Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Áramkörszimuláció a mikroelektronikai tervezésben.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Áramkörszimuláció a mikroelektronikai tervezésben."— Előadás másolata:

1 Áramkörszimuláció a mikroelektronikai tervezésben

2 Áramkörszimuláció Tarnzisztor szintű vagy analóg szimuláció Az ellenőrzés eszköze pl.: –standard cella tervezésénél, –analóg áramköri tervezésnél, azaz minden olyan esetben, amikor az áramkört –tranzisztor szintű kapcsolási rajz, illetve –“kézi” tervezésű layout formájában terveztük meg

3 Az áramkörszimuláció helye Optimalizálás Fizikai eszközszimulációTechnológiai szimuláció eszközparaméterek tervezési szabályok Viselkedési leírás Specifikáció VHDL-ben vagy Verilog-ban Rendszer szimuláció Rendszer szintű tervezés Struktúrális leírás Sémaeditor Logikai szimuláció Szintézis Logikai tervezés Layout generálás Layout leírás Layout editorÁramkörszimuláció időzítési paraméterek Tranzisztor szintű tervezés Absztrakciós szint:Reprezentáció: Szimulátor:

4 Az áramkörszimuláció helye Digitális tervezésnél: Nem találkozunk vele, mert az áramkörtervező ezeken az absztrakciós szinteken (rendszer szint, logikai séma) nem tervez. Standard cella tervezése: A cellát tranzisztor szinten tervezzük, tehát szükség van áramkörszimulációra. Analóg tervezés: Tranzisztor szinten történik, az ellenőrzés eszköze az áramkörszimulátor.

5 Tranzisztor szintű kapcsolási rajz Sémaeditor Áramkörszimulátor netlista Pre-layout szimuláció: funkció ellenőrzése Az áramkörszimuláció helye Layout szintézis Layout terv Layout editor Layout visszafejtés netlista Áramkörszimulátor Post-layout szimuláció: a megvalósítás ellenőrzése Tranzisztor szintű kapcsolási rajz LVS Layout terv DRC: tervezési szabályellenőrzés A szimuláció mellett egyéb ellenőrzések is történnek

6 Áramkörszimulációs programok A legismertebb: SPICE –Berkeley SPICE –PSPICE –egyéb kerekedelmi verziók BME-EET: TRANZ-TRAN (1969…2003…) –PC-s DOS-os verzió –elektro-termikus verzió: SISSI Aplac (Helsinki Műszaki Egyetem) SABER...

7 GUI Egy áramkörszimulációs program struktúrája Szimulációs mag (solver vagy engine) Preprocesszor Posztprocesszor netlista Eredmény file-ok Gerjesztések, vezérlő utasítások Katalógus

8 A kezelői felület (GUI) A tervező rendszer szolgáltatásait igénybe véve is kialakítható, lásd Cadence Opus –composer –waveform megjelenítő A szimulációs rendszer része lehet –PSPICE –TRANZ-TRAN (DOS, SISSI)

9 Egy áramkörszimulációs program struktúrája

10

11 A szimulációs mag felépítése Matematikai megoldó algoritmusok Eszközmodellek netlista Hálózategyenletek generálása Katalógus: eszközparaméterek

12 A szimulációs mag Hálózategyenletek generálása = Kirchhoff-egyenletek automatikus felírása Matematikai megoldó algoritmusok: Kirchhoff-egyenletek megoldás Eszközmodellek: Félvezető eszközök, passzív alkatrészek, generátorok, stb. Ezek pontossága határozza meg, hogy a szimuláció mennyire lesz jó.

13 Áramkörszimulációs programok osztályozása Analízis fajták nemlineáris programoknál: nemlin. DC (munkapont meghatározása) DC transzfer kar. számítás (sorozatos DC) nemlin. tranziens (időtartománybeli) frekvenciatarománybeli (munkaponti linearizálással) A matematikai algoritmus mindig az analízis fajtától függ.

14 Megoldó módszerek Csomóponti potenciálok módszere –elsődleges jellemzők a hálózat csomóponti feszültségei egy adott referncia ponthoz képest –könnyen implementálható –jól illeszkednek hozzá a félvezető modellek (feszültség függvényében áramok) –ez az elterjedt módszer –induktivitás és feszültségforrás csak veszteséges modellel írható le Hurokáramok módszere Állapotváltozós módszer –elsődleges jellemzők: a kapacitások töltése, induktivitások fluxusa –kicsit bonyolultabb az implementációja –minimális egyenletszám, ideális alkatrészek

15 Megoldó módszerek A matematikai algoritmusok lin. DC M csomópontnál: M-ismeretlenes lineáris egyenletrendszer megoldása (pl. Gauss-elimináció) nemlin. DC M csomópontnál: M-ismeretlenes nemlineáris egyenletrendszer megoldása (pl. Newton-Raphson it.) kisjelű AC M csomópontnál: M-ismeretlenes komplex együtthatós lineáris egyenletrendszer megoldása (pl. Gauss-elimináció) nemlin. tranziens M-ismeretlenes nemlin. differenciál-egyenlet rendszer megoldás (pl. reverse-Euler módszer)

16 Szolgáltatások Lineáris DC szimuláció Nemlineáris DC szimuláció, DC transzfer-karakterisztika számítása Frekvencia-tarománybeli szimuláció A modelleket egy DC munkapont körül linearizálják –Kisjelű AC szimuláció egy adott frekvencián –Bode diagramok számítása Nemlináris (nagyjelű) tranziens szimuláció Tolerancia analízis Zaj analízis Torzítások vzisgálata Termikus hatások figyelembevétele, stb.

17 Alkatrész készlet Passzív alkatrészek - lináris elemek –koncentrált paraméteres R, C (ideális), L (veszteséges), –tápvonal modellek Beépített makro modellek: trafó, lin. OpAmp Generátorok - lináris elemek –feszültséggenerátor (veszteséges, belső ellenállása van) –áramgenerátor (ideális, belső ellenállása végtelen) –vezérelt generátorok (feszültségvezérelt I, U) Félvezető eszközök - nemlináris elemek –dióda –bipoláris tranzisztor –JFET –MOSFET Felhasználó által definiálható modellek: –makro modellek = paraméterezhető részáramkörök –szubrutinnal (egyenlettel) megadható modellek

18 Modellek A szimulációs magba beépített egyenletek: beépített modellek Pl. ideális dióda modellje: I = I o  [exp(U/mU t )-1] Modellparaméterek A SPICE-ban a paraméterek halmazát is modellnek szokták nevezni. U I(U) Modell topológia

19 Egy MOS tranzisztor modelljének topológiája Bulk csomópont (bulk hatáshoz kell) Termikus ág (saját melegedés hatása, termikus csatolás), árama: P=I d *U ds Hőmérséklet-vezérelt elektromos ágak

20 Modellek A modellek “pontossága” függ –a beépített egyenletektől –a paraméterkészlet minőségétől Például MOS tranzisztorok esetében –MOS1 (TRTR), level1 (SPICE) négyzetes karakterisztika –MOS2 (TRTR), level2 / level3 (SPICE) bulk hatás, rövid- és keskenycsatornás effektusok küszöb alatti áramok (SPICE) saját melegedés (TRTR) –EKV modell (TRTR), BSIM3 modell (SPICE) szubmikronos eszközökre is jók

21 Követelmények a modellekkel szemben A modellek illeszkedjenek a megoldó algoritmushoz. Pl. csomóponti potenciálok módszere esetében I(U) karakterisztikákat szolgáltassanak bemenet: ágfeszültség kimenet: ág árama, (differenciális) vezetése, ág kapacitása A valóságos eszközöket minél hűebben írják le Egyszerűek, kis futási idejűek legyenek: Explicit, analítikus összefüggés, ne legyen belső iteráció Numerikus stabilitás (ne szálljon el extrém bemenetre sem - pl. dióda) Könnyen meghatározhatóak legyenek a paraméterek

22 Követelmények a megoldó algoritmusokkal szemben Az egyes szimulációk eredményei konzisztensek legyenek: –AC(f  0Hz)  DC –Tranziens eredmények t = 0s-ban egyezzenek meg a DC eredményekkel –Nagyon lassú tranziens  DC transzfer kar. Gyorsak és RAM takarékosak legyenek –ritka mátrix technikák Numerikus stabilitás, jó konvergencia tualjdonságok –módosított Newton-Raphson iteráció –adaptív lépésköz szabályozás tranziensnél

23 Elektro-termikus szimuláció Az áramkörök saját melegedése hatással van a működésükre Ez különösen igaz egyes analóg áramkörök esetében –munkapont elmozdul, –termikus visszacsatolás befolyásolja a dinamikus viselkedést, A layout kialakításánál ügyelni kell erre (pl. szimmetrikus layout - lásd matching rules) Még digitális áramköröknél is szükség lehet a termikus hatások szimulációjára...

24 Introduction SISSI: Simulator for Integrated Structures by Simultaneous Iteration –Experimental software package on top of a particular design kit within Cadence Opus –Tools of our own development: THERMODEL, TRANS- TRAN, THERMAN –Glued by scripts in the SKILL language of Cadence Opus –Schematic entry, layout extraction, results visualization - system services of Opus –Benchmark problems simulated with success The renewal of the package –own GUI with draft layout editor

25 Experiences: CMOS OpAmp DC simulation; good agreement between simulation and measurement

26 Experiences: micro-thermostat Tight thermal coupling, effect of the encapsulation. Good agreement between simulation and measurement

27 The general flowchart

28 Design flows Schematic entry + draft layout: Simultaneous editing of schematics and layout (for components relevant from thermal point of view)

29 Design flows Schematic entry + draft layout:

30 Design flows Layout-based electro-thermal simulation:

31 Design flows Layout-based electro-thermal simulation: layout extractor

32 Layout extractor Techno file editing:

33 Layout extractor Defining the include mask: SIAL layer: for extracting Si-Al contacts to consider the Seebeck-effect if needed

34 Layout extractor Result: layout of dissipating & temperature sensitive elements (THERMAN & CIF formats)

35 The complete thermal model Each element of the matrix of thermal couplings can be described as presented If the electronic circuit contains N thermally coupled (dissipative and/or temperature sensitive) components, N 2 ladders are needed. For N=2:

36 Modeling thermal impedances The time discretised resistive equivalent of a complete Foster chain: 1/Rk1/R3 gk g3 1/R2 g2 1/R1 g1 JE1JE2JE3JEk 123k g1 = C1 /  t JE1 = C1  (UC1-UC2)/  t Thermal impedances are modeled by Foster networks: C1C2C3 R1R2R3 The time discretised resistive equivalent of a capacitor: C  UC e /  t g = C /  t CUC 

37 Electro-thermal device models A basic set of electro-thermal device model has been implemented Need for advanced models - we are working on implementation of an electro-thermal EKV MOS model

38 Presentation of the results Nodal voltages, device temperatures, Device dissipations, Function plots: transient, transfer Bode Temperature maps 2D or axonometric profile cross-sections

39 Presentation of the results

40 Benchmark example of Solomon demonstrating the effect of the thermal feedback on operational amplifiers. Example: OpAmp Two layout arrangements with different package structures have been studied.

41 Effect of layout arrangement DC transfer characteristics depend on the layout symmetric layout - symmetric x-fer char. asymmetric layout - asymmetric x-fer char.

42 Effect of package structure DC transfer characteristics depend on the package structure Frequency-domain behavior depends on the package structure

43 Effect of package structure Transient behavior also depends on the package structure

44 Electro-thermal simulation on gate level (logi-thermal simulation) On-line toggle counting during Verilog simulation Power calculation from the toggle counts together with the timing information. This will give for each instance the total energy dissipated. Annotate for each cell instance its power into the physical representation, and extract the whole in a format compatible with the thermal simulator the thermal simulator Run the thermal simulator (THERMAN) in DC mode. The power data corresponds to a steady-state simulation. Compute the total power of the design by making the sum, and use this value as a single input to the lumped RC model for package simulation.

45 Temperature gradients on the chip surface: 8-bit counter, 1 micron CMOS process, 25 MHz, 2 modes of operation Floorplan taken from Opus, event-count density from Verilog, own logi- thermal gate models, own thermal simulator Implementation now in progress in Grenoble using MicReD’s THERMAN Some research results Logi-thermal simulation: feasibility study

46

47 Logi-thermal simulation examples Design layout Digital circuit with 2 RAM blocks (0.6µm CMOS, 20k gates, 40 MHz, 15mm 2 ). Maximum temperature gradient was 14 degrees.

48 Temperature profile of a 32x32 bits combinational multiplier, (0.18µm CMOS, 7k gates, 200MHz, mm 2 ) Design layout


Letölteni ppt "Áramkörszimuláció a mikroelektronikai tervezésben."

Hasonló előadás


Google Hirdetések