Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
E. Szilágyi1, E. Kótai1, D. Rata2, G. Vankó1
Advertisements

Dióda, Tirisztor, GTO, Tranzisztor
ELEKTRONIKAI TECHNOLÓGIA 2.
Nanométeres oxidáció gyors hőkezeléssel
A monolit technika alaplépései
ESD © Farkas György.
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A félvezető dióda (2. rész)
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
A félvezető dióda.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Analóg alapkapcsolások
Si egykristály előállítása
Dr. Mizsei János előadásai alapján készítette Balotai Péter
CMOS technológia a nanométeres tartományban
Szimuláció a mikroelektronikában Dr. Mizsei János 2013.
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
HIDRODINAMIKAI MŰVELETEK
HŐÁRAMLÁS (Konvekció)
VÉKONYRÉTEG LEVÁLASZTÁSA FIZIKAI MÓDSZEREKKEL
Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka)
A bipoláris tranzisztor modellezése
Elektron transzport - vezetés
A megújuló energiaforrások
Gáztöltésű detektorok Szcintillátorok Félvezetők
Félvezető áramköri elemek
Súrlódási jelenségek vizsgálata (Tribológia)
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Biológiai anyagok súrlódása
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Szilícium alapanyagok minősítése
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
Félvezetők dr. Mizsei János, 2010 Egyedi atom:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Spintronika (Saláta).
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Kémiai leválasztás gőzfázisból (CVD) Mizsei János 2013.
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Nanoszerkezetek Mihály György BME Fizika Tanszék Spintronika spin polarizált elektron traszport Andrejev-spektroszkópia.
Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Optomechatronika II. Vékonyrétegek - bevonatok
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Üledékes sorozatok tagolás - agyagindikátorok
Optikai koncentráció félvezető napelemekhez Fogalma A hatásfok javulásának eredete A koncentrátorok gyakorlati megvalósítási lehetőségei Példák.
Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Ipari vékonyrétegek Lovics Riku Phd. hallgató.
Fő alkalmazási területek
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Potenciálok rétegszerkezetekben, határfelületeken Habilitációs kollokvium dr. Mizsei János, 2003.
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
Az elektromos áram.
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Szimuláció a mikroelektronikában
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Félvezető áramköri elemek
Előadás másolata:

Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006

Főcímek: -fizikai háttér (fotonabszorpció, töltéshordozó koncentráció növekedés, ellenálláscsökkenés) -fotoellenállás a gyakorlatban -fordított hatás: a fénymoduláció

T=0K Fotonabszorpció

(nagy fotonenergiák esetére)

A rekombináció tömbben és a felületen A felületi rekombináció sebessége: A tömbi rekombináció sebessége: Hatáskeresztmetszet (cm 2 ) x termikus határsebesség (cm/s) x csapdasűrűség (1/cm 3 ) Hatáskeresztmetszet (cm 2 ) x termikus határsebesség (cm/s) x csapdasűrűség (1/cm 2 ) n=10 16 p=10 4 p=10 14 nemegyensúlyi

A töltéshordozó koncentrációk megnövekedése: x x 0

Vezetés:

Érzékenység: „vékony” „vastag”

Az ellenállás relatív megváltozása a vastagság függvényében

Fotoellenállás a gyakorlatban -nagyellenállású egykristály -polikristályos vékonyréteg

Fénymoduláció

(A kiürített réteg változtatása a rákapcsolt feszültséggel -> abszorpció változik.) Fénymoduláció