Előadást letölteni
Az előadás letöltése folymat van. Kérjük, várjon
1
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor III.
2
Az ideális tranzisztor karakterisztikái
Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
3
Közös bázisú alapkapcsolás
Földelt bázisú kapcsolásként is emlegetik Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
4
Közös bázisú alapkapcsolás
Bemeneti karakterisztika: Kimeneti karakterisztika: IE Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
5
Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban 2010-10-13
Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
6
Közös emitteres alapkapcsolás
Földelt emitteres kapcsolásként is emlegetik Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
7
Közös emitteres alapkapcsolás
B : közös emitteres, nagyjelű áramerősítés Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
8
Közös emitteres alapkapcsolás
Nem folyik áram. A bázis áram egy része a bázistöltés felholmozására fordítódik. Nő az UBE feszültség, elkezd folyni az emitter áram. A bázisáram egy másik része az emitter áram egy részével rekombinálódik. A bázis töltése nem nő tovább, a bázis áram növekedése az emitter áram rekombinációra forditódó részét növeli, ezáltal a teljes emiter áram is nő Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
9
Közös emitteres alapkapcsolás
Bemeneti karakterisztika: Kimeneti karakterisztika: Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
10
X UCE A telítés határa: UBC = 0 UBE = UCE 2010-10-13
Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
11
A valóságos tranzisztor karakterisztikái: másodlagos hatások
Parazita CB dióda Soros ellenállások Early hatás Az áramerősítés munkapontfüggése Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
12
A CB parazita dióda hatása
Nincs vele szemben emitter, így inverz működésben a kollektorból a bázisba injektált elektronok "elvesznek": romlik az inverz aktív áramerősítési tényező. Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
13
A soros ellenállások hatása
Báziskivezetés RBB' A "belső bázispont" – ésszerű közelítés: RBB' B' B Ez hol van pontosan? E C Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
14
A soros ellenállások hatása
Kollektor-kivezetés RCC' csökkentése diszkrét tranzisztoroknál: epitaxiális szerkezet (mint a diódánál) ICRCC' hozzáadódik UCE-hez karakterisztikák az 1/RCC' egyenestől csak jobbra lehetnek Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
15
Az Early hatás Visszahatás: A kimenet feszültsége befolyásolja a bemeneti karakterisztikát Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
16
Az Early hatás Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
17
Az Early hatás Az Early feszültség 2010-10-13
Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
18
Early hatás FB kapcsolásnál
Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
19
Early hatás: a visszahatás folyamata
~exp(UBE/UT) FB FE Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
20
Az Early hatás PÉLDA Mekkora a földelt emitteres kimeneti ellenállása a tranzisztornak, ha az Early feszültség 80 V és a munkaponti kollektoráram 5 mA? Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
21
Az áramerősítés munkapontfüggése
Feszültségfüggés: az Early hatás miatt Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
22
Az áramerősítés munkapontfüggése
Feszültségfüggés: az Early hatás miatt Áramfüggés: Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Hasonló előadás
