Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
47. kísérlet A reakciósebesség vizsgálata
Advertisements

Moduláris oktatás a 8. évfolyam kémia tantárgyból
ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA 2.
Modern fényképezés Balogh Zoltán PTE-TTK IÁTT A tükörreflexes fényképezők.
Nanométeres oxidáció gyors hőkezeléssel
A monolit technika alaplépései
Vékonyréteg Si napelemek, technológia fejlesztési irányok.
Vékonyrétegek jelentősége, alkalmazásai
Fehérjék biológiai jelentősége és az enzimek
Készítette: Hokné Zahorecz Dóra 2006.december 3.
Galvánelemek.
SZTOECHIOMETRIAI SZÁMÍTÁSOK A REAKCIÓEGYENLET ALAPJÁN
Rétegmegmunkálás marással
Készítette: Móring Zsófia Vavra Szilvia
Dr. Mizsei János előadásai alapján készítette Balotai Péter
Szimuláció a mikroelektronikában Dr. Mizsei János 2013.
Turányi Tamás ELTE Kémiai Intézet
Vékonyfilm nm körüli vastagság ultravékonyfilm - 1 nm körüli vastagság CVD (chemical vapour deposition) kémiai gőz leválasztás LPD (laser photo-deposition)
Révai Miklós Gimnázium és Kollégium Győr
A KÉMIAI REAKCIÓ.
Laboratóriumi kísérletek
Felület kezelés, felület nemesítés
Redoxi-reakciók, elektrokémia Vizes elektrolitok
SÓOLDATOK KÉMHATÁSA PUFFEROLDATOK
Széncsoport elemei.
VEGYÉSZETI-ÉLELMISZERIPARI KÖZÉPISKOLA CSÓKA
Levegőtisztaság-védelem 3. előadás Természetes és antropogén eredetű légszennyezők. Pont-,vonal-, diffúz források.
VÉKONYRÉTEG LEVÁLASZTÁSA FIZIKAI MÓDSZEREKKEL
1 Pórusos szilícium struktúra kialakítása Bedics Gábor Ciszterci Rend Nagy Lajos Gimnáziuma, Pécs.
1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia
A szappanok káros hatásai
A szappanok káros hatásai
Kémiai kinetika A kémiai reakciók osztályozása:
Szén-dioxid leválasztás és tárolás Környezetvédelmi technológia az erőművi technológiában.
AP-CITROX kémiai dekontaminációs technológia nem-regeneratív változatával, az üzemi értéket meghaladó dekontamináló oldat áramlási sebességgel (1,69 m/s)
ADSZORPCIÓ.
ADSZORPCIÓ.
A sósav és a kloridok 8. osztály.
Móra Ferenc Gimnázium (Kiskunfélegyháza)
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Kártyás Bálint MFA nyári iskola Puskás Tivadar Távközlési Technikum
Készítette: Földváry Árpád
Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Mikroelektronikába: technológiai eljárások
Felmérő VII.C Reakció tipusok Ancsa,Olga,.
Javasolt fejlesztési területek a SINUS Klaszter számára Kiss Endre Zárókonferencia
Kén és szelén Kén és réz reakciója Kén és vas reakciója
Szén, szilícium, bór Széndioxid előállítása Szárazjég vízben
Optomechatronika II. Vékonyrétegek - bevonatok
Pernye Energia és környezet keletkezése, tulajdonságai,
BEPILLANTÁS A PLAZMATECHNOLÓGIÁBA
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Kémiai reakciók Kémiai reakció feltételei: Aktivált komplexum:
ADSZORPCIÓ.
Kémiai reakciók iránya
Fotonika Vékonyrétegek - bevonatok
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
Vékonyrétegek fizikai rétegleválasztási technológiái: vákuumpárologtatási és porlasztási technológiák, atom- és molekulaforrások 8. alkalom A BME-ETT a.
Egykristályok előállítása
Félvezetők.
Milyen kémhatásokat ismersz?
A kémiai egyenlet.
Az elektrolízis.
Elválasztás-technika alkalmazása nélkül nincs modern kémiai analízis!
Ki tud többet kémiából?.
energia a víz elemeiből
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Szimuláció a mikroelektronikában
Előadás másolata:

Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013

PVD és CVD Physical Vapor Deposition: –Vákuum gőzölés –Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition: –Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba –Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás

EPI-CVD reaktorok

Rétegleválasztás (CVD) V. ö.: oxidáció

Rétegleválasztás (CVD)

Si epitaxia, kémiai reakciók Szilános (SiH 4 ) és tetrakloridos (SiCl 4 ) rendszerek. Si tetrakloridos: C° SiCl 4 +H  SiCl 2 +HCl Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl 2 2 SiCl 2  Si+SiCl 4  SiCl 4 deszorbálódik

Si epitaxia, kémiai reakciók A teljes reakció: SiCl 4 +H 2  Si+4 HCl A kémiai reakciók megfordíthatók  Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.

Si epitaxia, kémiai reakciók Rétegnövekedés sebessége SiCl 4 epitaxiával.

Si epitaxia, kémiai reakciók Szilános rendszerek: 1000 C° SiH  Si+ 2H 2 A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg. A rétegnövekedés nem fordítható meg  marás nem történik.

Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás