Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány 2011. június 21. Nanoelektronika Mihály György Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika,

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány 2011. június 21. Nanoelektronika Mihály György Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika,"— Előadás másolata:

1 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Nanoelektronika Mihály György Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány Útközben A BME kutatóegyetemi pályán

2 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Nanoelektronika Spintronika Hibrid nanoszerkezetek Nanoelektronikai eszközök Spin-polarizált transzport Spin-qbit kísérlet Kvantum információ elmélet Komplex mágneses szerkezetek Mágneses optikai spektroszkópia GMR kísérlet és elmélet Molekuláris elektronika Szén nanoszerkezetek Félvezető nanocsővek Nanoszenzorok fejlesztése Napelemek antireflexiós rétege Nano-kompozit anyagok minősítés - memrisztor - grafén

3 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. A hiányzó áramköri elem Resistor Capacitor Inductor IQ V Ф Memristor Leon O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971)

4 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. „The missing memristor found” D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature 453, 80 (2008) Vezető csatornák kialakulása és lebomlása – rezisztív kapcsoló Pt TiO x Pt Áram (mA) Feszültség (V)

5 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Pt TiO x Pt Feszültség (V) Vezető csatorna - ionok migrációja nanométeres méretskála 50 nm Áram (mA) R. Waser et al., Adv.Mater 21, 2632 (2009) D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature 453, 80 (2008) „The missing memristor found”

6 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Keresztező vezetékek „Crossbar” technológia „analóg” memóriaelem 50 nm D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature 453, 80 (2008)

7 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Rezisztív RAM (RRAM) HP laboratories Dynamical nanocrossbars 50 nm

8 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. „The missing memristor found” Vezető csatornák kialakulása és lebomlása – „analóg” memória Feszültség (V) Áram (mA) Pt TiO x Pt Áram (mA) Feszültség (V) D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature 453, 80 (2008)

9 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. „Biological-scale intelligent machines” DARPA SyNAPSE Program , USD Célkitűzés: 10 6 memórialem/cm kapcsolat/cm mW/cm 2 Emberi agy: 10 6 neuron/cm szinapszis/cm 2 2 mW/cm CPU 1000 W CPUEmberi agyRRAM TranzisztorNeuronMemristor 3 terminal 2 szinapszis 2 terminal digitális eltérő erősség analóg kicsi gyors ? Neurális hálózat HP szabadalom

10 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Kémiai maratással hegyezett tű (W vagy Pt/Ir) Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 Ag AgS x W Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO 2 hordozó MTA RMKI együttműködés Tanczikó Ferec – MBE Szilágyi Edit – RBS

11 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Kémiai maratással hegyezett tű (W vagy Pt/Ir) Ag AgS x W Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO 2 hordozó Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1

12 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Kémiai maratással hegyezett tű (W vagy Pt/Ir) Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Feszültség –áram karakterisztika A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Ag/AgS x /W Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1

13 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Feszültség –áram karakterisztikaVezető Ag ion-csatornák Több tízezer karakterisztika analízise megbízható működés érhető el 3 nm-es kontaktussal is A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Ag/AgS x /W Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1

14 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Több tízezer karakterisztika analízise megbízható működés érhető el 3 nm-es kontaktussal is Feszültség –áram karakterisztika„analóg”memória elem V küszöb A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Ag/AgS x /W Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1

15 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco, 2011 félvezető memrisztor Shottky-gát Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1

16 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 T= 300KT= 4 K Ag AgS x W A memrisztor katakterisztika jellege nem változik szobahőmérséklet és cseppfolyós hélium hőmérséklete között Ag/AgS x /W Pont-kontaktus memrisztor – NNA P1 Kis keresztmetszet - fémes memrisztor

17 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Grafén nanoelektronika – NNA P1 Tóvári Endre MSc témavezető: Csonka Szabolcs MTA MFA együttműködés Biró László Péter Neumann Péter

18 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Grafén – mintaelőállítás V VHVH I + B grafén lapka felhelyezése SiO 2 hordozóra elektronsugaras litográfia – védőmaszk plama marás, 300 °C-os tisztító hőkezelés vezetékek maszkolása és növesztése (molekulasugaras epitaxia: 5nm Cr, 60 nm Au) MTA MFA V VHVH I + B

19 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június dimenziós ideális fém Elektronállapotok hullámfüggvénye -k+k Schrödinger

20 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június dimenziós ideális fém eV Áram elektronok száma vezetőképesség kvantum Szabadon terjedő elektronok vezetőképessége egy univerzális állandó

21 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június dimenzió Állapotsűrűség növekvő B Energia εFεF 2d ideális fém mágneses térben Landau-nívók

22 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június dimenzió 2d ideális fém mágneses térben Energia εFεF A szabadon terjedő elektronok egyirányban körbepattognak a falon. Állapotsűrűség Landau-nívók

23 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Kvantum Hall effektus +eV Nobel-díj Klaus von Klitzing R. Laughlin, H. Strömer, D. Tsui Anyaggal való kölcsönhatás nélkül, szabadon terjedő elektronok

24 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Kvantum Hall effektus grafén mintán E. Tóvári, MSc dissertation

25 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Kvantum Hall effektus grafén mintán E. Tóvári, MSc dissertation

26 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Kvantum Hall effektus grafén mintán V VHVH I + B E. Tóvári, MSc dissertation

27 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Nanoelektronika Spintronika Hibrid nanoszerkezetek Nanoelektronikai eszközök Spin-polarizált transzport Spin-qbit kísérlet Kvantum információ elmélet Komplex mágneses szerkezetek Mágneses optikai spektroszkópia GMR kísérlet és elmélet Molekuláris elektronika Szén nanoszerkezetek Félvezető nanocsővek Nanoszenzorok fejlesztése Napelemek antireflexiós rétege Nano-kompozit anyagok minősítés - memrisztor - grafén

28 Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány június 21. Nanoelektronika - 2 új eredmény A Néhány nanométeres memrisztor előállítása Kapcsolás fémes értékek között Ag AgS x W Grafén áramkör előállítása, töltéshordozó koncentráció kontrollja kapufeszültséggel Kvantum Hall effektus kimutatása grafénben


Letölteni ppt "Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány 2011. június 21. Nanoelektronika Mihály György Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika,"

Hasonló előadás


Google Hirdetések