MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
Váltóállítás egyedi inverterrel
Advertisements

Dr. Turóczi Antal Digitális rendszerek Dr. Turóczi Antal
Digitális elektronika
A MÉRŐESZKÖZÖK CSOPORTOSÍTÁSA
Logikai alapkapcsolások
CMOS ÁRAMKÖRÖK TERVEZÉSE Dr. Keresztes Péter Széchenyi István Egyetem
Digitális technika alapjai
Sorrendi (szekvenciális)hálózatok tervezése
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Digitális rendszerek II.
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Az integrált áramkörök (IC-k) típusai
Elektronikus eszközök BME EET 1.0. Elektronikus eszközök, és alkatrészek Osztályozás: passzív: adott frekvenciatartományban a leadott „jel” teljesítmény.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Mérés és adatgyűjtés Kincses Zoltán, Mingesz Róbert, Vadai Gergely 10. Óra MA-DAQ – Műszer vezérlése November 12., 15. v
Bevezetés a digitális technikába
Kovalens kötés a szilícium-kristályrácsban
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
A jelátvivő tag Az irányítástechnika jelátvivő tagként vizsgál minden olyan alkatrészt (pl.: tranzisztor, szelep, stb.), elemet vagy szervet (pl.: jelillesztő,
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
A bipoláris tranzisztor IV.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Monolit technika MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Cim Design flow, production flow, maszkok, technológia Tervezési szabályok, lambda. Pálcika diagram, alap layoutok Layout tervezés, P&R.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 2. zárthelyi megoldásai december 2.
Aktív villamos hálózatok
STABILIZÁLT DC TÁPEGYSÉG
PowerQuattro Rt Budapest, János utca175.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
1 Termikus-elektromos eszköz a nanoelektronikában Áttekintés VO 2 háttérismeretek Termikus-elektromos eszköz a nanoelektronikában elmélet gyakorlat neuron.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2013 I. félév Követelmények.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA /2011 I. félév Követelmények.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
1 TÁROLÓ ÁRAMKÖRÖK TAKÁCS BÉLA Mi történik, ha két invertert az alábbi módon összekapcsolunk? Ki1/Be2 Ki2/be A kapcsolásnak.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Jelformáló és jelelőállító elemek
Hálózatkímélő rendszerek
Az integrált áramkörökben (IC-kben) használatos alapáramkörök
Jelformáló és jelelőállító elemek
MOS technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
Jelkondicionálás.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A MOS inverterek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/13-MOSFET2.pptx

Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER (SYSTEM) + RÉSZEGYSÉG (MODULE) KAPU (GATE) Vout Vin ÁRAMKÖR (CIRCUIT) ESZKÖZ (DEVICE) n+ S D G 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

MOSFET típusok áttekintése 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája Az előbb kiszámoltuk! 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

MOSFET-ek egyszerű modellje A működés legegyszerűbb (logikai) modellje: nem vezet (off) / vezet (on) Gate Source (of carriers) Drain | VGS | | VGS | < | VT | | VGS | > | VT | Open (off) (Gate = ‘0’) Closed (on) (Gate = ‘1’) Ron növekményes eszköz szakadásban vezetésben 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Készítsünk invertert – ez az alap Ellenállás tápfeszre (VDD) kötve Másik vége egy kapcsolóval a földre (GND) kötve Kapcsoló vezérlése logikai jellel: 1 (VDD szint) – vezet 0 (GND szint) – szakadt Tekintsük kimenő jelnek a kapcsoló és az ellnállás közös pontját VDD GND BE KI load (terhelő ellenállás) 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Készítsünk invertert! BE = 1 KI = 0 BE = 0 KI = 1 kapcsoló vezet kimenet a GND-re kötve KI = 0 VDD GND BE KI BE = 0 kapcsoló szakadt kimenet VDD-n lebeg KI = 1 1 VDD GND BE KI 1 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

2 sorba kötött kapcsoló: NAND kapu Ha A és B 1, akkor KI=0 Ez a NOT (A AND B) függvény, azaz NAND VDD GND KI A B SOROS áram út A gyakorlatban max 3..4 bemenetű. Ha vagylagos áramutat alakítunk ki, akkor a NOR függvényt valósíthatjuk meg 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Komplex áramutak kialakítása == komplex logikai kapuk lehetősége A NOR kapu sémája: Ha A vagy B 1, akkor KI=0 Ez a NOT (A OR B) függvény, azaz NOR VDD KI A B GND GND PÁRHUZAMOS áram út Komplex áramutak kialakítása == komplex logikai kapuk lehetősége 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Komplex kapuk Soros áramutak párhuzamosan kapcsolva 4 áramút van VDD A KI B F C GND 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverter konstrukciók (elvi) Kapcsoló = n csatornás MOS tranzisztor: normally OFF device VDD GND BE KI Ellenállás: egy másik tranzisztor, pl. trióda tarományban VDD GND BE KI VGG VDD GND BE KI load drive Újabb tápfesz kéne – nem OK 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

nMOS technika – nagyon egyszerű Egyszerű technológia, de elavult, sok hátránnyal, pl. statikus fogyasztás, ha KI=0 ha kimenet logikai 0, az nem lesz tisztán a GND szint aszimmetrikus transzfer karakterisztika (l. később) Kiürítéses tr.: implantációval eltolt VT VDD GND KI Id ~ W/L Mindkét esetben a load ellenállás helyett MOS tranzisztort használtunk, de az nem kapott aktív vezérlést Ez a passzív terhelésű inverter BE 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Komplex kapuk (nMOS kivitel) Soros áramutak párhuzamosan kapcsolva 4 áramút van 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A CMOS technika A név: Complementary MOS Ötlet: kapjon a terhelés is aktív vezérlést ha az nMOS driver (kapcsoló) tranzisztor vezet, a load helyén lévő tranzisztor legyen szakadásban ha az nMOS driver (kapcsoló) tranzisztor szakadásban van, a load helyén lévő tranzisztor vezessen Ehhez egy olyan normally OFF device kell, ami az nMOS tranzisztorhoz képest ellentett vezérléssel működik Ilyen a növekményes pMOS tranzisztor 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A CMOS inverter Egy n és egy p típusú növekményes tranzisztorból áll Aktív terhelésű inverter: a két tranzisztort egyszerre vezéreljük VDD GND KI BE nMOS pMOS Állandósult állapotban a két tranzisztor közül mindig csak az egyik vezet, a másik lezárt 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Transzfer karakterisztika: kimeneti feszültség a bemeneti feszültség függvényében A kimeneti jel a bemeneti jel (logikai) invertáltja ideális és valós inverter transzfer karakterisztikája 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

A CMOS inverter karakterisztikája VDD pMOS BE KI nMOS UBE=UGSn UKI=UDSn GND 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Zavarvédettség: Széles Uin tartományhoz azonos Uout érték tartozik A karakterisztika 3 szakaszból áll. A két szélső szakasz laposan fut, azaz a bemeneten lévő feszültségváltozások csak nagyon kis változást okoznak a kimeneten L és H tartományok L H ideális és valós inverter transzfer karakterisztikája 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Jel regeneráló képesség a középső szakasz meredekségétől függ U in out "1" " 0" U1 egy "rossz" logikai 0 jel. Az első kapu kimenete U2 már közelebb áll az elfogadható logikai 1 szinthez. A második kapu kimenete, U3 már "jó" logikai 0 szint U2 U1 U3 ideális és valós inverter transzfer karakterisztikája 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Jel regeneráló képesség U3 U2 U1 0.0n 10.0n 20.0n 30.0n 40.0n time [sec] -1.0 -0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 U [V] UL=0V, UH=5V (SPICE szimuláció) U3-nak láthatóan a szintje is és a jelalakja is regenerálódott! 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Komparálási feszültség Az a határ, ami alatt 0 szintté és ami felett logikai 1 szintté regenerálja az inverterlánc a jelet. Az Uin=Uout egyenes és a karakterisztika metszéspontja Uin Uout Vdd Uk 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Logikai szinttartományok A logikai 0 és 1 szint azon feszültségtartománya, amin belül adott zavarszintek mellett az áramkör biztonságosan működik. Uin Uout Vdd UHm Uk UZ PÉLDA: 74HC00, Vdd=3V, ULM=0.9V UHm=2.1V ULM Kritikus feszültségek: ULM, a logikai 0 szint maximuma UHm, a logikai 1 szint minimuma 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Jelterjedési idő (propagation delay) tpd nehezen definiálható, ráadásul a fel és lefutáshoz tartozó késleltetés különböző lehet (pl. nMOS inverterek) 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Párkésleltetési idő 1 n n+2 Tegyük fel, hogy a jel egy hosszú, egyforma inverterekből álló láncon terjed. Elegendően sok inverter után a jelformát csak az inverterek belső tulajdonságai határozzák meg. A jel 2 inverter után megegyezik, a késleltetés pedig tpdp tpdp t U Un Un+2 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Párkésleltetési idő mérése A RING OSZCILLÁTOR (gyűrűs rezgőkör) Páratlan számú inverter láncba kapcsolva, nincs stabil állapota, oszcillál. 1 T=ntpdp 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Teljesítmény-késleltetés szorzat (P) mindkét érték jobb minőségre utal, így a szorzat egy áramkörtípus minőségi mérőszámának tekinthetô. Szemléletesen: az a minimális energia, ami 1 bit információ 1 feldolgozási lépéséhez szükséges. 2014-11-12 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2014