig egy nagy küszöbfeszültségű "rossz" diódaként viselkednek.

4 GTO-k KARAKTERISZTIKÁJA

5 ELOSZTOTT GATE-es GTO-k STRUKTÚRÁJA

6 GTO-k MECHANIKUS KIALAKÍTÁSA

7 GTO-k „SNUBBER” ÁRAMKÖRREL

8 GTO-k VEZÉRLŐ ÁRAMKÖRE

9 GTO-k KI ÉS BEKAPCSOLÁSA

10 HD GTO-k MECHANIKUS KIALAKÍTÁSA

11 HD GTO-k KONSTRUKCIÓS SZERELÉSE

12 GTO-k ÉS HD GTO-k BEKAPCSOLÁSA

13 HD GTO-k KIKAPCSOLÁSA

14 GTO-k ÉS HD GTO-k ÖSSZEHASONLÍTÁSA

15 IGCT-k MECHANIKUS KIALAKÍTÁSA

16 IGCT-k KIKAPCSOLÁSA

17 HD GTO-k ÉS IGCT-k ÖSSZEHASONLÍTÁSA

18

19

20

21 IGCT-k VEZÉRLŐ ÁRAMKÖRE

22

23

24 MECHANIKU MÉRETEK