Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés, főbb jellemzők, a gyártás és a tervezés kapcsolata, költségek
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Sun Sparc IXfx 64 processzor ► 40nm gyástástechnológia ► 16 mag (31Kbyte L1 adat – L1 utasítás) ► L2 12Mbyte ► 4 csatornás DDR3 memória vezérlő ► 1848 MHz ► TDP 110W Integrált áramkörök, IC tervezés 1 © Poppe András, BME-EET
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Snapdragon S4 SoC – ► TSMC 28nm technológia ► Dual core, 1.5GHz órajel, legújabb ARM core ► Adreno 225 grafikus gyorsító ► WLAN, GPS, LTE, HSPA ► 2 csatornás LPDDR Integrált áramkörök, IC tervezés 1 © Poppe András, BME-EET m-demos-28nm-krait-expects-to-dominate- android-devices-in-2012/
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált áramkörök, IC tervezés 1 © Poppe András, BME-EET Teljes IC & MEMS design-flow
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Multi Project Chip példa Integrált áramkörök, IC tervezés 1 © Poppe András, BME-EET ► XFAB 0.6um BiCMOS ► Band-Gap referencia ► 1 GHz frekvenciaosztó ► EET & Silabs Hungary ► 2002
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Multi Project Chip példa ► AMS 0.35um CMOS ► CMOS összeadók ► 2.4 GHz frekvenciaosztó ► EET & Silabs Hungary ► Integrált áramkörök, IC tervezés 1 © Poppe András, BME-EET
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudomanyi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Egy chip „útja” a Föld körül Integrált áramkörök, IC tervezés 1 © Poppe András, BME-EET