Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."— Előadás másolata:

1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor I.

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipláris tranzisztor felépítése ► Keresztmetszeti rajz, ► Felülnézeti fotók ► A belső tranzisztor

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor felépítése Két pn átmenet, szoros (néhány  m) közelségben Két lehetőség: npn vagy pnp struktúra A működés azonos, általában csak az npn-t tárgyaljuk... Ez a planáris tranzisztor BJT bipolar junction transistor

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor felépítése Elvileg szimmetrikus, gyakorlatilag nem az w BM "metallurgiai" bázisvastagság

5 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor felépítése E B

6 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor felépítése Kisteljesítményű tranzisztor Chip méret: ~ 0,5  0,5  0,3 mm

7 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor felépítése Közepes teljesítményű tranzisztor B E

8 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Integrált áramköri BJT vagy eltemetett réteg

9 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Integrált áramköri BJT E E B B C C eltemetett réteg

10 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A "belső tranzisztor" és a paraziták "Belső": ahol a 3 réteg (n,p,n) szemben áll egymással

11 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A tranzisztor működés feltételei 1. Legalább az egyik szélső réteg (az emitter) nagyságrendekkel erősebben adalékolt, mint a középső. 2. A középső réteg (bázis) sokkal vékonyabb, mint a kisebbségi hordozók diffúziós hosszúsága.

12 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipláris tranzisztor működése ► Tranzisztor hatás ► A bipoláris tranzisztor áramai

13 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A tranzisztor hatás A tranzisztor több, mint két dióda!

14 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A tranzisztor hatás A BJT rajzjele Emitter Bázis Kollektor 1949

15 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor áramai Normál aktív beállítás: EB átmenet nyitva, CB zárva A = áramerősítés (közös bázisú, egyenáramú, normál irányú)

16 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor áramai Injektálási hatásfok: Transzport hatásfok:

17 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A bipoláris tranzisztor áramai Töltés a bázisban. Homogén és inhomogén bázis Q B bázistöltés: az emitter által injektált kisebbségi hordozók töltése Inhomogén bázis: “beépített” térerősség Drift tranzisztor nyitva zárva

18 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Potenciál viszonyok Effektív bázisvastagság Bázisszélesség-moduláció U B a bázis beépített potenciálja

19 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor I. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Potenciál viszonyok


Letölteni ppt "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."

Hasonló előadás


Google Hirdetések