ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Műveleti erősítők.
Advertisements

1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Erősítő számítása-komplex feladat
Logikai alapkapcsolások
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
Számpélda a földelt kollektoros erősítőre Adatok: Rg=0.5k; RB=47k;
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Tranzisztoros erősítő kapcsolások vizsgálata
Mágneses lebegtetés: érzékelés és irányítás
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Szimuláció a mikroelektronikában Dr. Mizsei János 2013.
Jelkondicionálás.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
TECHNOLÓGIA & KONSTRUKCIÓ
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Elektrotechnika 3. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Erősítők.
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
Fázishasító kapcsolás Feszültségerősítések Au1 Au2 Egyforma nagyság
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Számpélda a földelt emitteres erősítőre RBB’≈0; B=100; g22=10S;
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Félvezető áramköri elemek
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor I.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor és alkalmazásai
STABILIZÁLT DC TÁPEGYSÉG
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
c.) Aszimmetrikus kimenettel Erősítések Bemenetek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronika Négypólusok, erősítők.
ELEKTRONIKA 2 (BMEVIMIA027)
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronika Tranzisztor (BJT).
Szimuláció a mikroelektronikában
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Járművillamosság és elektronika II.
Előadás másolata:

ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA Dr. Székely Vladimir, dr. Nagy András, Dr. Mizsei János BME Elektronikus Eszközök Tanszéke

ANALÓG ÁRAMKÖRÖK ELEMEI A munkaponti beállítások fogalma I BJT MOS hatvány exp JFET hatvány UBE UP VT ~0.6V UGS Transzfer karakterisztikák: Ubemenő-Ikimenő

A transzfer karakterisztikán az M munkapont „A” osztályú beállítása ie IC ID id M M t t UP UGS ube UBE ugs Bipoláris tranzisztor JFET t t Áramfolyás a teljes periódusidő alatt („A” osztályú ). Ez a kisjelű erősítő működés.

- 57 - JFET-es kapcsolás, “önelőfeszítős” munkapont beállítás (“kiürítéses” eszközökhöz) Analitikus megoldás: hurokegyenlet felírása a bemeneti körre ID•RS+0•RG+UGS=0 ID=-UGS/RS Grafikus megoldás: +Ut ID RD ID IDS0 -1/RS M ID UGS RS ID RG UP -UGS UGS ….feltéve, hogy Ut> RD•ID +RS•ID+(UGS +UP) UGS=0 is lehet RS=0 esetén, IDS=IDS0

- 57 - Bipoláris tranzisztoros erősítő kapcsolás munkapontja +Ut R1 R2 RE RC RE UB RB UBE IE IB Thevenin UB=Ut R2 R1+R2 ; RB=R1X R2 IC UBE UBE0 UBE=UBE0+re•IE UB=RB•IB+UBE(IE)+RE•IE IE= UB-UBE0 RE+ RB B+1 +re … feltéve, hogy Ut> RE•IE +RC•IC

- 58 - IE=f(B; UBE; Ut; T) többváltozós függvény! IE teljes (totális vagy abszolút) megváltozása: IE= IE B B+ UBE UBE+ Ut Ut+ T T Megjegyzés: UBE=f(T) Képezve a relatív megváltozást: T IE IE = 1 IE B B+ UBE UBE+ Ut Ut+ T Az egyes deriváltak és diszkussziójuk a jegyzet 58. és 59. oldalán találhatók (“érzékenység” számítás)

Tápfeszültség függés: UB-UBE0 Tápfeszültség függés: IE= RB RE+ +re B+1 Az emitteráram relatív megváltozása …követi a tápfeszültség relatív megváltozását.

Hőmérséklet függés: UB-UBE0 IE= RB RE+ +re B+1 Az emitteráram (fokonkénti) relatív megváltozása

IC UB-UBE0 IE= RB RE+ +re B+1 UB UBE IC IC= B IB UBE Feszültséggenerátoros meghajtás, azaz RE =0, RB =0: IE= RB RE+ +re B+1 UB UBE vagyis 7% áramnövekedés fokonként ! Áramgenerátoros meghajtás, azaz RE =0, RB , UB “végtelen”, UB /RB=IB: IC IC= B IB UBE vagyis 0.5 - 1 % áramnövekedés fokonként !

Meghajtás bázisosztón keresztül, emitterköri ellenállással: UB RB UBE IE IB RE=5.3K B=200 (fontos?) +Ut =12 V - R1=30K R2=30K RE=5.3K RC Thevenin UB=Ut R2 R1+R2 ; RB=R1X R2 IE, RC ? vagyis 0.051 % áramnövekedés fokonként ! RE -> negatív visszacsatolás !

Számoljunk egy keveset gyakorlásképpen… ! IE, RC gm? +Ut R1 R2 RE RC RE UB RB UBE IE IB Thevenin R1=30K R1=300K R1=3M R2=30K R2=300K R2=3M RE=5.3K RE=5.3K RE=5.3K 200 20 2 (?) mikroamper az osztó árama!