SELF DIFFUSION BARRIERS IN INTEGRATED CIRCUITS Misják Fanni, Czigány Zsolt, Geszti Tamásné, Rudolf Ádám, Gurbán Sándor, Menyhárd Miklós, Radnóczi György.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Szén nanocsövek STM leképezésének elméleti vizsgálata
Advertisements

E. Szilágyi1, E. Kótai1, D. Rata2, G. Vankó1
ötvözetek állapotábrája
METALLOGRÁFIA (fémfizika) ÖTVÖZETEK TÍPUSAI.
Vékonyréteg Si napelemek, technológia fejlesztési irányok.
ÉLELMISZER ADATBÁZIS SZŰRÉSE MENNYISÉGI MEGSZORÍTÁSOK ALAPJÁN LOGARITMIKUS INDEXELÉSSEL Kusper Gábor, Márien Szabolcs Előadja: Kusper Gábor Eszterházy.
Budapest University of Technology and Economics Elektronikus Eszközök Tanszéke mikofluidika.eet.bme.hu Nagy átbocsátóképességű nanokalorimetriás Lab-on-a-Chip.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
16. Speciális nyomtatott huzalozások és technológiájuk
A H N J B D F C E G S P Q M O C% T K S’ E’ C’ K’ F’ D’ L P’ δ
VLSI áramkörök Gyártástechnológiai újítások Készítette: Borbíró Péter Czett Andor.
Vörösiszapok kezelése és hasznosítása
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Dr. Mizsei János előadásai alapján készítette Balotai Péter
CMOS technológia a nanométeres tartományban
Kémiatörténeti kiselőadás Kocsis Dorina
Balatonvilágos, május 09. Előadó: Dr. Szedlacsek György 1.
Kémiai és biotechnológiai alapkutatások vízzáró rétegek és talajvizek halogénezett szénhidrogén szennyezőinek eltávolítására Analitikai Csoport The project.
ATOMREAKTOROK ANYAGAI 5. előadás
Kémiai és biotechnológiai alapkutatások vízzáró rétegek és talajvizek halogénezett szénhidrogén szennyezőinek eltávolítására (Triklóretilén,TCE) Megvalósítás:
Alumínium és ötvözetei.
100 nm Együtt porlasztott 30 at% Mn + 70 at% Cu minta (CM77) – Árpi bácsi vékonyítása Nagy Cu többletes szemcsék – körülötte vélhetően a második fázis.
MOLNÁR LÁSZLÓ MILÁN adjunktus február 9.
VÉKONYRÉTEG LEVÁLASZTÁSA FIZIKAI MÓDSZEREKKEL
Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka)
1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia
Ittzés Zsigmond Budapest Airport IT Infrastruktúra manager
OSZK - Tudományos Ülésszak, 2002 Nemzeti könyvtárak - archiválás, Internet - ? Országos Széchényi Könyvtár Tudományos ülésszak december 9. Renkecz.
Mikroelektronikaéstechnológia Bevezetõ elõadás Villamosmérnöki Szak, III. Évfolyam.
1 OST 2. munkabizottság ülése KSH november 18. Dr. Laczka Éva.
A szelektív gyűjtés helyzete, eredményei Kommunikációs kihívások
A szemcsehatárok tulajdonságainak tudatos módosítása
Multifunkciós vidék konferencia június 3. „A madárbarát Magyarországért!” A biológiai sokféleség fenntartása a gyakorlatban,
Fázisnövekedés amorf Si – Cu rendszerben; SNMS, XPS, XRD valamint APT technikák kombinált alkalmazása B. PARDITKA 1,2,M. VEREZHAK 1,3, M. IBRAHIM 4 1 Aix-Marseille.
Impact of Metro construction on the long term sustainability of a Metropolitan city: The case of Thessaloniki Szigetvári Andrea2014. április 7.
Versengő társulások Mi történik egy olyan térbeli modellben, ahol sok stratégia létezik? Lokálisan csak a stratégiák kis hányada lehet jelen. => az evolúciós.
Ezüst szemcsék vizsgálata TEM-mel
NAGYFELBONTÁSÚ ELEKTRONMIKROSZKÓPIA és a JEMS SZIMULÁCIÓS PROGRAM
MFA Nyári Iskola június Horváth András Zoltán 1 MIKROFLUIDIKA Horváth András Zoltán Tamási Áron Elméleti Líceum, Székelyudvarhely Témavezetők:
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
CMOS kompatibilis termikus szenzor Integrált mikrorendszerek Dr. Székely Vladimír november Integrált mikrorendszerek Dr. Székely Vladimír november.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált áramkörök: áttekintés,
Könyves András Dárdai Gábor Számítástechnika-technika 3. évfolyam
Lesz-e szilíciumon világító dióda?
IC gyártás Új technológiák. 2 Strained Silicon (laza szilícium)
A számítógép története
Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Polimer elektronika Alapanyagok Kis szerves molekulák Polimerek
IN-SITU MIKROMECHANIKAI DEFORMÁCIÓK Hegyi Ádám István május 27.
Nanofizika, nanotechnológia, anyagtudomány Mihály György akadémikus Magyar Műszaki Értelmiség Napja május 13. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi.
Készítette: Baricz Anita - Áprily Lajos Főgimnázium, Brassó Gréczi László – Andrássy Gyula Szakközépiskola, Miskolc Csoportvezetők:dr. Balázsi Katalin.
1 Termikus-elektromos eszköz a nanoelektronikában Áttekintés VO 2 háttérismeretek Termikus-elektromos eszköz a nanoelektronikában elmélet gyakorlat neuron.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2009 I. félév Követlemények.
FULLERÉNEK ÉS SZÉN NANOCSÖVEK előadás fizikus és vegyész hallgatóknak (2008 tavaszi félév – április 16.) Kürti Jenő ELTE Biológiai Fizika Tanszék
Egykristályok előállítása
Mikro- és nanotechnológia Vékonyréteg technológia és szerepe a CRT gyártásban Balogh Bálint szeptember 21.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Az integrált áramkörök gyártása. Mi is az az integrált áramkör?  Több, néha igen sok alapelemet tartalmazó egyetlen, nem osztható egységben elkészített.
Szalisznyó László és segéde Takács Viktor. Feltalálója  Jack Kilby  Fizikus  Jack St. Clair Kilby amerikai fizikus volt, ő találta fel és hozta létre.
Fázisátalakulások Fázisátalakulások
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat
Humán agyi MRI módszerek
Műszaki Anyagtudományi Kar, Kerámia és Polimermérnöki Intézet
Agyi elektródák felületmódosítása
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Előadás másolata:

SELF DIFFUSION BARRIERS IN INTEGRATED CIRCUITS Misják Fanni, Czigány Zsolt, Geszti Tamásné, Rudolf Ádám, Gurbán Sándor, Menyhárd Miklós, Radnóczi György MMT - Siófok, Supported by OTKA K81808 project

Integrated circuits: History: 1949 – W. Jacobi: 5 tranzisztor egy közös hordozón - erősítő egység 1952 – G. W. A. Dummer: Integrált áramkör ötletének publikálása Symposium on Progress in Quality Electronic Components in Washington, D. C. on May 7, – J. Kilby: különálló kerámia szeleteken levő eszközök összekapcsolása kompakt egységgé K. Lehovec, R. Noyce - diódák elválasztó szigetelése 1958 – J. Kilby: Integrált áramkör szabadalma, első megvalósítása 1958 – R. Noyce: Si alapú integrált áramkör

Interconnects: Alumínium vezetékek – eszközre folyamatos Al réteg – mintázás, marás – dielektromos anyag – lyukak marása – CVD technikával wolfram Használat: memória chipek, dinamikus memóriák, ahol az összekötő rétegek száma nem több, mint 4. Réz vezetékek – eszközre dielektrikum réteg – mintázással, marással lyukak, csatornák – réz felvitele – felesleges réz eltávolítás Vezetékek számának növekedése, átmérő csökkenése -> barrier réteg problematikája Réz vezeték-technológia korlátai: felesleges réz eltávolítása réz diffundál a dielektrikumba

SiO 2 Cu belediffundál a dielektrikumba Méretek csökkentése Cu SiO 2 Diffúziós barrier – önszervező módon SiO 2 Cu SiO 2 Diffúziós barrier – több lépésben előállítás Cu Interconnects :

Cu SiO 2 modellezzük Barrier képződés feltételének vizsgálata: Milyen réteg legyen? Cu vezetőképessége megmaradjon a dielektrikummal szilárd fázisú reakció Cu diffundálását akadályozza SiO x CuMn SiO x CuMn ? hőkezelés

α - Mn köbös 58 atom a=0,8912 nm β - Mn köbös 20 atom a=0,6312 nm γ - Mn fcc 4 atom a=0,384 nm Mn allotróp módosulatok:

Calculated Cu–Mn phase diagram with a metastable miscibility gap of fcc phase with the experimental data. Cu–Mn binary phase diagram reviewed by Gokcen. Irodalom CuMn rendszerről: C.P. Wang et al., Journal of Alloys and Compounds 438 (2007) 129–141

Irodalom CuMn rendszerről: Koike at al, JAP (2007), APL 87, (2005) Cu + 10 % Mn RF sputtering 450 o C, 30 min annealing MnSiO

Irodalom CuMn rendszerről: Mn majd Cu réteg termikus CVD 100 o C – on növesztve Neishi et al., Appl. Phys. Lett. 93, (2008) Stabilitás vizsgálata: 400 o C, 100 óra hőkezelés Cross-sectional TEM images and an EDX composition map of contact hole samples after CVD-Mn deposition: (a) overall image of contact holes; (b) magnified image of the upper corner of the hole; (c) magnified image of the hole bottom; and (d) EDX mapping image of Mn-K signal. K. Matsumoto et al., Appl. Phys. Express (2009)

Eredmények: Mn Cu 7 x mBar 20, 50, 100W 10 min Rétegvastagság arányos a teljesítménnyel -> tervezett összetételű rétegek előállítása

Diffrakciók a Mn tartalom függvényében: Eredmények: Fázisdiagram különböző összetételeinél milyen morfológiák?

Összefoglalás: – nagyon kis szemcseméret a teljes összetételtartományban – min. szemcseméret at% Mn körül – 1-3 nm – a réz oldalon a Mn beoldódása a Vegard szabálytól enyhén eltérő rácsparaméter változást okoz – a kétfázisú tartomány hiánya? – tisztázandó a MnO jelenléte és szerepe – hőkezelés hatására jelentős szerkezetátalakulás (450 o C-on) – Mn szegregáció a felület felé jól mérhető, a határfelület felé egyelőre nem kimutatható