VLSI áramkörök Gyártástechnológiai újítások Készítette: Borbíró Péter Czett Andor.

Az előadások a következő témára: "VLSI áramkörök Gyártástechnológiai újítások Készítette: Borbíró Péter Czett Andor."— Előadás másolata:

1 VLSI áramkörök Gyártástechnológiai újítások Készítette: Borbíró Péter Czett Andor

2 A fejlődés lépései Cél: sebesség, hatásfok, mobilitás növelése Amik nélkül nem lehetséges: –Méretcsökkentés (scale-down) –Áramköri részek továbbfejlesztése –Technológia optimalizálása A méretcsökkentés hatására egyre bonyolultabb tervezés mind áramköri, mind pedig layout szinten.

3 Technológiai fejlesztések High-K, Low-K anyagok Feszített SiGe tranzisztor Heteroátmenetes eszközök SOI – Silicon On Insulator

4 High-K, Low-K anyagok

5 Feszített SiGe tranzisztor Töltéshordozók mozgékonysága nő 70%-kal Eszközök kapcsolási sebessége kb. 40%-kal Bonyolult technológiai lépésekkel kivitelezhető

6 Heteroátmenetes eszközök Optoelektonikában elengedhetetlen a kettős heteroátmenetes eszközök használata. Ilyenek pl. a lézerdiódák. A kisebb tiltott energiasáv miatt könnyebb előidézni a töltéshordozó populáció-inverziót.

7 SOI - SImOx Implantációval egy eltemetett oxidréteget alakítanak ki, ami elválasztja egymástól a bulk-ot a kialakított felső mintázati réteget, ezáltal csökkenthető a szivárgási áram

8 SOI - SmartCut Oxidnövesztés után H implantáció, majd hordozóhoz ragasztják a szeletet. Ezután hőkezeléssel a H réteg buborékos réteget alakít ki, amely mentén el lehet választani egymástól két hordozóréteget. Ezek után felületkezelés, aztán pedig mehet a szelet a gyártásba.