Szén nanocsövek STM leképezésének elméleti vizsgálata

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
A szabályozott szakasz statikus tulajdonsága
Advertisements

Verő Balázs Dunaújvárosi Főiskola AGY Kecskemét, 2008 június 4.
A H-atom kvantummechanikai tárgyalása Tanulságok 1.
Hullámcsomag terjedés grafénen Márk Géza István MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, Budapest
majdnem diffúzió kontrollált
E képlet akkor ad pontos eredményt, ha az exponenciális tényező kitevőjében álló >>1 feltétel teljesül. Ha a kitevőben a potenciálfal vastagságát nanométerben,
3. A HIDROGÉNATOM SZERKEZETE
Számításos kémia.
1. A KVANTUMMECHANIKA AXIÓMÁI
Havancsák Károly-Kojnok József Kondenzált anyagok vizsgálati módszerei
Szilárd anyagok elektronszerkezete
Klasszikus mechanikai kéttestprobléma és merev test szabad mozgása állandó pozitív görbületű sokaságon Kómár Péter témavezető: Dr. Vattay Gábor
Elektrokémia kinetika Írta: Rauscher Ádám Bemutató: Kutsán György
Felülettudomány és nanotechnológia,
módszerek (FEM-FIM, LEED, RHEED, SPM-STM-AFM)
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
Kémiai kötések.
Veszteséges áramlás (Navier-Stokes egyenlet)
Operátorok a Quantummechanikában
KÖZMŰ INFORMATIKA NUMERIKUS MÓDSZEREK I.
Levegőtisztaság-védelem 7. előadás
GÁSPÁR MERSE ELŐD VÉGTELEN ELLENÁLLÁSHÁLÓZATOK SZÁMÍTÁSA Cserti József Dávid Gyula.
Ezt a frekvenciát elektron plazmafrekvenciának nevezzük.
STM nanolitográfia Készítette: VARGA Márton,
Témavezetők: Márk Géza, Vancsó Péter
Utazások alagúteffektussal
A kvantummechanika alapegyenlete, a Schrödinger-féle egyenlet és a hullámfüggvény Born-féle értelmezése Előzmények Az általános hullámegyenlet Megoldás.
A hidrogénatom kvantummechanikai modellje
4. A MOLEKULASZERKEZETRE VONATKOZÓ ÁLTALÁNOS ELVEK.
3. A TÖBBELEKTRONOS ATOMOK SZERKEZETE
Ami kimaradt....
A H-atom kvantummechanikai tárgyalása Tanulságok
2. A HIDROGÉNATOM SZERKEZETE
3. A HIDROGÉNATOM SZERKEZETE A hidrogénatom Schrödinger-egyenlete.
A H-atom kvantummechanikai tárgyalása Tanulságok
Áramköri alaptörvények
A bipoláris tranzisztor modellezése
Elektron transzport - vezetés
A H-atom kvantummechanikai tárgyalása Tanulságok
A H-atom kvantummechanikai tárgyalása Tanulságok
3. A HIDROGÉNATOM SZERKEZETE
Hőtan.
Auger és fotoelektron spektrumok –az inelasztikus háttér modellezése Egri Sándor Debreceni Egyetem, Kísérleti Fizika Tanszék ATOMKI.
XPS – röntgen gerjesztésű fotoelektron spektroszkópia
Transzportfolyamatok II. 3. előadás
Grafit vizsgálata STM-mel és AFM-mel Készítette: Kovács Máté, Tanára:Győri István, Ságvári Endre Gyakorló Gimnázium, Szeged.
Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet ● Magyar Tudományos Akadémia MFA Nyári Iskola ● Csillebérc (Bp) június 27.- július 1. ● „Tanuljunk.
Szilícium alapanyagok minősítése
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig C V. Poisson egyenlet.
Molekuláris elektronika Hajdu Ferenc Elektronikai Technológia Tanszék 2003.
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Nanorészecskék fizikája, kvantumkémiai effektusok
Nanocsövek állapotsűrűségének kísérleti vizsgálata Veres Miklós MTA SZFKI
Spindinamika felületi klaszterekben Balogh L., Udvardi L., Szunyogh L. BME Elméleti Fizika Tanszék, Budapest Lazarovits B. MTA Szilárdtestfizikai és Optikai.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
Optomechatronika II. Vékonyrétegek - bevonatok
Az eredő szakasz GE(s) átmeneti függvénye alapján
Villamos teljesítmény, munka, hatásfok
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Az atommag alapvető tulajdonságai
A FONTOSABB MÓDSZEREK:
Nagyfeloldású Mikroszkópia Dr. Szabó István 12. Raman spektroszkópia TÁMOP C-12/1/KONV projekt „Ágazati felkészítés a hazai ELI projekttel.
Nagyfeloldású Mikroszkópia
Elektromos alapjelenségek, áramerősség, feszültség (Összefoglalás)
Atomerő mikroszkópia.
Magerők.
Szilárd testek fajhője
Villamos kötések,érintkezők, kapcsolók
Avagy a szén felhasználása a nano méretű világban.
4. A MOLEKULASZERKEZETRE VONATKOZÓ ÁLTALÁNOS ELVEK
Előadás másolata:

Szén nanocsövek STM leképezésének elméleti vizsgálata Tapasztó Levente Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutató Intézet www.nanotechnology.hu

1D alagutazási elmélet

Az alagútáram kialakulása A két elektróda távol van egymástól Ha az elektródákat nm távolságba hozzuk kialakul a kontakt potenciál UT előfeszítés hatására kialakul az IT alagútáram

Módszerek az alagutazás elméleti leírására Potenciálgáton való szóródás Perturbatív közelítés A hullámfüggvények a különálló elektródák saját függvényei de nem a sajátfüggvénye teljes rendszernek! A hullámfüggvény a teljes rendszer sajátfüggvénye! A perturbatív közelítés akkor ad jó eredményt, ha a hullámfüggvények átfedése csekély, azaz az elektródák csatolása elhanyagolható!

Az STM mérés szén nanocsövön: alagutazás 3D potenciálgáton 1D alagutazás: két sík felületű elektróda – egzaktul megoldható Numerikus megoldási módszer 3D alagutazás: egzaktul nem oldható meg!!! Perturbációs közelítés alkalmazása

A 3D szórás numerikus megoldása Hullámcsomag dinamikai számítások Numerikusan oldja meg a 3D időfüggő Schrödinger egyenletet. Nem perturbatív közelítés: az összes többszörös szórási tagot figyelembe veszi! Teljes transzmisszió: T = 10-3, gyenge csatolás

Az STM perturbatív elmélete ahol Ismerni kell az elektródák hullámfüggvényeit ! Az integrált a két elektróda között felvett tetszőleges síkon kell elvégezni A csatolási mátrixelem Mt,m a két elektróda hullámfüggvényeinek az átfedésével arányos

Tersoff-Hamann közelítés a tű egy pontszerű áramforrás, kis feszültségek határértéke Az STM nem a minta felületi topológiáját képezi le! Au(110) 2x1 és 3x1 felületi DOS szintvonalak Az STM mérés során a minta egy konstans elektron-állapotsűrűség felületét képezzük le! J. Tersoff et al , PRB 31, 805 (1985)

A perturbációs közelítés alkalmazása szén nanocsöveken végzett STM mérések modellezésére A jellium cső analitikus hullámfüggvényei m = 1 m = 2 m = 0 m = 1 m = 2 Az alapállapot nem degenerált, az összes gerjesztett állapot kétszeresen elfajult

A tű-nanocső és nanocső-hordozó átmenet összehasonlítása A tű-nanocső átmenet ellenállása jóval nagyobb, mint a nanocső-hordozó alagútátmenet ellenállása a tű-cső átmenet határozza meg az STM képet Analógia a sorba kötött ellenállásokkal: Az Rtű-cső ellenállás határozza meg az alagútáram értékét.

Összehasonlítás a 3D szórás elméleti eredményekkel a nanocsövön található valószínűségi töltés 1. lépés: a cső feltöltődik 2. lépés: a tűn és a hordozón keresztül a cső kiürül

Az alagútáram távolságfüggése 1D : ahol: A potenciálgát 3D görbült geometriájára nem érvényes az 1D alagutazási elmélet! Bevezetjük az effektív kilépési munka fogalmát!

Nanocsövek látszólagos magassága Az STM képen a nanocsövek látszólagos magassága mindig kisebb a valódi magaságuknál. A kilapulás mértéke arányos a tű cső távolsággal !

STM állandó áramú üzemmód szimulációja G. I. Márk et al Phys.Rev.B 58(1998)12645

A tű-cső alagútcsatorna távolságfüggése A tű-cső távolság növekedésével az alagútcsatorna kiszélesedik! Az STM laterális felbontása csökken! Atomi felbontás feltétele kis tű-cső távolság! kis feszültség + nagy alagút áramerősség

Összefoglalás Kettős alagútköz: A tű-nanocső alagút-átmenet ellenállása jóval nagyobb a cső-hordozó átmenet ellenállásánál. Az STM kép kialakulásában csak az előbbi átmenetet játszik lényeges szerepet. A nanocsövek görbülete szerepet játszik az alagútáram távolságfüggésében: távolsággal való lecsengése gyorsabb mint sík felület esetében a cső STM képének kilapulása A tű és a cső közötti alagútcsatorna kiszélesedik a tű-cső távolság növelésével, ezért a jobb (atomi) felbontás eléréséhez kis tű-cső távolságok beállítása célszerű

A hordozó hatása a nanocső elektron- állapotaira Elsőrendű perturbációs korrekció az alapállapotra: A perturbáció távolságfüggése A perturbáció hatására: - az alapállapot energiája eltolódik - a degenerált állapotok felhasadnak A perturbációt a hordozó egy nagyon vékony felületi rétege okozza

A perturbált hullámfüggvények A perturbáció hatása: a különböző impulzusmomentumú állapotok keveredése A nanocső m = 0 hullámfüggvénye : m = 0 m = 0 Perturbálatlan hullámfüggvény A hordozó jelenlétében