SiC szemcsék TEM vizsgálata Si hordozón Készítette: Bucz Gábor, Földes Ferenc Gimnázium Tanára: dr. Zsúdel László, Földes Ferenc Gimnázium, Miskolc Témavezető: dr. Tóth Lajos, Radnóczi György Zoltán vékonyréteg fizikaosztály
Feladat CO és Ar keverékében hőkezelt Si-szelet elektronmikroszkópos vizsgálata. Átnézeti kép készítése síkmintáról, morfológia vizsgálata; Moire-csíkrendszer vizsgálata síkmintán; Nagyfelbontású vizsgálatok keresztmetszeti mintán.
Általános jellemzés Jellemző általános négyzetforma Nagyjából párhuzamos élek, a Si [100]-hoz illeszkednek Egyenletes méreteloszlás Jellemző méret nm Látható feszültség a szemcsék körül
Moire-mérés Két egymásra vetülő kristály esetén: d m =d 1 ×d 2 /(d 1 -d 2 ) d 1 =1,9201Å (Si 220); d 2 =1,5411Å (SiC 220) Elméleti érték: d m =7,8Å 5,55×10 -6 cm / 68vonal = 8,16Å
Nagyfelbontású vizsgálatok keresztmetszeti mintán A hordozó és a SiC határfelülete sík (Si {001} alul és az oldalán is); A szemcse tetején egy bemélyedés látható; A Si és a SiC kristályrácsa mellett a képben megjelenik a Si és a SiC 111 síkjainak átfedéséből adódó moire-csíkrendszer
Köszönöm a figyelmet!