Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen

Az előadások a következő témára: "Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen"— Előadás másolata:

1 Maszkkészítés Planár technológia Kvázi-sík felületen
Technológiai lépések: rétegek megmunkálása Struktúra kialakítása: 2D ábrák szerint Litográfia Ábrák kialakítása a felületen Adott munkafázis gátlása adott helyen Pl. leválasztás, marás, fémezés stb. Ábraalakítás eszközei: maszkok CMOS: legalább 10 különböző maszk kell

2 Maszkkészítés Maszkok Primer: ábrahordozó, árnyékolás levilágításnál
Reziszt (szerves): művelet gátlás, oxidmaszk kialakítás Oxid: védelem műveletek ellen, amire reziszt nem alkalmas

3 Maszkkészítés Kritérium: pontosság Abszolút pontosság
Technológiai felbontás egysége (l) szerint (vonalvastagság, ábra alakja) Relatív pontosság Koherencia: illeszthetőség adott munkadarab különböző maszkjai között Illesztés a lépések során: kézzel (~1mm) / lézeres interferometria (pár nm) Előtorzítás: a technológia okozta torzítások ellen

4 Maszkkészítés Primer maszk fém vagy Fe2O3 üveg hordozón
Pontos és drága (pl. előállításkor stabil hőmérséklet szükséges) Koherenciához: egyszerre kialakítás vagy lézeres interferometria Klasszikus: rubilit-fóliába vágott kép > 1:10 kicsinyített fotó > fotózás továbbkicsinyítve, chipeknek megfelelően többszörözve

5 Maszkkészítés Korszerű nem készül mesterrajz (rubilit)
Digitális ábragenerálás a „második”, kicsinyített szintre Ez közvetlenül szeletre fotózható (sok példányra lassú az illesztések miatt), DSW: direct step writing vagy készíthető „1x” maszk „1x” maszk: kontakt (kopik) vagy proximity: kb. 1mm magasan (alávilágítás ellenére ez ma a jellemző)

6 Maszkkészítés Elektronsugaras ábraalakítás Optikai (UV) ábragenerálás
Közvetlenül a szeletre (DWW: direct wafer writing, kis példányszám) Közvetlenül az „1x” maszkra RTG ábragenerálás RTG: kis hullámhossz, de nem tudjuk fókuszálni Optikai (UV) ábragenerálás A fizikai határok közelében, de még mindig ez az általános

7 Maszkkészítés Ionsugaras ábraalakítás DWW (rezisztre)
Anyageltávolítás (l. katódporlasztás) Pl. krómmmaszk javítása, Cr leválasztás ionból Közvetlen implantáció lehetősége Trench-kapacitásos DRAM-cella: trench fala közvetlenül implantálható

8