Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon

Porlasztással történő vékonyréteg előállítás A porlasztáson olyan vékonyréteg előállítási folyamatot értünk, amelyben a vékonyréteg forrása egy ionbombázásnak.

Hasonló előadás


Az előadások a következő témára: "Porlasztással történő vékonyréteg előállítás A porlasztáson olyan vékonyréteg előállítási folyamatot értünk, amelyben a vékonyréteg forrása egy ionbombázásnak."— Előadás másolata:

1 Porlasztással történő vékonyréteg előállítás A porlasztáson olyan vékonyréteg előállítási folyamatot értünk, amelyben a vékonyréteg forrása egy ionbombázásnak kitett céltárgy (target). Az ionokat az ionbombázáshoz rendszerint egyenáramú gázkisülésből nyerik. A targetre ~1000 V feszültséget kapcsolunk, a hordozó rendszerint földön van. Körülbelül mbar nyomású Ar gázt eresztünk a vákuumrendszerbe. A létrejövő gázkisülés ionjaival (plazma) bombázzuk a targetet.

2 Plazmakeltés:

3 Az ionbombázás során lejátszódó folyamatok

4

5

6 Porlasztás folyamata : A becsapódó ion a legfelső néhány atomrétegben több ütközést él meg. Az ütközések során az ion energiája több atomra oszlik el. Ez az energia a későbbiek folyamán egy, a felületen levő atomra összpontosul amely kilép-porlódik. Szögfüggés –biliárd játék

7 Az ionbombázás során lejátszódó folyamatok energiafüggése alacsony energián befogódás, kondenzáció (1-10 eV) közepes energián porlódás ( eV) nagy energián elnyelődés, implantáció (1000- eV)

8 A porlasztást befolyásoló fizikai tényezők: 1. Bombázó ion energiája: eV küszöbenergiától meredeken emelkedik, majd széles maximum után lassú csökkenés (a csökkenés oka az implantáció)

9 2. Bombázó ion rendszáma: zárt elektronpályákkal rendelkező elemek esetén (nemesgázok Ar, Ne, He…) jelentős növekedés mutatható ki a porlasztási hozamban. Ezekben az esetekben az energia átadása hatékonyabb.

10 3. Bombázott anyag rendszáma: hasonlóan mint a bombázó ionoknál az elektronpályák zártságának függvényében erős ingadozást mutat

11 A porlasztott részek átlagos kinetikus energiája gyakorlatilag független a porlasztó ionok energiájától.

12 Termalizáció miatt a porlasztott részek energiája viszonylag szűk energiasávban változik.

13 Porlasztás szögfüggése:

14 Porlasztó gyakorlati megvalósítása: a porlasztandó anyagot (target) vízzel hűtött, egyik oldalán földelt árnyékolóval ellátott lapra rögzítjük. Ehhez a laphoz csatlakoztatjuk a körülbelül 1000 V egyenfeszültség negatív pólusát. A pozitív pólus a földre csatlakozik. Ez a dióda típusú porlasztó.

15 Magnetron típusú porlasztót kapunk, ha az előbbi vízzel hűtött lap alá mágneseket helyezünk. A mágnes stabilizálja a gázkisülést és növeli a porlasztási hozamot.

16 Porlasztás ~200 Gauss •Több elektron a targethez közel •Kevés elektron éri el a hordozót

17 Porlasztóberendezés gyakorlati megvalósítása

18 Szigetelők porlasztása: Egyenáramú plazma esetén a szigetelő target feltöltődik a porlasztás leáll. Rádiófrekvenciás (13.5 MHz) plazma alkalmazásával a target körüli potenciál mindig negatív (az elektronok és ionok nagy tömegkülönbsége miatt csak az elektronok képesek követni az elektromos tér változását, felületek aránya- target/vákuumrendszer fala) - a porlasztás folyamatos Reaktív porlasztás: A porlasztás során lehetőség van a porlasztógáz mellett oxigén, nitrogén, széndioxid alkalmazására és így oxid, nitrid és karbid rétegek előállítására.

19 Porlasztás és párologtatás Kevésbé jó tapadás Jobb tapadás Kevés kristálytani irány Sokféle kristálytani irány Nagyobb szemcseméret Kisebb szemcseméret Nagy vákuum és szabad úthossz  Kevés ütközés  Sok forrásatom jut el egyenes vonalon a hordozóig  Kevés gáz épül be a rétegbe Kis vákuum és szabad úthossz  Sok ütközés  Kevés targetatom jut el egyenes vonalon a hordozóig  Gáz beépül a rétegbe Kis energiájú atomok Nagy energiájú atomok PárologtatásPorlasztás Ötvözetek előállítására a porlasztás alkalmasabb, mivel a target szobahőmérsékleten van így gyakorlatilag nincs diffúziós mozgás.

20 A rétegek vastagságának mérése: (transzmissziós elektronmik.) Mechanikus módszer profilométer, 1-10  m átmérő gyémánt hegyet mozgatunk a hordozó  hordozó-réteg felületen, a hegy függőleges elmozdulását 1nm-es pontossággal tudjuk meghatározni Optikai módszerek(nemátlátszó filmek esetén) ellipszometria, a módszer lényege, hogy mérjük a film felületére nem merőlegesen beeső, polarizált fény polarizációs állapotának változását a visszavert nyalábban. Legpontosabb módszer, akár egy atomsor vastagság mérhető, nagyon drága. Rezgő kvarcos vastagságmérő a vastagságmérést tömeg mérésre vezetjük vissza. Kvarc kristályt, amely egy élesre hangolt rezgőkör része közvetlenül a porlasztott vagy párologtatott részecskék áramába helyezzük. A kvarc kristályra lecsapódó réteg elhangolja a rezgőkört. Az elhangoltság mértékéből a rétegvastagság kiszámolható.

21 Profilométer felépítése

22 Napelem üvegen (Sn, SnO, n-Si, P-Si) Rézháló üvegen

23

24 A porlasztás során fellépő fizikai jelenségek: Ballisztikus keveredés: a. egyedi ütközések tartománya, visszalökődéses keveredés (recoil), alacsony energia < 0.5 KeV b. kaszkád ütközések tartománya, KeV energián - ionbombázás hatására rugalmas ütközések, Frenkel párok (vakanciák és rácsközi atomok) keletkezése, ezek egy része spontán rekombinálódik, egy része megmarad és elősegíti a diffúziós keveredést, szegregációt - minta melegedése → diffúzió, szegregáció „Thermal spike”: lokális olvadás, általában 10KeV energián

25 Keveredés (ötvöződés) ionbombázás hatására ionbombázás távolság W= kevert rétegvastagság

26 hő idő kölcsönös diffúziós együttható kevert réteg dE/dX  vagy t kölcsönös diffúzió  =iondózis (ion/cm 2 ),  ~idő ( t ) ha a dózis sebesség állandó W ~ Hasonlóság ionbombázás hatására történő keveredés és diffúzió között

27 Hőmérséklet ( C ) Hőmérséklet -1 kevert réteg mennyisége (tetsz. egység) A hőmérséklet hatása az ionbombázásos keveredésre Aktivációs energia: eV Hasonló a folyadékbeli diffúzióhoz.

28 Egyedi ütközések tartománya T az M 1 ion által, az M-S határfelületen az M 2 targetatomnak átadott energia ha Θ=0 Példa: platina réteg szilícium hordozón, argon ion (M 1 = 40 a.t.e.) bombázás, E=10Kev, Pt (M 2 = 195 a.t.e.) =5.6 KeV Ezzel az energiával 3,1 nm mélyre mehet be a platina atom a szilíciumba!!!

29 Bombázás: 200 Kev Kr + LN 2 hőmérséklet iondózis: ion/cm 2 A kísérletek a marker izotróp kiszélesedését mutatják. A visszalökődéses keveredés nem meghatározó. Kaszkád ütközések!!!

30 Kaszkád ütközések tartománya Egyedi ütközések, erős irányultság, jelentős energia-átadás Sok, egymástól független, alacsony energiájú ütközés

31 Kaszkád ütközések Az atomok izotróp mozgása a kaszkád ütközések során hasonló a véletlenszerű bolyongás esetén kapható atomi eloszláshoz. n=ugrások száma α=ugrások nagysága A kaszkád ütközések által indukált véletlen bolyongási folyamatot analóg módon írhatjuk le az elmozdított atomok száma átlagos távolság  =iondózis (ion/cm2) F D =egységnyi távolságon átadott energia az ütközésekben N=atomi sűrűség (atom/nm 3 ) E d =atom kötési energia

32 Behelyettesítve: Az előző markeres kísérletben Átlagos energia egy ütközésben ~ 100 eV Ha , F D, N, E d közel azonos, akkor D cas t is közel azonos. elemekrendszer Vizsgáljuk ballisztikus ütközés szempontjából a következő rendszereket: Cu/W és Cu/Au rendszereknek azonos mértékben keveredni!

33 Cu/W esetén gyakorlatilag nincs keveredés. Cu/Au összekeveredik. Miért? Cu/W gyakorlatilag nem oldódnak egymásban +36KJ/mol Cu/Au ötvözetet alkot -9 KJ/mol Kémiai hajtóerő szerepe.

34 A vizsgálni kívánt minta szerkezetéhez kapcsolható jelenségek: - több komponensű egyfázisú rendszerek: az elemek eloszlása egyenletes a mintában, polikristályos minta esetén a szemcsék összetétele állandó tömeg és kötési energia különbségek miatt, valamint a visszalökő- déses implantáció, hő- és sugárzás indukált szegregáció diffúzió következtében változó felületi összetétel, általában könnyű elem hiány, nehéz elem többlet alakul ki→polikristályos anyagok esetén felületi morfológia változás ↓ preferenciális porlasztás ↓ Mitől függ a megváltozott felületi réteg vastagsága? Egyensúlyi koncentráció, csak az ionok behatolási mélységével azonos vagy vastagabb réteg eltávolítása után alakulhat ki.

35 W Cu Ta Si W, Cu, Ta (régtegvastagság 10 nm) SNMS felvétele

36 W Cu TaO-Ta Si W, Cu (rétegvastagság 10nm), Ta-TaO (rétegvastagság 5-5 nm) SNMS felvétele

37 -több komponensű többfázisú rendszerek: elemeloszlás nem egyenletes, a szemcsék különböző összetételűek és kristályszerkezetűek a porlasztási sebesség lokálisan változik ↓ szelektív porlasztás ↓ speciális felületi morfológia kialakulása (gödrök, piramisok, kúpok) Akakusz kővilága Egyensúlyi koncentráció csak a szemcsemérettel megegyező vastagságú réteg porlasztása után alakulhat ki.

38 Több komponensű több fázisú rendszerek: az elsődleges felületi morfológia a szelektív porlasztás miatt alakul ki később felületi migráció tovább erősíti a kúpok és piramisok kialakulását a szennyező atomok katalizálják a felületi alakzatok kialakulását a magas olvadáspontú targetanyag atomjai gyakrabban képeznek kúpokat piramisokat a porlasztott részek gázfázisból történő vissza-diffúziója elősegíti a a felületi alakzatok kialakulását a minta hűtése a migrációt csökkenti reaktív ionporlasztás (O, N) elnyomja a kúpképződést

39 -rétegnövekedési (nukleációs) jelenségek 12 monoréteg Mo porlasztása: -Al 98% hordozóra -Al % hordozóra -Au hordozóra -Cu hordozóra -W hordozóra Mo lefedettség mérése AES segítségével. Mo eltávolítása 200 eV-os Ar + ionbombázással Al, Au, Cu, W felület Mo lefedettségének változása ekvivalens Mo monoréteg szám függvényében J. Appl. Phys., vol. 43, No.5, 1972

40 -Alacsony energiájú (< 500 eV) porlasztás jellemzői: Al, Au, Cu, W hordozó Mo lefedettségének változása 500 eV és 200 eV Ar ionbombázás esetén. 200 eV –os ionbombázás esetén lassabban csökken a lefedettség. ↓ Nő a hordozó felületével párhuzamosan kilépő porlasztott részek száma. → migráció

41


Letölteni ppt "Porlasztással történő vékonyréteg előállítás A porlasztáson olyan vékonyréteg előállítási folyamatot értünk, amelyben a vékonyréteg forrása egy ionbombázásnak."

Hasonló előadás


Google Hirdetések