Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013
PVD és CVD Physical Vapor Deposition: –Vákuum gőzölés –Katód porlasztás Chemical Vapor Deposition: –Két féle gőz a szelet felületén lép reakcióba –Vákuumtechnológia során a rendszer felnyitása nélküli rétegleválasztás
EPI-CVD reaktorok
Rétegleválasztás (CVD) V. ö.: oxidáció
Rétegleválasztás (CVD)
Si epitaxia, kémiai reakciók Szilános (SiH 4 ) és tetrakloridos (SiCl 4 ) rendszerek. Si tetrakloridos: C° SiCl 4 +H SiCl 2 +HCl Gáztérben: Si felületén adszorbálódik a SiCl 2 2 SiCl 2 Si+SiCl 4 SiCl 4 deszorbálódik
Si epitaxia, kémiai reakciók A teljes reakció: SiCl 4 +H 2 Si+4 HCl A kémiai reakciók megfordíthatók Si- tetraklorid koncentrációtól függően rétegnövekedés vagy marás is lehet.
Si epitaxia, kémiai reakciók Rétegnövekedés sebessége SiCl 4 epitaxiával.
Si epitaxia, kémiai reakciók Szilános rendszerek: 1000 C° SiH Si+ 2H 2 A rétegnövekedés sebességét a hidrogén deszorpciója határozza meg. A rétegnövekedés nem fordítható meg marás nem történik.
Rétegleválasztás (CVD) összefoglalás