CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem Automatizálási Tanszék CMOS áramkörök

Michael Faraday 1833-ban azt tapasztalta, hogy az ezüstszulfid ellenállása csökken a hőmérséklet növelésével. CMOS áramkörök

A bipoláris tranzisztor-hatás felfedezése 1956-ban Shockley, Bardeen és Brattain fizikai Nobel-díjat kaptak a tranzisztor-hatás felismeréséért. Tény, hogy szigetelt elektródán keresztül történő térvezérléssel vezetőképesség modulációt kívántak megvalósítani, de az akkor a felületi állapotok árnyékoló töltése miatt akkor még nem sikerülhetett. CMOS áramkörök

A planár technológia, szilíciumon A felületi állapotok töltése nagyságrendekkel csökkenthető, ha a szilícium felületére saját anyagából, termikusan növesztünk jól szigetelő SiO2 szilícium-dioxidot. 1959.ben Jean A. Hoerny, (Fairchild) ezzel megteremtette a forradalmi jelentőségű PLANAR technológiát. CMOS áramkörök

Az első integrált áramkör. FAIRCHILD, 1959. 1959-ben Robert Noice, szintén a Fairchild cégnél megvalósítja az első integrált áramkört, szilíciumon, planár technológiával. CMOS áramkörök

A 8080 mikroprocesszor 40 lábú DIL (Dual in Line) kerámia tokban. 1974-ben az Intel piacra dobja az első 8-bites mikroprocesszort, a 8080 típusjelzésű csipet. Ez 6000 szigetelt elektródájú, térvezérlésű n-csatornás MOSFET-t tartalmaz, 6-mikronos vonalfelbontással. A processzor számítási teljesítménye 0.64 MIPS. CMOS áramkörök

A mikroprocesszor történet néhány további métföldköve - 1976 : Zilog : Z-80, 8-bites mikroprocesszor, egyszer +5 V tápfeszültséggel - 1979: Zilog : a 16-bites Z-8000 Számunkra fontos tény, hogy 1980-ban a magyar LSI-Társulás megvalósítja az első (és egyben utolsó) magyar mikroprocesszort CMOS áramkörök

A CMOS struktúra n+, p+ : erősen adalékolt régiók, p - : gyengén adalékolt p típusú hordozó CMOS áramkörök

Áramvezetés félvezető anyagokban (szilíciumban) CMOS áramkörök

Kovalens kötés elektronikus tisztaságú szilícium-kristályrácsban CMOS áramkörök

Termikus generáció-rekombináció tiszta szilíciumban CMOS áramkörök

N-típusú adalékolt szilícium CMOS áramkörök

P-típusú, adalékolt szilícium CMOS áramkörök

Diffúziós áram inhomogén adalékolású szilíciumban CMOS áramkörök

Sodródási áram

Átmenet egyensúlyi állapotban CMOS áramkörök

A MOSFET sémája és alapelve (n-csatornás, növekményes) CMOS áramkörök

A MOSFET áram-feszültség karakterisztikáinak kvalitatív magyarázata, ábrákkal CMOS áramkörök

A trióda tartomány lineáris szakasza: ID = k (VGS – VT) VDS A hosszú csatornájú , pl. 10 x 10 mikrométer négyzetes MOSFET áram-feszültség karakterisztikáinak egyszerű, szakaszos képletei, mérés alapján történő közelítéssel (MODEL-1) A trióda tartomány lineáris szakasza: ID = k (VGS – VT) VDS A trióda tartomány telítési (szaturációs) tartomány felé tartó szakasza: ID = k ((VGS – VT) VDS – ½ VDS2) Inverzió, a telítési (szaturációs) tartományban: IDSsat = k/2 V2DSsat = k/2(VGS – VT)2 VDSsat = VGS – VT CMOS áramkörök

Ha VE = VGS-VT > 0 és VDS < VE A rövid csatornájú , pl. 0.1 x1 mikrométer-négyzetes MOSFET áram-feszültség karakterisztikáinak egyszerű, szakaszos képletei, mérés alapján történő közelítéssel, az effektív gate-feszültség (VE) bevezetésével (MODEL-3) Ha VE = VGS-VT > 0 és VDS < VE akkor a MOSFET trióda szakaszban van, és ID = k((VEVDS – ½ V2DS ) Ha VE > 0 és V*DS = VE akkor a MOSFET telítési határhelyzetbe van, és I*D = k/2(V*DS)2 = k/2(VE)2 Ha VE > 0 és VDS > V*DS = VE ID= I*D ( 1 + λ(VDS - V*DS)) = k/2(VE)2 ( 1 + λ(VDS - VE)) CMOS áramkörök

k = ? n-csatornás eszköze esetén: k = βn = μn cox (W / L) μn ~ 400 cm2/Vs cox = (εo εsio2) / Tox = (8.86 x10-14 F/cm x 12) / 10 x 10 -7cm = 1.06 x 10-5 F/cm2 = 1.06 x 10 -13 F/um2 = 0.106 pF/um2 ~ 100 fF/um2 p-csatornás eszköz esetén: k = βp= μp Cox (W / L) μp ~ 200 cm2/Vs CMOS áramkörök

Egy kicsit pontosabban! CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

Inverzió Ups = 2 Up CMOS áramkörök

A MOSFET inverzióban, kis pozitív VDS feszültségnél W L CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

FLAT-BAND feszültség CMOS áramkörök

Az áram CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

A telítés (saturation) határa CMOS áramkörök

TELÍTÉSBEN CMOS áramkörök

Az n-fet áram-feszültség karakterisztikák modelljének összefoglalása CMOS áramkörök

p-fet CMOS áramkörök

TECHNOLÓGIA CMOS áramkörök

C-MOS technológia 1. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 2. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 3. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 4. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 5. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 6. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 7. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 8. CMOS áramkörök

C-MOS technológia 9. CMOS áramkörök

1. Gyakorlati feladat Az ‘mw2’ program segítségével vizsgáljuk meg egy 10/10 mikrométeres n- és p- csatornás MOSFET karakterisztikáit ! Hasonlítsuk össze a legegyszerűbb LEVEL1 és a legfejlettebb, BERKELEY (BSIM4) modelleket. CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

N-CSATORNÁS MOSFET (n-MOS, n-FET) CMOS áramkörök

Az n-MOSFET karakterisztikái CMOS áramkörök

A p-MOSFET struktúrája és szimbólumai CMOS áramkörök

A p-MOSFET karakterisztikái CMOS áramkörök

Az n-MOSFET magas szint átvitelének mérése CMOS áramkörök

Az n-MOSFET alacsony szint átvitelének mérése CMOS áramkörök

A p-MOSFET magas szint átvitelének mérése CMOS áramkörök

A p-MOSFET alacsony szint átvitelének mérése CMOS áramkörök

Az átvivőkapu, vagy transmission gate CMOS áramkörök

2. Gyakorlati feladat Hozzuk létre a logikai szintátvitel mérés layout szinten, és a beépített SPICE segítségével vizsgáljuk a szint-átviteleket struktúráit az mw2 segítségével! Vizsgáljuk az n-csatornás, a p-csatornás és a CMOS kapcsolót ! CMOS áramkörök

A C-MOS INVERTER CMOS áramkörök

Duális ágú CMOS inverterek és kapuk tulajdonságai CMOS áramkörök

Az inverter statikus transzfer karakterisztikájának VDD függése CMOS áramkörök

A statikus transzfer karakterisztika és a komparálási szint CMOS áramkörök

Inverterlánc regeneratív tulajdonsága CMOS áramkörök

3. Gyakorlati feladat Tervezzünk CMOS invertert az mw2-be beépített layout-kompilátorral! Vizsgáljuk a DC-transzfer karakterisztika és az áramok tápfeszültség-függését! CMOS áramkörök

A MOSFET nemlineáris kapacitásai CMOS áramkörök

Modell a felfutási és lefutási idő számításához CMOS áramkörök

A lefutási folyamat kisütő áramának függése a terhelő kapacitás feszültségétől CMOS áramkörök

A tranziens idők közelítő számítása Közelítés : áramgenerátoros kisütés ID Tf = CL VDD Tf = (CLVDD ) / (( unWCox / 2L) ( VDD - VTn )2) Szimmetrikus inverterre : Tr = Tf CMOS áramkörök

4. Gyakorlati feladat Hozzunk létre inverter-párt, és vizsgáljuk a tranzienseket, illetve a pár-késleltetést a beépített SPICE szimulátorral! Építsünk fel 5 fokozatú RING-oszcillátort, és mérjük meg a periódus-időt! CMOS áramkörök

Duális terhelésű CMOS kapuk (NAND). Y = A . B CMOS áramkörök

Duális terhelésű CMOS kapuk (NOR). Y = A + B CMOS áramkörök

CMOS kapuk tervezése CMOS áramkörök

Duális terhelésű CMOS kapuk (KOMPLEX) Y = A.B + C CMOS áramkörök

5. Gyakorlati feladat Kompiláljunk különféle két-bemenetű Kapukat (NAND-2, AND-2, NOR-2 OR-2), és három bemenetű komplex kapukat! Értékeljük a kompilátor működését! CMOS áramkörök

6. Gyakorlati feladat Tervezzünk 1 bites komparátort, és bővítsük 4 bitessé! Verifikáljuk a beépített SPICE szimulátorral! CMOS áramkörök

Hogyan csináljunk gazdaságos helykihasználással sokbemenetű kapukat? A nagy probléma Hogyan csináljunk gazdaságos helykihasználással sokbemenetű kapukat? Például : többszáz bemenetű CMOS NOR kaput hogyan lehet úgy csinálni, hogy a többszáz sorba kapcsolt p-csatornás eszköz óriási ellenállását kompenzáljuk úgy, hogy a komparálási szint középen maradjon? CMOS áramkörök

Bevezetés a passzív terhelésű CMOS kapuk bemutatásához Bevezetés a passzív terhelésű CMOS kapuk bemutatásához. Az n-csatornás inverterek. CMOS áramkörök

Kvázi n-csatornás CMOS inverter CMOS áramkörök

Kvázi p-csatornás CMOS inverter CMOS áramkörök

A passzív terhelésű kapuk hátrányai Torzított logikai szintek Aszimmetria a fel- és lefutási idő között 3. Valamelyik logikai szinten van statikus fogyasztás CMOS áramkörök

7. feladat: Tervezzünk 8 bemenetű kvázi-n NOR kaput Vomax = 0. 1 V-ra 7. feladat: Tervezzünk 8 bemenetű kvázi-n NOR kaput Vomax = 0.1 V-ra. (0.35 CMOS, Vdd = 3 V) CMOS áramkörök

8. feladat: Tervezzünk 8 bemenetű kvázi-p NAND kaput V1min = 2. 9 V-ra 8. feladat: Tervezzünk 8 bemenetű kvázi-p NAND kaput V1min = 2.9 V-ra. (0.35 CMOS, Vdd = 3 V) CMOS áramkörök

Kapcsolt terhelésű kvázi n-csatornás CMOS inverter Csak átmenetileg folyik áram VDD – GND áram CMOS áramkörök

Kapcsolt terhelésű kvázi p-csatornás CMOS inverter Csak átmenetileg folyik VDD-GND áram CMOS áramkörök

9-10.feladat : Alakítsuk át a korábban megtervezett kapukat kapcsolt terhelésű kapukká, és vizsgáljuk a működésüket! CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

Kvázi n- P.E. inverter CMOS áramkörök

Kvázi p- P.E. inverter CMOS áramkörök

Kvázi n- P.E. kapuk CMOS áramkörök

Kvázi-p P.E. kapuk CMOS áramkörök

11. feladat. Tervezzünk a megfelelő mw2-es kétbemenetű kapu layoutjának módosításával kvázi-n és kvázi-p invertereket és kétbementű kapukat ! Hogyan választjuk ki az átalakításra legalkalmasabb duális ágú kapukat? CMOS áramkörök

DOMINO-LOGIKÁK CMOS áramkörök

Két kvázi-n P.E. pár Nem működik! CMOS áramkörök

Szimulációs kisérlettel lássuk be, hogy az egynemű P-E inverterek és kapuk nem képesek egymást megfelelő logikai szintekkel meghajtani! Magyarázzuk meg, miért rossz ez a páros! CMOS áramkörök

DOMINÓ inverter-kettős CMOS áramkörök

11. feladat. Tervezzünk a kv-n és kv-p inverterekből dominó párt, és igazoljuk a működőképességet kísérlettel. Magyarázzuk meg, miért jó ez a páros! CMOS áramkörök

Logikai függvények NOR-NOR-INV realizációja (MÁTRIXOK) CMOS áramkörök

A XOR és XNOR NOR-NOR-INV realizációi CMOS áramkörök

Kettős-matrix sémája CMOS áramkörök

„double_matrix.sch” CMOS áramkörök

Az átvivő-kapu alkalmazásai 12. feladat. Az mw2 program kompilációs lehetőségét kihasználva tervezzünk transmission-gate egységet! CMOS áramkörök

Az átvivő-kapu alkalmazásai: Kvázistatikus latch CMOS áramkörök

Dinamikus D-latch CMOS áramkörök

Nem-átlapolt kétfázisú órajel CMOS áramkörök

Kétfázisú MASTER-SLAVE flip-flop CMOS áramkörök

Kvázistatikus kétfázisú MS flip-flop CMOS áramkörök

Dinamikus, kétfázisú M-S flip-flop CMOS áramkörök

13. feladat. Tervezzünk kvázstatikus D tárolót 13. feladat. Tervezzünk kvázstatikus D tárolót! Tervezzünk kvázistatikus D-MS flip-flopot! Tervezzünk dinamikus, kétfázisú D-MS flip-flopot! CMOS áramkörök

ÁTVIVŐ-kapu alkalmazása XOR és XNOR áramkörökben CMOS áramkörök

Tervezzünk transzfer-kapuból kialakított XNOR vagy XOR kaput! 14. gyakorlat Tervezzünk transzfer-kapuból kialakított XNOR vagy XOR kaput! Tervezzünk 1-bites összeadót ezek felhasználásával! CMOS áramkörök

S-R és D-G tárolók CMOS áramkörök

15. gyakorlat. Tervezzük meg az alábbi VHDL-DF modell szerinti élvezérelt D-LATCH áramkör logikai sémáját (DSCH3.5), majd LAYOUT- ját! Ebből tervezzünk élvezérelt D-MS flip-flopot is! CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

CMOS áramkörök

STATIKUS RAM CELLA CMOS áramkörök

Szószervezésű RAM memória CMOS áramkörök

Három állapotú tároló bemenetek- kvázistatikus latch beírása több forrásból. A beírások ph1-vel szinkronizálva, a tartás minden ph2-re. CMOS áramkörök

Három állapotú inverterek és bufferek (belső sínek és kimenetek meghajtására). CMOS áramkörök

A háromállapotú inverter logikai sémája (DSCH3.5) CMOS áramkörök

Kétirányú, háromállapotú kimenet CMOS áramkörök

16. gyakorlat: Tervezzünk kimeneti buffert kb 10-es belső dinamikus fanout feltételezésével 100-as dinamikus fanout-nak megfelelő külső kapacitív terhelésre! CMOS áramkörök

CMOS elemek késleltetés-érzéketlen aszinkron hálózatokban CMOS áramkörök

MÜLLER-C elemek : MC-2 NAND kapukkal Y’ = X1 .X2 + X1 Y + X2 Y CMOS áramkörök

17. gyakorlat Tervezzük meg a DSCH továbbfejlesztett MOSFET szimbólumaival a speciális CMOS MC-2 áramkört, a .v eredményt transzformáljuk át VHDL leírássá, és szimuláljuk a kapott modellt! CMOS áramkörök

MC-2 NAND-kezdemény,NAND kapukból, LAYOUT CMOS áramkörök

Kétbemenetű Müller-C CMOS kapcsolókkal CMOS áramkörök

MC-2, CMOS tranzisztorokból CMOS áramkörök

Bemenet-teljes (3-2) dekóder CMOS áramkörök

Teljesség detektor (3 – 2) CMOS áramkörök

Nem HD-re épített teljesség-detektor (3-2) CMOS áramkörök

Kapcsolószintű logikai szimuláció I. Az ASIC tervezés válfajai: Egyedi (FULL-CUSTOM) Cellakönyvtáras (CELL-LIBRARY) Kapumátrixos (GATE-ARRAY) Primitívek (levelek) A Full-Custom tervezés primitívjei a MOSFET-k A cellakönyvtáras tervezés primitívjei a logikai cellák (kapuk, tárolók) Kapumátrixos tervezés primitívjei a logikai cellák (kapuk, tárolók) CMOS áramkörök

18. gyakorlat A továbbfejlesztett DSCH szimbólumokkal tervezzünk : Kvázistatikus LATCH áramkört, Kvázi-n, passzív terhelésű 2 bemenetű NOR kaput, 3. Kvázi-p, passzív terhelésű 2 bemenetű NAND kaput, 4. Tr-gate-ből kialakított XOR áramkört. Az egységeket VHDL modellként szimuláljuk. CMOS áramkörök

Az alulról felfelé építkező Full-Custom tervezés folyamata CMOS áramkörök

Kapcsolószintű logikai szimuláció CMOS áramkörök

type nnewbit is ( Z, w0, w1, s0, s1, '0', '1', U); subtype newbit is resolved nnewbit; CMOS áramkörök

function resolved ( srcs : nnewbit_vector) return nnewbit is variable num0, num1, s0num , s1num, w0num, w1num, znum, unum : natural := 0; variable v : newbit := Z; begin for i in srcs'range loop if srcs(i) = '0' then num0 := num0 + 1; elsif srcs(i) = '1' then num1 := num1 + 1; elsif srcs(i) = s0 then s0num := s0num + 1; elsif srcs(i) = s1 then s1num := s1num + 1; elsif srcs(i) = w0 then w0num := w0num +1; elsif srcs(i) = w1 then w1num := w1num +1; elsif srcs(i) = Z then znum := znum + 1; else unum := unum + 1; end if; end loop; CMOS áramkörök

elsif unum = 0 and num0 = 0 and num1 > 0 then v := '1'; if unum > 0 then v := U; elsif unum = 0 and num0 = 0 and num1 > 0 then v := '1'; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 > 0 then v := '0'; elsif unum = 0 and num1 > 0 and num0 > 0 then v := U; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num > 0 and w1num = 0 then v := w0; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num = 0 and w1num > 0 then v := w1; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num = 0 and w1num = 0 and s1num = 0 and s0num > 0 then v := s0; elsif unum = 0 and num1 = 0 and num0 = 0 and w0num = 0 and w1num = 0 and s1num > 0 and s0num = 0 then v := s1; elsif unum = 0 and znum = srcs'length then v := Z; else v:= Z; end if; return v; end resolved; CMOS áramkörök

library work; use work.newnstd.all; entity nfet is port ( S : in newbit; D : inout newbit; G : inout newbit; nSUB : in newbit); end; architecture BEH of nfet is begin G <= s1 when (G = '1' or G = w1) else s0 when (G = '0' or G = w0) else Z after 100 ns when G = s1 or G = s0 else Z; CMOS áramkörök

s0 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '0' or D = w0) and D <= S after 100 ps when (nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and (S = '0' or S = w0 or S = w1 or S = Z)) else w1 after 100 ps when (nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and S = '1') else s0 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '0' or D = w0) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else s1 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '1' or D = w1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else Z after 10 ns when ((D = s0 or D = s1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0) and nSUB = '0' ) else Z after 100 ps when ( nsub = '0' and S = Z) else U after 100 ps when G = Z else U after 100 ps when nSUB /= '0' else Z; end BEH; CMOS áramkörök

architecture BEH of R_nfet is begin G <= s1 when (G = '1' or G = w1) else s0 when (G = '0' or G = w0) else Z after 100 ns when G = s1 or G = s0 else Z; D <= w0 after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U) and S = '0' else w1 after 100 ps when nSUB = '0' and S = '1' else U after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U)and (S = w0 or S = U ) else CMOS áramkörök

U after 100 ps when nSUB = '0' and (G = '1' or G = w1 or G = s1 or G = U)and (S = w1 or S = U) else s0 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '0' or D = w0) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else s1 after 100 ps when (nsub = '0' and (D = '1' or D = w1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0)) else Z after 10 ns when ((D = s0 or D = s1) and (G = '0' or G = w0 or G = s0) and nSUB = '0' ) else Z after 100 ps when ( nsub = '0' and S = Z) else Z after 100 ps when (nsub = '0' and G = Z ) else U after 100 ps when nSUB /= '0' else Z; end BEH; CMOS áramkörök

( CNODE : inout newbit); end; architecture BEH of CAPAC is begin entity CAPAC is port ( CNODE : inout newbit); end; architecture BEH of CAPAC is begin CNODE <= s1 when CNODE = '1' or CNODE = w1 else s0 when CNODE = '0' or CNODE = w0 else Z after 100 ns when CNODE = s1 or CNODE = s0 else Z; end BEH; CMOS áramkörök

Bemenetek és kimenetek védelme statikus feltöltődés és túlfeszültség ellen. CMOS áramkörök

Védődiódák CMOS áramkörök

INPUT/OUTPUT védelemmel CMOS áramkörök

Bevezetés az analóg CMOS tervezésbe CMOS áramkörök

Szimulátorok analóg tervezéshez A BERKELEY-SPICE IPARI/KERESKEDELMI VÁLTOZATAI: A MICROSIM CÉG PSPICE PROGRAMJA PC-RE A CADENCE CÉG IC TERVEZŐJE AZ OPUS/SPECTRE A MENTOR-GRAPHICS CÉG ELDOD SZIMULÁTORA A LINEAR TECHNOLOGY CÉGTŐL AZ LTSPICE CMOS áramkörök

Hálózat-analízis (szimuláció) programok szolgáltatásai DC analízis (munkapontok kiszámítása) Kisjelű AC analízis (frekvenciafüggés) harmonikus és négyszög-gerjesztéssel Nagyjelű tranzisens analízis A szimulálandó modell tervezése egyszerű eszközmodelleken alapuló méretezéssel történik. CMOS áramkörök

Lineáris ellenállások - Poliszilícium : 10 ohm/square - Speciális szilicid : 100 ohm/square n- és p- diffúziós csíkok : 100 ohm/square Ezek igen kis értékek, csak kis ellenállások, például bemeneti áram-korlátozás) megvalósítását teszik lehetővé. Gyakori layout alakzat a meander. CMOS áramkörök

Nemlineáris ellenállások MOSFET eszközökkel Ha a VGS = VDS, akkor mindkét MOSFET telítési módban működik, és nemlineáris ellenállást valósít meg. Ha a W kicsi, és az L nagy, nagy ellenállású eszközök valósíthatók meg. Tervezzünk ilyen ellenállásokat! Például n-MOSFET, W = 1.0 , L = 10 mikron CMOS áramkörök

19. gyakorlat. Mérjük meg becsléses pontossággal az n-MOSFET és a p-MOSFET csatornák négyzetes ellenállását egy effektív RC időállandó mérésével CMOS áramkörök

p+-n átmenet kapacitása : n+ - p átmenet kapacitása : 20. gyakorlat. Mérjük meg becsléses pontossággal a következő felületegységre (/um2) kapacitásokat, RC időállandó mérésének segítségével poly1-poly2 kapacitás : p+-n átmenet kapacitása : n+ - p átmenet kapacitása : fém1-fém2 kapacitás : - n-MOSFET kapacitás : - p-MOSFET kapacitás : CMOS áramkörök

Diszkrét n-MOSFET földelt-forrású erősítő CMOS áramkörök

Nemlineáris p-MOSFET terhelésű erősítő CMOS áramkörök

Szimmetrikus kimenetű differenciálk-erősítő CMOS áramkörök

Aszimmetrikus kimenetű differenciál erősítő CMOS áramkörök

21. gyakorlat. A microwind beépített SPICE szimulátora segítségével oldjuk meg a négy bemutatott erősítőre felírt egyenleteket! CMOS áramkörök