MIKROÁRAMKÖRI TECHNOLÓGIÁK

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Az optikai sugárzás Fogalom meghatározások
Advertisements

Az ezüst és az arany. Tk oldal
Szilícium plazmamarása Készítette: László SándorBolyai Farkas Elméleti Líceum Marosvásárhely Tanára:Szász ÁgotaBolyai Farkas Elméleti Líceum Marosvásárhely.
DINO LITE DIGITÁLIS MIKROSZKÓP.
Nanométeres oxidáció gyors hőkezeléssel
A monolit technika alaplépései
Inhibitorok Írta: Rauscher Ádám Bemutató: Kutsán György
5. GÁZLÉZEREK Lézeranyag: kis nyomású (0, Torr) gáz, vagy gázelegy Lézerátmenet: elektronszintek között (UV és látható lézerek) rezgési szintek.
Energiaellátás: Tárolás
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Szilárdságnövelés lehetőségei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Szilárdságnövelés lehetőségei
Készítette: Móring Zsófia Vavra Szilvia
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
CITROMSAV FELDOLGOZÁSA
TALAJVÉDELEM XI. A szennyezőanyagok terjedését, talaj/talajvízbeli viselkedését befolyásoló paraméterek.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
A levegőburok anyaga, szerkezete
Műszaki furnér gyártás
Speciális rétegelt termékek
KOLLOID OLDATOK.
Hősugárzás Radványi Mihály.
VEGYÉSZETI-ÉLELMISZERIPARI KÖZÉPISKOLA CSÓKA
HŐSUGÁRZÁS (Radiáció)
Agrár-környezetvédelmi Modul Talajvédelem-talajremediáció KÖRNYEZETGAZDÁLKODÁSI MÉRNÖKI MSc TERMÉSZETVÉDELMI MÉRNÖKI MSc.
Optikai rács kialakítása holográfiával
1 A napszélben áramló pozitív töltésű részecskék energia spektruma.
1 Pórusos szilícium struktúra kialakítása Bedics Gábor Ciszterci Rend Nagy Lajos Gimnáziuma, Pécs.
1 Mikrofluidika Atomi rétegleválasztás (ALD) Készítette: Szemenyei F. Orsolya Témavezető: Baji Zsófia
1 Mikrofluidika DIGITÁLIS és FOLYTONOS MIKROFLUIDIKA Szuperhidrofób felületek kialakítása és Áramlási folyamatok vizsgálata mikrorendszerekben (keveredés.
Elektronikus Eszközök Tanszék
Fotokróm anyagok Fotokromizmus fogalma Történeti áttekintés Szerves fotokrómok 1. Spiropiránok 2. Spirooxazinok 3. Benzo- és naftopiránok (kroménok)
5. GÁZLÉZEREK Lézeranyag: kis nyomású (0, Torr) gáz, vagy gázelegy Lézerátmenet: elektronszintek között (UV és látható lézerek) rezgési szintek.
Szennyvíztisztítás Melicz Zoltán Egyetemi adjunktus
MFA Nyári Iskola június Ádám Andrea 1 FOTÓLITOGRÁFIA Ádám Andrea Tamási Áron Elméleti Líceum, Székelyudvarhely Témavezetők: Vázsonyi Éva,
Rendezett cink-oxid nanorudak Készítette: Harmat Zita, Kodály Zoltán Magyar Kórusiskola – Budapest Mentorok: Erdélyi.
Móra Ferenc Gimnázium (Kiskunfélegyháza)
Optikai rács kialakítása holográfiával
BIOMIMETIKA – LÓTUSZ-EFFEKTUS
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Kártyás Bálint MFA nyári iskola Puskás Tivadar Távközlési Technikum
Készítette: Földváry Árpád
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Mikroelektronikába: technológiai eljárások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
DIAZÓ TÍPUSÚ FÉNYÉRZÉKENY RENDSZEREK
A Föld légkörének hőmérsékleti tartományai
Felbontás és kiértékelés lehetőségei a termográfiában
Készítette: Ónodi Bettina 11.c
CCD spektrométerek szerepe ma
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Technológia: alaplépések,
Nanotechnika az iparban és az autóiparban
Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra
Készítette: Baricz Anita - Áprily Lajos Főgimnázium, Brassó Gréczi László – Andrássy Gyula Szakközépiskola, Miskolc Csoportvezetők:dr. Balázsi Katalin.
Elektronikus Eszközök Tanszéke 2003 INTEGRÁLT MIKRORENDSZEREK MEMS = Micro- Electro- Mechanical Systems.
Elektronikus Eszközök Tanszék 1999 INTEGRÁLT MIKRORENDSZEREK MEMS = Micro- Electro- Mechanical Systems.
A FONTOSABB MÓDSZEREK:
7. Litográfiai mintázatkialakítási eljárások. Nedves kémiai maratás.
Nagyfeloldású Mikroszkópia Dr. Szabó István 9. Litográfia TÁMOP C-12/1/KONV projekt „Ágazati felkészítés a hazai ELI projekttel összefüggő.
Milyen tényezőktől függ az anyagok oldhatósága?
Nanotechnológiai kísérletek
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Előadás másolata:

MIKROÁRAMKÖRI TECHNOLÓGIÁK FOTÓLITOGRÁFIA Definíció: Ábrakészítés, mintázat átvitel Fotólakk optikai tulajdonságai Fotólakk kémiája,fotókémiai reakció mechanizmusa Fotólitográfiai műveletsor

A: aktív terület B:gate (vékony oxid + poliszilícium) C:kontaktus ablak D: fém kontaktus FET tranzisztor: a 60-as években

KONTAKTUS ABLAK MÉRETEK 2003

MINTÁZAT ÁTVITEL, MASZK MÁSOLÁS

KÉPÁTVITEL KONTAKT MÁSOLÁSSAL

KONTAKT ÉS PROXIMITY MÁSOLÁS FELBONTÓKÉPESSÉGE

PROJEKCIÓS PRINTER KÉPÁTVITELE A

POZITÍV FOTÓLAKK ÉRZÉKENYSÉGI GÖRBÉJE

MONOKROMATIKUS EXPONÁLÓ FÉNY INTENZITÁSA A LAKKRÉTEG MÉLYSÉGÉNEK FÜGGVÉNYÉBEN, REFLEKTÁLÓ FELÜLET ESETÉN

ÁLLÓHULLÁM EFFEKTUS (folyt.)

ÁLLÓHULLÁM EFEKTUS OKOZTA LAKKOLDALFALAK SZERKEZETE

EXPONÁLÓ FORRÁSOK

NAGYNYOMÁSÚ HIGANYGŐZLÁMPA EMISSZIÓS SPEKTRUMA

A POZITÍV FOTÓLAKK OPTIKAI TULAJDONSÁGAI

POZITÍV FOTOLAKK ELŐNYEI Általánosan használatos az IC iparban. • Jobb, mint a negatív fotólakk mert: – Nem változtatja az alakját az előhívásnál, – Alkalmas nagyfelbontásra, – Ellenáll a plazma-műveleteknek. POZITÍV FOTOLAKK ELŐNYEI

A FOTÓLAKK EGYIK ÖSSZETEVŐJE A FILMKÉPZŐ POLIMER

A FOTÓLAKK MÁSIK ÖSSZETEVŐJE AZ ÉRZÉKENYÍTŐ (MÁSNÉVEN INHIBÍTOR)

POZITÍV FOTOLAKKOK FELÜLETKÉMIAI TULAJDONSÁGAI, OLDHATÓSÁGA

A LAKK OLDHATÓSÁGA (folyt.)

A Hoechst és Shipley gyártmányú lakkok DQ szerkezete

POZITÍV FOTÓLAKK FŐBB KOMPONENSEI

A FÉNYÉRZÉKENYÍTŐ OPTIKAI TULAJDONSÁGAI

KÉPALKOTÁS - DILL EGYENLETEK

FOTÓLAKK EXPONÁLÁSA A Dill egyenletek megoldása éles átmenetet ír le az exponált és nem exponált él mentén A lakk mélyebb területein a fehér-fekete átmenet pozíciója változik A lakkábra oldalfalának dölésszöge nagymértékben függ az A, B és C Dill paraméterektől

FOTOLITOGRÁFIAI MŰVELETSOR 1. Megmunkálandó felület előkészítése 2. Lakkfelvitel 3. Lakkszárítás 4. Exponálás, előhívás 5. Lakkbeégetés 6. Megmunkálás a maszkoló folólakk mintázat segítségével 7. Lakkeltávolítás, tisztítás

C

2. LAKKFELÖNTÉS Fotólakk Lakk adagoló Felesleges lakk lepereg a forgás alatt Vacuum chuck Fordulatszám Lakkszárítás, formázás Lakk terítés Idő

- Lakkperem: Vastagság eltérés a kerület mentén LAKKFELÖNTÉS HIBÁI - Striation (bordázat): sugárirányú színes vonalak, 30nm vastagság eltérés - Lakkperem: Vastagság eltérés a kerület mentén 100-1000nm vastagság eltérés - Ellipszis alakú mintázat radiális irányban. Szilárd részecskék okozzák. Maszk szennyeződés

3. LAKKSZÁRÍTÁS (Soft bake) Lakkban megkötött oldószerek eltávolítása, a réteg tömörítése A hőciklus tipikusan 90-100C° konvekciós kályhában és 100-120Cº hot plate-en Iparban mikrohullámú és infravörös kályhás szárítás Hot plate használata előnyös, mert gyors, nem zárja be az elpárologtatandó oldószer útját, ellenőrízhető. (Jó termikus kontaktus, sík felület) oldószer fotolakk Hot plate chuck Si szelet

LAKKSZÁRÍTÁS ( SOFT BAKE) folyt. Pontos hőmérséklet-idő paraméter szükséges a lakkábra méretek reprodukálására A lakkvastagság kb 25%-al csökken Az előhívás ideje függ a hőmérséklet-idő paraméterektől Dissolution rate, nm/sec 400 300 200 100 Temperature, ºC 50 60 70 80 90 100

4. MASZKILLESZTÉS / EXPONÁLÁS / ELŐHÍVÁS Exponálás UV fénnyel, egyenletes megvilágítás Látens kép alakul ki Maszk: üveg hordozón króm bevonat Si szubsztrát Előhívás nedves kémiai úton NEGATÍV FOTOLAKK POZITÍV FOTOLAKK Afény hatására a lakk polimerizálódik, oldhatatlanná válik az előhívó oldattal szemben A fény hatására elbomlik az inhibítor, az előhívó oldat csak az exponált területet oldja ki i

MASZKILLESZTŐ BERENDEZÉS KERESZTMETSZETI KÉPE

MASZKILLESZTÉS

KONTRASZT FORDÍTÁS HÁROM KOMPONENSŰ POZITÍV FOTOLAKKAL

5. BEÉGETÉS, HARDBAKE Stabilizálja az előhívott mintázatot A plasztikus folyás mértéke a hőmérséklettől függ Eltávolítja az oldószer maradványokat Bizonyos fokú sztressz képződik a rétegben A lakkábra magasság-szélesség arányától függően változik a lakkábra laterális mérete Magasabb hőmérsékletű és hosszabb ideig tartó hőkezelés után nehezebb eltávolítani a lakkot

Észter képződés a meg nem világított lakkrétegben BEÉGETÉS, HARDBAKE Észter képződés a meg nem világított lakkrétegben

6. FOTÓLITOGRÁFIÁS ELJÁRÁSOK FAJTÁI Mintázat készítés történhet additív, vagy szubsztraktív módszerrel, vagyis: visszamarással,

és “lift off” módszerrel

7. LAKKELTÁVOLÍTÁS A nem beégetett, vagy alacsony hőmérsékleten beégetett lakkréteget és maradványai általában oldószerekben leoldhatók: -aceton - triklóetilén -fenol alapú u.n. sztripperek Plazma marás O2 plazmában, szerves maradványok eltávolítása N-metil-2pirolidon (magas hőmérsékletű beégetés) Füstölgő salétromsav(magas hőmérsékletű beégetés)