Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok."— Előadás másolata:

1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok I. A JFET-ek

2 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER (SYSTEM) RÉSZEGYSÉG (MODULE) + KAPU (GATE) ÁRAMKÖR (CIRCUIT) n+ SD G ESZKÖZ (DEVICE) V out V in

3 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A JFET ► FET = Field Effect Transistor – a töltéshordozók áramlását elektromos térerősséggel befolyásoljuk Keresztirányú térerő vezérel Csatorna (forrás) (kapu) (nyelő) JUNCTION FET: pn-átmenet kiürített rétege zárja el a csatornát ► Unipoláris eszköz: többségi töltéshordozók vezetnek ► Vezérlő teljesítmény  0 ► Normally off device: ha nem csinálok vele semmit, vezet Legfontosabb paraméter: U 0 elzáródási feszültség

4 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A JFET – egy lehetséges kivitel: Lezárt PN átmenet kiürített rétegének a vastagsága szabályozza a csatorna vezetőképességét PN átmenet = PN junction  junction FET PN átmenet = Sperrschicht Sperrschicht = záróréteg  záróréteges FET

5 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A JFET ► Jelölések: ► Karakterisztikák: vezérelhető ellenállás (lásd MOSFET trióda tartomány) elzáródási feszültség

6 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Az elzáródási feszültség számítása d h (x) 0 L x S kiürített réteg szélessége d csatorna geometriai vastagsága W U(x) Elzáródás: d geometriai vastagság = 2 x kiürített réteg vastagsága

7 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET PÉLDA Határozzuk meg egy Si JFET elzáródási feszültségét, ha a csatorna vastagsága d = 4  m és adalékolása N d = /cm 3 !

8 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A karakterisztika egyenlete

9 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A karakterisztika egyenlete

10 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A karakterisztika egyenlete Csatornavezetés

11 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A karakterisztika egyenlete Áram állandó A trióda tartományra!

12 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET A karakterisztika egyenlete A teljes tartományra! Csak telítésben:

13 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Térvezérelt tranzisztorok I.: A JFET-ek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET Kisjelű paraméterek, helyettesítőkép Meredekség Kimeneti vezetés Feszültség erősítés


Letölteni ppt "Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Térvezérelt tranzisztorok."

Hasonló előadás


Google Hirdetések