Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."— Előadás másolata:

1 http://www.eet.bme.hu Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor III. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/08-bipol3.ppt

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 2 Az ideális tranzisztor karakterisztikái

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 3 Közös bázisú alapkapcsolás Földelt bázisú kapcsolásként is emlegetik

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 4 Közös bázisú alapkapcsolás Bemeneti karakterisztika: Kimeneti karakterisztika: IEIE

5 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 5 Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban

6 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 6 Közös emitteres alapkapcsolás Földelt emitteres kapcsolásként is emlegetik

7 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 7 Közös emitteres alapkapcsolás B : közös emitteres, nagyjelű áramerősítés

8 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 8 Közös emitteres alapkapcsolás Nem folyik áram. A bázis áram egy része a bázistöltés felholmozására fordítódik. Nő az U BE feszültség, elkezd folyni az emitter áram. A bázisáram egy másik része az emitter áram egy részével rekombinálódik. A bázis töltése nem nő tovább, a bázis áram növekedése az emitter áram rekombinációra forditódó részét növeli, ezáltal a teljes emiter áram is nő

9 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 9 Közös emitteres alapkapcsolás Bemeneti karakterisztika: Kimeneti karakterisztika:

10 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 10 A telítés határa: U BC = 0 U BE = U CE X U CE

11 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 11 A valóságos tranzisztor karakterisztikái: másodlagos hatások ► Parazita CB dióda ► Soros ellenállások ► Early hatás ► Az áramerősítés munkapontfüggése

12 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 12 A CB parazita dióda hatása Nincs vele szemben emitter, így inverz működésben a kollektorból a bázisba injektált elektronok "elvesznek": romlik az inverz aktív áramerősítési tényező.

13 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 13 A soros ellenállások hatása Báziskivezetés E C Ez hol van pontosan? R BB' A "belső bázispont" – ésszerű közelítés: R BB' B' B

14 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 14 A soros ellenállások hatása Kollektor-kivezetés I C  R CC' hozzáadódik U CE -hez  karakterisztikák az 1/R CC' egyenestől csak jobbra lehetnek R CC' csökkentése diszkrét tranzisztoroknál: epitaxiális szerkezet (mint a diódánál)

15 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 15 Az Early hatás Visszahatás: A kimenet feszültsége befolyásolja a bemeneti karakterisztikát

16 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 16 Az Early hatás

17 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 17 Az Early hatás Az Early feszültség

18 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 18 Early hatás FB kapcsolásnál

19 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 19 Early hatás: a visszahatás folyamata ~exp(U BE /U T ) FBFE

20 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 20 Az Early hatás PÉLDA Mekkora a földelt emitteres kimeneti ellenállása a tranzisztornak, ha az Early feszültség 80 V és a munkaponti kollektoráram 5 mA?

21 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 21 Az áramerősítés munkapontfüggése Feszültségfüggés: az Early hatás miatt

22 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008 22 Az áramerősítés munkapontfüggése Feszültségfüggés: az Early hatás miatt Áramfüggés:


Letölteni ppt "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor."

Hasonló előadás


Google Hirdetések