A félvezető dióda.

Az előadások a következő témára: "A félvezető dióda."— Előadás másolata:

1 A félvezető dióda

2 PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet Egy pn átmenetből álló eszköz a dióda Pl. Dióda megvalósítás (B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) A=anód, K=katód Az ábra torzított, a keresztmetszeti méretek általában sokkal kisebbek mint az oldalirányúak Planáris szerkezet Kiindulás: Si egykristály „szelet”, majd: oxidálás, ablaknyitás, n diffúzió, fémezés, darabolás, felforrasztás, tokozás

3 PN átmenet, félvezető dióda
A p típusú hordozóba (substrate) diffúzióval juttatják be az n típusú adalékot A létrejövő adalékeloszlás, az un adalékprofil A tulajdonképpeni pn átmenet ott van, ahol ND=NA. Ez a metallurgiai átmenet (ahol az anyag úgy viselkedik, mintha intrinsic lenne). Ugrásszerű (abrupt) sűrűségváltást tekintünk, ezt könnyebb számolni Adaléksűrűség a mélység függvényében A „kompenzált” félvezető Donor-akceptor: nettó adalékolás

4 Vizsgálati módszerünk
1. Egydimenziós vizsgálat, „kihasított hasáb” 2. Homogén adalékolás, „abrupt” profil 3. Egyik oldal erősebben adalékolt (legyen ez az n oldal) Nd >> Na

5 A pn átmenet töltésviszonyai
(B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) Mindkét oldal többségi hordozói diffúzióval áramolnak a túloldal felé. A mozgóképes töltések diffúziója után helyhez kötött, ellensúlyozatlan töltések maradnak az átmenet két oldalán. Ezért megszűnik a semlegesség Így elektromos erőtér jön létre A kialakult elektromos erőtér hatására a pn átmeneten egyensúlyban létrejön egy beépített feszültség (diffúziós potenciál)

6 A pn átmenet töltésviszonyai
(B, Al, Ga, In) (P, As, Sb) Anionok (negatív töltésű ionok) Kationok (pozitív töltésű ionok) A többségi töltéshordozók az átmenet környezetében átdiffundálnak a túloldalra  töltéshordozóktól kiürített réteg v. tértöltésréteg jön létre az átmenetnél Egyensúly: A többségi töltéshordozók diffúziós árama egyensúlyban van a kisebbségi töltéshordozók sodródási áramával, I=0

7 A pn átmenet töltésviszonyai
(P, As, Sb) (B, Al, Ga, In) A töltésegyensúlyból: A kiürített réteg annál keskenyebb, minél nagyobb az adaléksűrűség az adott tartományban A valóságban általában több nagyságrend különbség van a két oldal adaléksűrűsége között  a kiürített réteg az átmenetnek főként az egyik oldalára terjed ki

8 Az ideális pn átmenet (dióda) jelleggörbe egyenlete
Ez az ideális dióda egyenlet, vagy Schottky egyenlet, ahol Io a pn átmenet telítési (saturation) vagy záróáram állandója, csak anyagállandóktól és az adaléksűrűségektől függ, a kisebbségi töltéshordozó-sűrűséggel arányos Io10-14A A UT=kT/q=26 mV, a termikus feszültség szobahőmérsékleten, k=8,62x10-5eV/K, a Boltzmann állandó T a hőmérséklet Kelvinben q=1,602x10-19 Coulomb az elektron töltése előjel nélkül

9 Ideális dióda-jelleggörbe számítása
PÉLDA Kérdés: Egy Si dióda telítési árama I0=0,1 pA. Mekkora a nyitófeszültség, ha az áram 10 mA? Megoldás: Mennyivel kell a nyitóirányú feszültséget növelni ahhoz, hogy a nyitóirányú áram tízszeres legyen?

10 A dióda legfőbb tulajdonságai
Pozitív feszültségekre (p típusú anyag pozitívabb potenciálon, nyitófeszültség), a szerkezeten a feszültségtől exponenciálisan függő áram folyik Negatív feszültségekre (p oldal negatívabb, zárófeszültség) a szerkezeten nagyon kis, gyakorlatilag feszültség-független áram A szokásos nyitófeszültség értéke: UF 0,7V Karakterisztikája: I(U) Egyenirányít! I Nyitó (forward) tartomány I ~ exp(U/UT) Záró (reverse) tartomány I ~ A/mm2 (Si, T=300 K) U UF0,7V

11 A dióda jelleggörbe egyszerűsített alakjai
Az ideális kapcsoló: Törtvonalas közelítésű jelleggörbe A dióda valóságos és törtvonalas közelítésű jelleggörbéje: ID [mA] UBD UD [V] UF 0,7V Letörési szakasz

12 Valóságos (nem ideális) dióda jelleggörbe
Az alábbi másodlagos jelenségek (hatások) módosítják a dióda jelleggörbéjét: Kis áramoknál a tértöltésrétegben kialakuló áramok, amit az ideális jelleggörbe-egyenlet számításánál nem vettünk figyelembe Nyitó tartományban: rekombinációs áram Záró tartományban: generációs áram Nagy áramoknál: Nyitó tartományban: soros ellenállás Záró tartományban: letörés

13 Valóságos dióda karakterisztika A soros ellenállás
A félvezető rétegek ohmos ellenállása nagy áramoknál jelentős Megoldás pl.: epitaxiális szerkezet

14 Valóságos dióda karakterisztika Rekombinációs áram
Nyitóirányban a tértöltésrétegben a töltéshordozó injekció hatására megnő a töltéshordozó sűrűség Ez megnöveli a rekombinációt Azaz a valóságban ez is áramnövekedésként jelentkezik Ennek, és egyéb másodlagos jelenségeknek a figyelembe vételével  ahol n2

15 Valóságos dióda karakterisztika A generációs áram
Zárófeszültségek esetén a tértöltésrétegben az egyensúlyinál kisebb sűrűség miatt megnő a párkeltés (generáció) Ez többlet töltéshordozó áramot (un.generációs áram) eredményez.  Szokásos értéke: IR 10-9A A ni miatt erősen hőmérséklet függő

16 Valóságos dióda karakterisztika Letörés
Egy adott kritikus zárófeszültségnél, az un. VBR letörési feszültségnél a dióda záróárama hirtelen megnő és viszonylag nagy áramok folynak a diódán nagyon kis további feszültségemelkedéssel Hatására a záróáram megsokszorozódik Ha kívülről korlátozzuk az átfolyó áramot, akkor a letörésben való működés nem teszi tönkre a diódát A letörés okai: Zener átütés (alagúthatás) Lavina sokszorozódás (ütközési ionizáció)

17 A Zener letörés Fizikai ok: az alagúthatás A Zener dióda
A Zener letörésen alapul

18 A Zener letörés felhasználása
A Zener dióda A Zener dióda áramköri alkalmazása: Feszültség referencia Feszültség szabályozás (stabilizálás, kis fogyasztásnál)

19 A dióda munkapontja A dióda karakterisztika egyenlete a dióda működése során lehetséges, összetartozó áram és feszültségértékeket adja meg A tényleges működés során a dióda, ill. tetszőleges nemlineáris karakterisztikájú elem a karakterisztika egy pontjában, az un. munkapontban (operating point, quiescent point) működik Ezt a pontot az áramkörben a vizsgált nemlineáris elemet körülvevő elemek határozzák meg

20 A dióda munkapontja Az áramkörre felírt huroktörvényből
egy egyenes, az un. munkaegyenes egyenlete adódik ez tulajdonképpen az áramkörben a diódán kívül előforduló elem „karakterisztikája” a dióda feszültségének függvényében Az áramkörben kialakuló munkapontot a két függvény metszéspontja adja

21 Eszközmodellek Nagyjelű modell Kisjelű modell
A félvezető eszközökre kétféle modellt használunk: Nagyjelű modell Az egyenáramú viselkedést, a munkaponti jellemzőket modellezi Nemlineáris (általában) Egy jelleggörbével, vagy az azt leíró egyenlettel adható meg Kisjelű modell A váltakozó áramú viselkedést modellezi Adott munkapontban a munkapont körüli kis megváltozások esetét írja le Munkapontfüggő, különböző munkapontokban eltérő egy eszköz kisjelű modellje Lineáris A munkapontban a jelleggörbét érintővel helyettesíti

22 A dióda kisjelű működése
Az rd differenciális ellenállás munkapontfüggő!

23 A dióda differenciális ellenállása
Nyitó tartomány, I >> I0 : Ha a soros ellenállással is számolunk:

24 A dióda differenciális ellenállása
PÉLDA Egy dióda soros ellenállása 2 ohm Számítsuk ki a differenciális ellen-állását az I=1 mA, 10 mA, 100 mA munkapontokban!

25 A diódák gyakorlati kivitele
Nagyáramú Kisáramú

26 Fénykibocsátó dióda (LED)
Light-Emitting Diodes Villamos áram hatására fényt bocsát ki A különféle összetételű vegyület félvezetők eltérő fényű LED-eket eredményeznek Egyedül is és szelvénybe rendezetten is használják, ez utóbbira példa a képen látható hét-szelvényes (seven-segment) kijelző

27 Diódák elektronikai alkalmazásai
Nagyon sokrétű, elsődlegesen analóg áramkörökben használják Néhány példa: Egyenirányítás Feszültség szabályozás/stabilizálás (pl.: Zener dióda) Hőmérséklet mérés Fénykibocsátás (LED-ek)