IC gyártás Új technológiák. 2 Strained Silicon (laza szilícium)

Az előadások a következő témára: "IC gyártás Új technológiák. 2 Strained Silicon (laza szilícium)"— Előadás másolata:

1 IC gyártás Új technológiák

2 2 Strained Silicon (laza szilícium)

3 3

4 4

5 5 Strained Silicon (SiGe)

6 6 Strained Silicon (laza szilícium)

7 7 E lazább szerkezetű, módosított szilíciumon a kisebb ellenállásnak köszönhetően 70%-kal gyorsabban áramolnak keresztül az elektronok !!! IBM szilícium-germánium tranzisztor: (210 GHz) (chip órajel cca. 100 GHz lehet) Pl. 12.5 Gbit Ethernet

8 8 Strained Silicon (laza szilícium)

9 9 SOI ( Silicon On Insulator )

10 10 SOI ( Silicon On Insulator )

11 11 SOI ( Silicon On Insulator )

12 12 GaAs

13 13 GaAs

14 14 GaAs

15 15 Intel Spacer Gate technológia

16 16 Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Gateoxid: 1.2nm (cca.5 atom vastag)

17 17 Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Tri-gate

18 18 Intel (45nm technológia: 2007 második félév) Tri-gate SRAM: cella kiolvasási árama 50%-kal nagyobb, mint a hagyományos planár tanzisztoroké

19 19 Intel Penryn „Az Intel a Penryn lapkákat 45nm-es technológiával gyártja, amely hafnium alapú dielektrikumot és fém kaput használ. Ezek a megoldások csökkentik a szivárgó áram mértékét és így a jelenleginél sokkal energiahatékonyabb lapkák előállítását teszi lehetővé. Csökken az energia-felvételük és mégis nő a sebességük. Az új anyagok használata megkönnyíti a gyártást, javítja a kihozatalt és beépíthetők a következő, kisebb méretű eszközökbe. Az Intel 45nm-es gyártási eljárás az első, amely nagy tömegben gyártott CPU-khoz használja ezeket az újításokat. …A 45nm-es Penryn lapkák szállítása az év második felében kezdődik.” (Prim Online 2007.02.26)