MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET 2006-2013 Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET 2006-2013

MOS technológia Régen a bipoláristól teljesen eltérő technológia volt Az nMOS, pMOS áramkörök aránylag kis helyigényűek, de van statikus állapotban fogyasztásuk (pl: kiürítéses inverter) CMOS áramkörök nagyobb helyigényűek, de kicsi statikus állapotukban a fogyasztásuk (pl: CMOS inverter)

(NMOS) Kiürítéses terhelésű inverter I. (a) az inverter felülnézeti képe (b) az inverter aktív területe (c) a fotomaszk (d) a szelet „alapfelépítése”: p szubsztrát SiO2 vékony tapadási réteg Si3N4 réteg (maszkolni) fotoreziszt réteg (megvilágitva)  1. maszk

Kiürítéses terhelésű inverter II. (a) Előhívás (b) Si3N4 lemaratása (c) Fotoreziszt eltávolítása

Kiürítéses terhelésű inverter III. (a) p+ diffúzió (csatorna-stop)  1. maszk (Si3N4) (b) Oxidáció (SiO2 vastag) (Si3N4 itt is maszkol) (c) Si3N4 lemarás

Kiürítéses terhelésű inverter IV. n+ ionimplantáció ionimplantáció hideg technológia, ezért maszknak jó a fotoreziszt is (az egész felületre kell maszk, mert az ionimplantáció során az SiO2 nem maszkol!) 2. maszk

Kiürítéses terhelésű inverter V. Gate-oxid növesztés Gate-oxid nagyon vékony! (`ma`<10nm)

Kiürítéses terhelésű inverter VI. PolySi leválasztás (gate) Van itt egy rejtett polySi - n+ kontaktus is! 3. maszk

Kiürítéses terhelésű inverter VII. n+ diffúzió (S, D) 4. maszk CVD SiO2 réteg leválasztás (hogy a diffúziós profilok ne mozduljanak el)

Kiürítéses terhelésű inverter VIII. Kontaktus ablakok nyitása 5. maszk

Kiürítéses terhelésű inverter IX. Fémezés 6. maszk

Kiürítéses terhelésű inverter X. A kész inverter

CMOS inverter I. A szelet alapállapota: (a) p++ implantáció  1. maszk n- szubsztrát vékony SiO2 tapadási réteg fotoreziszt (megvilágítva) (a) p++ implantáció  1. maszk (b) Oxidálás (vastag SiO2), és p++ behajtása  p+ lesz (c) Oxid lemarása (d) n+ ionimplantáció  2. maszk (fotoreziszt) (e) fotoreziszt eltávolítása, Si3N4 felvitele (f) p+ diffúzió, lokális oxidáció 3. maszk (Si3N4) (g) n-zseb lesz az n+-ból, és p-zseb a p++-ból, SiO2 szigetek kialakítása

CMOS inverter II. (a) Gate oxid kialakítása (b) PolySi leválasztás  4. maszk (c) n+ implantáció  5. maszk (fotoreziszt) (d) alacsony hőmérsékletű oxidnövesztés (LTO) (e) Oxid lemarása  Sidewall oxid kialakul  polySi-t „megtámasztja”

CMOS inverter III. (a) Oxidálás (b) újra n+ implantáció  DDD,LDD (double doped drain,lightly doped drain). Enélkül a drain-ben kis kiürített réteg alakulna ki, ami miatt nagy lenne ott a térerő, ami forró elektronokat keltene, amiknek a gate-oxidba történő „beülése” a VT eltolódását okozná.  6. maszk (kontaktuskivezetés a bulknál is) (c) p+ implantáció  6. maszk (kontaktuskivezetés a bulknál is) (d) LTO (vastag SiO2 leválasztás)  A sarkokat lekerekíti, enélkül a fémezés megtörhet a sarkoknál.

CMOS inverter IV. (a) kontaktusablaknyitás  7. maszk (b) 1. fémezés  8. maszk (c) vastag oxid leválasztás, és fotoreziszt felvitel  sima felület kialakítása

CMOS inverter V. (a) fotoreziszt lemarása  SiO2 porózus lesz (b) SiO2 védőréteg kialakítása  nem porózus (c) Kontaktusablak nyitás, és 2. fémezés  9., 10. maszk A kétszintű fémezés + polySi -> a táp, és a földvezetékek, jelvezetékek.

CMOS inverter VI. A kész inverter source

„Advanced bipolar transistor” Bipoláris tranzisztor kialakítása lokális oxidációs technológiával A következő képek egy laterális pnp és egy npn tranzisztor együttes kialakítási lépéseit tárgyalják Ha a bipoláris tranzisztor (IC) mellé CMOS áramkört alakítunk ki, akkor BiCMOS-t kapunk, mely a CMOS kis fogyasztását, és a bipoláris tranzisztor gyorsaságát integrálja egybe.

Advanced bipolar transistor I. (a) vastag oxid növesztése p szubsztrátra (b) oxidmarás fotomaszkja (c) n+ diffúzió/implant  1. maszk (n+ lesz az eltemetett réteg) (d) vékony oxidnövesztés, behajtás (e) oxid lemarása (f) n epitaxiális réteg kialakítása

Advanced bipolar transistor II. (a) vékony SiO2 és Si3N4 felvitel (b) plazmamaró maszk (Si3N4) (c) Si3N4 kimarása plazmamaratással  2. maszk (d) n epitaxiális réteg kimarása plazmamaratással (e) p+ implant/diffúzió

Advanced bipolar transistor III. (a) oxidnövesztés eleje  p+-ba az oxid „bele eszi magát”  megnyomja a p+ réteget (b) oxidnövesztés vége  ahol nincs n+ eltemetett réteg, ott p+ izolációs oszlop jön létre, ahol van, ott a p+ réteg kiürített réteget alakít ki, ami a SiO2 pozitív töltései által kelthető inverziós réteg kialakulását akadályozza meg (csatorna stop) (c) Si3N4 lemarása (d) n+ ionimplantációhoz fotomaszk (e) n+ ionimplantáció  3. maszk Nem kellenek, nincsenek nagy kiürített rétegek

Advanced bipolar transistor IV. (a) oxidnövesztés (b) p+ ionimplantációhoz fotomaszk (c) p+ ionimplantáció (a vékony oxid ionimplantáció ellen nem maszkol!) 4. maszk (d) oxidmaratás fotomaszkja (e) új fotoreziszt felvitele, és az oxid lemarása  5. maszk

Advanced bipolar transistor V. (a) n+ ionimplantáció fotomaszk (b) n+ ionimplantáció  6. maszk (c) fémezés maszkja (d) fémezés  7. maszk A fémezés során az elillesztés elleni védelmet ad a SiO2 szigetelés: nem érzékeny az illesztési hibára a technológia. Laterális pnp tranzisztor npn tranzisztor