Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006
Főcímek: -fizikai háttér (fotonabszorpció, töltéshordozó koncentráció növekedés, ellenálláscsökkenés) -fotoellenállás a gyakorlatban -fordított hatás: a fénymoduláció
T=0K Fotonabszorpció
(nagy fotonenergiák esetére)
A rekombináció tömbben és a felületen A felületi rekombináció sebessége: A tömbi rekombináció sebessége: Hatáskeresztmetszet (cm 2 ) x termikus határsebesség (cm/s) x csapdasűrűség (1/cm 3 ) Hatáskeresztmetszet (cm 2 ) x termikus határsebesség (cm/s) x csapdasűrűség (1/cm 2 ) n=10 16 p=10 4 p=10 14 nemegyensúlyi
A töltéshordozó koncentrációk megnövekedése: x x 0
Vezetés:
Érzékenység: „vékony” „vastag”
Az ellenállás relatív megváltozása a vastagság függvényében
Fotoellenállás a gyakorlatban -nagyellenállású egykristály -polikristályos vékonyréteg
Fénymoduláció
(A kiürített réteg változtatása a rákapcsolt feszültséggel -> abszorpció változik.) Fénymoduláció