Előadást letölteni
Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon
1
Teljesítményelektronika
IGBT
2
Insulated Gate Bipolar Transistor
MOSFET és BJT tulajdonságok Nagyobb feszültségzáró képesség Kisebb vezetési veszteség Nagyobb kapcsolási sebesség Feszültségvezérelt jelleg
3
Insulated Gate Bipolar Transistor
4
Transzfer karakterisztika
5
Kapcsolási hullámforma
6
FBSOA, RBSOA
7
Meghajtóköri elvárások
Gyors kapcsolás Nagy áramterhelhetőség Deszaturáció elleni védelem (túláram, rövidzár) Miller Clamping Hőmérsékleti védelem Össszenyitás elleni védelem
8
BJT totem-pole
9
IGBT kikapcsolási karakterisztika
10
Active Clamp
11
Advanced Active Clamp
12
Advanced Active Clamp VGE (5V / DIV) IC (200A / DIV) VCE (200V / DIV)
13
DESAT
14
Infineon 1ED020xx driver
Hasonló előadás
