Cim Design flow, production flow, maszkok, technológia Tervezési szabályok, lambda. Pálcika diagram, alap layoutok Layout tervezés, P&R.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Digitális elektronika
Advertisements

Az integrált áramkörök (IC-k) tervezése
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Mikroelektronikai tervezőrendszerek Áttekintés. Optimalizálás Fizikai eszközszimulációTechnológiai szimuláció eszközparaméterek tervezési szabályok Viselkedési.
Mikroelektronikai tervezőrendszerek Összefoglalás.
Bevezetés a digitális technikába
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
IC-k számítógépes tervezése Budapesti Mûszaki Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 november.
Mikroelektronikai tervezőrendszerek Összefoglalás.
Cim Design flow, production flow, maszkok, technológia Tervezési szabályok, lambda. Pálcika diagram, alap layoutok1Fa03.27 P Layout tervezés, P&R1Fa03.30.
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
A TUDOMÁNYOS KUTATÁS MÓDSZERTANA
Szenzorok Bevezetés és alapfogalmak
Szerkezetek Dinamikája
BMEGEENATMH Hőátadás.
AUTOMATIKAI ÉPÍTŐELEMEK Széchenyi István Egyetem
Skandináv dizájn Hisnyay – Heinzelmann Luca FG58PY.
Szerkezetek Dinamikája
A TUDOMÁNYOS KUTATÁS MÓDSZERTANA
Csáfordi, Zsolt – Kiss, Károly Miklós – Lengyel, Balázs
J. Caesar hatalomra jutása atl. 16d
Az új közbeszerzési szabályozás – jó és rossz gyakorlatok
Gajdácsi József Főigazgató-helyettes
A nyelvtechnológia eszközei és nyersanyagai 2016/ félév
Vitaminok.
Összefoglalás.
További MapReduce szemelvények: gráfproblémák
Web of Science és Scopus
„Hej óvoda, óvoda te ékes kacsalábon forgó aranypalota!”
8. Szabály: A játék kezdete és újraindítása
III. Sz. Belgyógyászati Klinika
Kelényi Imre HWSW Free! – WWDC 2017 Kelényi Imre
Agrár-környezetgazdálkodás
Egyenletes mozgás.
Tartalom Radiometria / fotometria Fény mennyiségei Melléklet
PHÖNIX-BRV KFT Ózd Vincze Tamás
A „frontális együttműködés”
Számítógépes Folyamatirányítás
Az elektromos munka.
Vállalatok és a jelen érték
Kvantitatív módszerek
Számítógépes Folyamatirányítás
A Szerkesztés (Edit) menü
Programkészítés elvei
Mintavétel és becslés október október 26.
Julius Jacob von Haynau
Két ember eléd lép Ifjúsági énekek.
a hét verse Goethe: Kora tavasz wootsch benedek ajánlja 11.B
Közigazgatás, közigazgatási jog
Szerkezetek Dinamikája
Fizikai kémia 2 – Reakciókinetika
SZÁZALÉKSZÁMÍTÁS.
2D-3D számítógépes grafika
Egy általánosabb környezetben
Autoregresszív mozgóátlag modell
Profitmaximalizálás  = TR – TC
„Mi a pálya?”.
A Tőketervezés Új Kihívásai az Európai Bankrendszerben
Az elektromos áram.
2D-3D számítógépes grafika
Profitmaximalizálás  = TR – TC
2D-3D számítógépes grafika
Profitmaximalizálás  = TR – TC
Ismétlés Newton 1. és 2. törvénye.
Számítógépes Hálózatok
Anyagmozgató rendszerek szállítóképessége és megbízhatósága
A tárgyi eszközök értékcsökkenési leírása
Számítógépes Hálózatok
Előadás másolata:

Cim Design flow, production flow, maszkok, technológia Tervezési szabályok, lambda. Pálcika diagram, alap layoutok Layout tervezés, P&R

Amit az ábra nem tükröz hierarchikus jelleg több iteráció áramköri megközelítés (St cella, gate array stb.)

TOP DOWN UP BOTTOM nagyobb elemek felbontása kisebb részekre - szimuláció - fizikai megvalósítás Tervezés Funkcionális leírás (viselkedés) Strukturális ” Fázisregiszteres ”

Inverter layout

Proc1

Proc2

1

2

LOCOS Így nem

LOCOS

3

4 Etch thin oxide

4

4

5 p

6

7

Inv keresztmetszet

5 Mask 1 Mask 2

4 Mask 3

3 Mask 4

2 Mask 5

1 Mask 6

Mask 7

CMOS gate array

NOR A B Y VDD VSS Metal 2

A B VDD VSS NAND Y Metal 2

A VDD VSS Inverter Y Metal 2

NMOS technológia UNITS=MICRONS, GRID=1.0; NEWGOUP INVER; POLY(1) S,4,4:48,40,-16,-8,-24,32,8,16,-16,80; RECT(3) 0,20:56,8; POLY(3) S,0,40:32,28,8,16,-16,-20,-24,-24;.... RECT(5) 0,6:56,10; RECT(5) 0,70:56,10; ENDGROUP;.... GROUP INVER,10,10,0;.... FINISH; T2T2 T1T1 W2W2 W1W1 L1L1 L2L2

1 réteges szabályok Aktív PoliSi Fém Kontaktus

2 réteges szabályok Kontaktus Tranzisztor

kapukkal tranzisztorokkal standard cellaként layouttal topológiával Egy áramkör megadható

Egy tranzisztor területe kb. 3-szorosa a gate területének UL  βUL  β

= 0  Minimálinverter (minimális területű)

Órajellel szinkronizált S-R tároló

B A