Logikai alapkapcsolások

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Műveleti erősítők.
Advertisements

Dr. Turóczi Antal Digitális rendszerek Dr. Turóczi Antal
Digitális elektronika
A MÉRŐESZKÖZÖK CSOPORTOSÍTÁSA
CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem
Digitális technika alapjai
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Digitális rendszerek II.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
A bipoláris tranzisztor III.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
A bipoláris tranzisztor II.
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Elektrotechnika 3. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Erősítők.
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
Fázishasító kapcsolás Feszültségerősítések Au1 Au2 Egyforma nagyság
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Cim Design flow, production flow, maszkok, technológia Tervezési szabályok, lambda. Pálcika diagram, alap layoutok Layout tervezés, P&R.
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
Aktív villamos hálózatok
STABILIZÁLT DC TÁPEGYSÉG
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Villamos teljesítmény, munka, hatásfok
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
1 TÁROLÓ ÁRAMKÖRÖK TAKÁCS BÉLA Mi történik, ha két invertert az alábbi módon összekapcsolunk? Ki1/Be2 Ki2/be A kapcsolásnak.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Programozható áramkörök
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Jelkondicionálás.
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

Logikai alapkapcsolások Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János, Székely Vladimír 2004 április

Digitális alapáramkörök Főleg MOS megoldások Alapelem az inverter A legalapvetőbb logikai elem (fázisfordító erősítő, lényegében a tápfeszültségig kivezérelve). Alap kapuáramkörök Komplex kapuk valamennyi az inverterből származtatható (örökli az inverter alaptulajdonságait: logikai szintek, kapcsolási idők).

Bevezetés: mit kell “tudnia” egy kapuáramkörnek? UBE1 UBE2 UKI=f(UBE1,UBE2,UBE3) UBE3 Huzalozott “OR” kapu ! UBE1 UBE2 UKI=UBE1+UBE2+UBE3 UBE3 UBE UKI=UBE

Többszintű kapcsolás: kimenet-bemenet szétválasztása A megoldás: + egy erősítő (inverter) =DTL (Diode-Transistor-Logic) “NAND” kapu UBE1 UKI=UBE1UBE2 UBE2 Y=AB UBE1 Az elválasztás túl jól sikerült: nem tudja fogadni a következő fokozat áramát ! A UKI=UBE1UBE2 UBE2 B “AND” kapu

A bipoláris TTL NAND kapu multiemitteres tranzisztor +fázishasító, totem-pole kimenettel UCC= 5 V 5 UKI A Y=AB 0.7 V UBE B 0.7 V

A bipoláris TTL NAND kapu UCC= 5 V A Y=AB 0.7 V B 0.7 V

A bipoláris TTL NAND kapu UCC= 5 V A Y=AB UBE =UCES0~0 B UBE~0

Schottky TTL STTL Schottky TTL LSTTL Low power Schottky TTL FTTL Fast Schottky (oxid szigetelés) HCTTL a megszokott TTL típusszámok, de belül MOS áramkörökkel

Az inverter, alapfogalmak Transzfer karakterisztika: ideális és valós A kimeneti jel logikailag a bemeneti jel invertáltja

Az inverter, alapfogalmak Zavarvédettség A karakterisztika 3 szakaszból áll. A két szélső szakasz laposan fut, azaz a bemeneten lévő feszültségváltozások csak nagyon kis változást okoznak a kimeneten: erős nemlinearitás ! PÉLDA: 74HC00, Vdd=3V, ULM=0.9 UHm=2.1V

Az inverter, alapfogalmak Jel-regeneráló képesség: a középső szakasz meredekségétől (feszültségerősítés) függ Ube1 Ube2 Ube3 Uki Uki2 Uki1 Uki3 |derivált|<1, konvergencia |derivált|>1, divergencia, ez a jó ! Ube2 Ube1 Ube3

Az inverter, alapfogalmak Jel-regeneráló képesség UL=0V, UH=5V (SPICE szimuláció) U3-nak láthatóan a szintje is és a jelalakja is regenerálódott!

Az inverter, alapfogalmak Komparálási feszültség Az a határ, ami alatt 0 szintté és ami felett logikai 1 szintté regenerálja az inverterlánc a jelet. Az és a karakterisztika metszéspontja, (az egyenlet megoldása) UK

Az inverter, alapfogalmak tdL 90% 10% tdH tpd nehezen definiálható, ráadásul a fel és lefutáshoz tartozó késleltetés különböző lehet (jelalakfüggő). Lehetséges definíció pl. tpdHL=a bemenet 0-1 váltásánál az UHm szint elérésétől a kimenet ULH szint eléréséig, vagy a jelváltás 10%-90% értéke között.

Az inverter, alapfogalmak

Az inverter, alapfogalmak A párkésleltetés mérése: Ring oszcillátor páratlan számú inverter láncba kapcsolva, nincs stabil állapota, T periódusidővel oszcillál.

Az inverter, alapfogalmak Teljesítmény (P) - késleltetés () szorzat (P) Mindkét érték csökkentése a jobb minőségre utal, így a szorzat egy áramkörtípus minőségi mérőszámának tekinthető. Szemléletesen: az a minimális energia, ami 1 bit információ egy feldolgozási lépéséhez szükséges.

MOS inverter, konstrukciók A MOS inverter 2 tranzisztorból áll, terhelő (load) és meghajtó tranzisztor (driver) passzív terhelésű inverterek: csak az egyik tranzisztor vezérelt, a másik tranzisztort kétpólusként, nemlineáris ellenállásként használjuk. aktív terhelésű: mindkét tranzisztor vezérelt ? UDD UKI UBE

Trióda terhelésű és telítéses inverterek (múlt) UGG UDD UDD kicsi Aránytípusú inverterek VT UKI UKI UDS nagy UBE UDS UBE UGS UGS

MOS inverter kiürítéses terheléssel A load tranzisztor egy olyan nMOS tranzisztor, aminek a küszöbfeszültségét ionimplantációval 0V-nál kisebbre állították be, ezért Ugs=0V esetén is vezet. UDD UDS UKI UBE UDS UGS Passzív, ellenállásként használjuk... Intel 8080

MOS inverter kiürítéses terheléssel UBE=UGS UKI=UDS (driver) UDD UDD A transzfer karakterisztika szerkesztése : UKI VT UBE UDS 1 2 3 4 5 UGS =UBE Aránytípusú inverter 4 5 3 2 1 =UKI Z 80, PC: 286

Kiürítéses tipusú MOS inverter Az átkapcsolási tranziens: Az átkapcsolási idő arányos a terhelő kapacitással és fordítottan arányos az ezt töltő-kisütő árammal.A karakterisztikából látszik, hogy jó inverterek esetén (Y közel az origóhoz) a H-L átmenet gyorsabb, mint az L-H átmenet.

Kapuáramkörök kialakítása NOR kapu: az inverterhez képest a driver tranzisztorral párhuzamosan van kötve egy másik tranzisztor ha mindkét bemenet 0, akkor a két alsó tranzisztor lezár, a load tranzisztor a kimenetet logikai 1 szintre húzza fel Ha valamelyik bemenet 1, akkor az a tranzisztor kinyit, és a kimenet 0 lesz A tranzisztorok száma tetszőlegesen növelhető, de a túl sok meghajtó (driver) tranzisztor rontja a kapcsolási időket.

Kapuáramkörök kialakitása NAND kapu a tranzisztorok sorba kapcsolódnak, áram csak akkor folyik, ha valamennyi tranzisztor bekapcsolt állapotban van gyakorlatban max 3..4 bemenetű A tranzisztorok száma azert nem növelhető tetszőlegesen, mert a túl sok meghajtó (driver) tranzisztor rontja az erősítést (a W/L viszonyokat).

Kapuáramkörök kialakitása LAYOUT

Kapuáramkörök kialakítása KOMPLEX KAPUK A MOS áramkörök előnye, hogy bonyolultabb logikai függvények is kialakíthatók egyetlen kapu formájában (4+3+3)+4+2= 16 tranzisztor, 3 kapukésleltetés 7 tranzisztor, 1 kapukésleltetés A komplex kapu kevesebb alkatrészt tartalmaz és gyorsabb. A tervezés elve: a kimenet akkor és csak akkor 0, ha a kimenet és a föld között van áramút, ahol minden tranzisztor vezet. a megvalósított logikai függvény ezen utak vagy kapcsolata.

Kapuáramkörök kialakítása Milyen logikai függvényt valósít meg a komplex kapu? N bemeneti jel: N+1 tranzisztor 4 áramút van (huzalozott „OR”), a kimenetet a bemenettől a gate-oxid választja el.

CMOS kapuk UDD ++UDD P csatornás, növekményes “1” UKI UKI UBE UDS N csatornás, növekményes “0” UGS ID UKI Egymásbavezetés: UDD>VTn+(-VTp) VTp VTn UGS= UBE PC: 386-tól UDD

Potenciálok és munkapontok az átkapcsolás során UBE-UDD =UGSp =-5 UBE =UGSn =5 ID UKI UDS UBE ++UDD UGSp -4 4 -3 3 -2 UGSn 2 -1 1 UDS ++UDD

UDD -(-VTp) < UBE < VTn Egymásbavezetés: UDD>VTn+(-VTp) a kimenetre a feszültség adott, valamelyik tranzisztor (vagy mindkettő) nyitva van. UKI VTp VTn UGS= UBE UDD Egymásbavezetés megszűnik, ha: UDD<VTn+(-VTp), egyszerre csak az egyik tranzisztor vezethet, vagy egyik sem, ez a UKI nagy impedanciájú állapot: UDD -(-VTp) < UBE < VTn a kimeneten a feszültséget nem a kapu kényszeríti. UGS= UBE UDD VTn VTp

CMOS keresztmetszete

A p vezetéses tranzisztorokat kétszeres W/L értékkel valósították meg CMOS inverterek Be UDD A p vezetéses tranzisztorokat kétszeres W/L értékkel valósították meg Ki GND

A CMOS áramkör fogyasztása Töltéspumpálás Kiegyenlített kapcsolási idők ++UDD =3.3V UKI CL =0.01 pF UGS +UDD csökkentése: P négyzetesen csökken, határ: VT f UBE =109 P=10-14 x 11 x 109=110 mikrowatt

CMOS kapuáramkörök A B Ki Ki C A A A B B B Ki=A+B Ki=(A+B)C N bemeneti jel: 2N tranzisztor A p csat. B Ki Ki C A A A n csat. B B B Ki=A+B Ki=(A+B)C Ha az n vezetéses tranzisztorok hálózata vezet, akkor a p vezetéses tranzisztorok hálózata nem vezet. (logikai függvény) (logikai függvény duális hálózata) p vezetéses tranzisztorok: kétszeres W/L érték

CMOS változatok Pszeudo-nMOS: CMOS technológiával UBE =UGSn =5 ++UDD ID UKi UGSp =-5 4 UBE 3 N bemeneti jel: 2N helyett N+1 tranzisztor 2 1 UDS=UKi ++UDD

Transzfer kapuk UKi=UBE-VT UBE Jelterjedés: mindkét irányba, lezárt tranzisztor(ok): nagy impedanciájú állapot. Clock UKi =UBE UBE Clock

Multiplexer áramkör transzfer kapukkal D0 A0 D1 A1 UKi =D0… D3 adatbit, az A cím bitjeinek megfelelően A0 D2 A0 D3 A1 A0

Órajellel vezérelt CMOS N bemeneti jel: 2N+2 tranzisztor Clock Clock

Dinamikus inverter (NMOS) Nem aránytípusú, nagy lehet a töltőáram is ! Előtöltés, kisütés, előtöltés, kisütés ++UDD ++UDD f1 f1 f3 f2 f2 f4 f3 UBE UKi f4 t

Input pad: sztatikus töltések elleni védelemre MOS I/O áramkörök Input pad: sztatikus töltések elleni védelemre Pad Output pad: áram meghajtás a kimenetet terhelő kapacitások gyors feltöltésére Core

MOS I/O áramkörök Pad Input pad: védelem Védő diódák (elektrosztatikus feltöltõdés, a gate védendő) Védő diódák (optikai mikroszkópiás kép)

(pásztázó elektron-mikroszkópos kép) MOS I/O áramkörök Bemeneti védelem (pásztázó elektron-mikroszkópos kép) Védő diódák

Kimeneti áram-meghajtó (optikai mikroszkópiás kép) MOS I/O áramkörök ++UDD UKi UBE Bemenet Kimeneti áram-meghajtó két soros inverterrel Kimenet (optikai mikroszkópiás kép)

Kimeneti áram-meghajtó Elektron-mikroszkópos felvétel MOS I/O áramkörök Kimeneti áram-meghajtó két soros inverterrel Bemenet Kimenet ++UDD UKi UBE Elektron-mikroszkópos felvétel

NMOS vonalmeghajtó ++UDD VTn UKi Uki< UDD-VTn UBE

CMOS vonalmeghajtó, háromállapotú kimenettel ++UDD Valamelyik tranzisztor nyitva: 0-1 állapotok kényszerítve. Nagy impedanciájú állapot: mindkét tranzisztor lezárva. NOR Ki BE Enable=1, a kimenet lebeg.