A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – 2011. november 9. Nanoszerkezetek Mihály György BME Fizika Tanszék Spintronika spin polarizált elektron traszport Andrejev-spektroszkópia.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
E. Szilágyi1, E. Kótai1, D. Rata2, G. Vankó1
Advertisements

Elektromos ellenállás
MIKROELEKTRONIKA Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök
Digitális elektronika
Elektromos alapismeretek
Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC Okt 18. BME.
A félvezető dióda (2. rész)
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
MOS integrált áramkörök alkatelemei
A bipoláris tranzisztor V.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Bodó Zalán élete és optikai kutatásai Gergely György Bodó Zalán emlékülés ELFT-MTA MFA
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
MIKROELEKTRONIKA 6. A p-n átmenet kialakítása, típusai és alkalmazásai
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
A levegőburok anyaga, szerkezete
Fizika 7. Félvezető eszközök Félvezető eszközök.
NANOMECHANIKAI RENDSZEREK OTT, AHOVA A KVANTUM-KLASSZIKUS HATÁRT VÁRJUK Egyre könnyebb nanomechanikai oszcillátorok - rajtuk a megfigyelést segítő tükörrel.
Készítette: Dénes Karin (Ipolyság) és Patyi Gábor (Szabadka)
Mágneses örvényszerkezet másodfajú szupravezetőkben Mészáros Sándor MTA ATOMKI 100 éves a szupravezetés, MTA MTO, nov. 10.
Áramköri alaptörvények
Villamos kisülések alkalmazása a környezetvédelemben VII. Környezetvédelmi Konferencia-Dunaújváros Kiss Endre, Horváth Miklós, Jenei István, Hajós Gábor,
Elektron transzport - vezetés
Ohm törvénye. Az elektromos ellenállás
EGI-InSPIRE RI EGI-InSPIRE EGI-InSPIRE RI e-Science Café RMKI Hernáth Szabolcs 8/5/2014.
ZnO réteg adalékolása napelemkontaktus céljára
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Spintronika (Saláta).
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Mikroelektronika Laboratórium Tájékoztató
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
Lesz-e szilíciumon világító dióda?
A méréshatárok kiterjesztése Méréshatár váltás
Nanocsövek állapotsűrűségének kísérleti vizsgálata Veres Miklós MTA SZFKI
Josephson-effektus Kriza György, MTA SZFKI BME, 2010.
Témavezető: Kubinyi Miklós
Lokális állapotsűrűség és Friedel-oszcilláció vizsgálata grafénben
Spindinamika felületi klaszterekben Balogh L., Udvardi L., Szunyogh L. BME Elméleti Fizika Tanszék, Budapest Lazarovits B. MTA Szilárdtestfizikai és Optikai.
Műegyetem - Kutatóegyetem
Kutatóegyetemi stratégia - NNA NANOFIZIKA, NANOTECHNOLÓGIA és ANYAGTUDOMÁNY Dr. Mihály György Tanszékvezető egyetemi tanár Budapest november 17.
Anyagvizsgálat optikai és magneto-optikai spektroszkópiával Kézsmárki István, Fizika Tanszék, docens Magneto-optikai csoport.
Kutatóegyetemi stratégia - NNA FELÜLETI NANOSTRUKTÚRÁK Dr. Harsányi Gábor Tanszékvezető egyetemi tanár Budapest november 17. Nanofizika, nanotechnológia.
Aktív nanoszerkezetű anyagok
Nanoelektronika Csonka Szabolcs Fizika Tanszék, BME
Atomi és molekuláris kontaktusok Önszerveződés atomi skálán Előre tervezett nanoszerkezetek Atomi és molekuláris kapcsolók Molekuláris elektronika víziója:
Program Péceli Gábor rektor köszöntő beszéde
A projekt az Európai Unió támogatásával, az Európai Szociális Alap társfinanszírozásával valósul meg. TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV „A felsőoktatás.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Zajok és véletlen jelenségek interdiszciplináris területeken való alkalmazásának kutatása és oktatása. TÁMOP A/2-11/ Mingesz Róbert, Gingl.
Anyagtudományi vizsgálati módszerek
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Polimer elektronika Alapanyagok Kis szerves molekulák Polimerek
Amorf fényérzékeny rétegstruktúrák fotonikai alkalmazásokra
Nanofizika, nanotechnológia, anyagtudomány Mihály György akadémikus Magyar Műszaki Értelmiség Napja május 13. Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Zárthelyi előkészítés október 10.
Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Nanotechnológiai kísérletek
Szigetelő anyagok ionnyalábos analízise Fizikus vándorgyűlés, Szeged augusztus Szilágyi Edit, Kótai Endre MTA Wigner FK, Nukleáris Anyagtudományi.
BME TTK félév – félév M M E G H E G H E G H Í
SZÉN NANOSZERKEZETEK (FULLERÉNEK, SZÉN NANOCSÖVEK, GRAFÉN)
SZÉN NANOSZERKEZETEK (FULLERÉNEK, SZÉN NANOCSÖVEK, GRAFÉN)
Előadás másolata:

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Nanoszerkezetek Mihály György BME Fizika Tanszék Spintronika spin polarizált elektron traszport Andrejev-spektroszkópia Magnetooptikai spektroszkópia mágneses vékonyrétegek komplex mágneses rendszerek Grafén struktúrák litografált grafén áramkörök szupra-ferro korrelációk Félvezető nanopálcikák kvatum pöttyök Cooper-párok felhasítása Molekuláris elektronika atomi méretű pont-kontaktusok memrisztor Bordács Sándor Csonka Szabolcs Csontos Miklós Geresdi Attila Halbritter András Kézsmárki István Makk Péter Műegyetem - Kutatóegyetem Nanofizika, nanotechnológia és anyagtudomány TÁMOP /B-09/1/KMR

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november V 2 mA MEMRISZTOR Feszültség-áram karakterisztika Mihály György Geresdi Attila Halbritter András BME Fizika Tanszék

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Resistor Capacitor Inductor IQ V Ф Memristor Leon O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971) A hiányzó áramköri elem

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Feszültség (V) Áram (mA) Feszültség (V) „The missing memristor found” D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature 453, 80 (2008) Pt TiO x Pt „Analóg” memória Vezető csatornák kialakulása és lebomlása – rezisztív kapcsoló

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Pt TiO x Pt Feszültség (V) D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, S.R. Williams, Nature 453, 80 (2008) 50 nm Áram (mA) Rezisztív RAM (RRAM) „Crossbar” technológia

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. „Biological-scale intelligent machines” DARPA SyNAPSE Program , USD Célkitűzés: 10 6 memórialem/cm kapcsolat/cm mW/cm 2 Emberi agy: 10 6 neuron/cm szinapszis/cm 2 2 mW/cm CPU 1000 W CPUEmberi agyRRAM TranzisztorNeuronMemristor 3 terminal 2 szinapszis 2 terminal digitális eltérő erősség analóg kicsi gyors ? Neurális hálózat HP szabadalom

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Neural network - szabadalom

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Ag AgS x W Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO 2 hordozó MTA RMKI együttműködés Tanczikó Ferec – MBE Szilágyi Edit – RBS Pont-kontaktus memrisztor A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 Kémiai maratással hegyezett tű (W vagy Pt/Ir)

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Ag AgS x W Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO 2 hordozó Pont-kontaktus memrisztor A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 Kémiai maratással hegyezett tű (W vagy Pt/Ir)

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kontaktus méret: egyetlen atom 100 nm Ag AgS x W Minta: 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO 2 hordozó A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Pont-kontaktus memrisztor Kémiai maratással hegyezett tű (W vagy Pt/Ir)

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Feszültség–áram karakterisztika Több tízezer karakterisztika analízise: megbízható memrisztor működés érhető el 3 nm-es kontaktussal is A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Pont-kontaktus memrisztor V th+ V th- Ag/AgS x /W

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Feszültség–áram karakterisztika Pont-kontaktus memrisztor Ag/AgS x /W G ON = 5.04 G 0 G OFF = 4.10 G 0 A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Ag atomok migrációja Több tízezer karakterisztika analízise: megbízható memrisztor működés érhető el 3 nm-es kontaktussal is

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Feszültség–áram karakterisztika A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Pont-kontaktus memrisztor Ag/AgS x /W V küszöb Analóg memória elem Több tízezer karakterisztika analízise: megbízható memrisztor működés érhető el 3 nm-es kontaktussal is

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. félvezető memrisztor Shottky-gát A.Geresdi, A.Halbritter, A.Gyenis P.Makk, G.Mihály, Nanoscale 3, 1504 (2011) Félvezető karakterisztika Vastag S réteg: kapcsolás nagy ellenállások között (50 kΩ  10 MΩ)

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kapcsolási idő A. Nayak et al., J. Phys. Chem. 1, 604 (2011)

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. A.Geresdi, A.Halbritter, E. Szilágyi, G.Mihály, MRS Conf. San Francisco 2011 T= 300KT= 4 K Vékony S réteg: a memrisztor katakterisztika jellege nem változik a szobahőmérséklet és a cseppfolyós hélium hőmérséklete között Fémes vezetés

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kapcsolási mechanizmus – Andrejev spektrum A.Geresdi, A.Halbritter, G.Mihály, to be published (2011) Landauer formalizmus ballisztikus transzport

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kapcsolási mechanizmus – Andrejev spektrum A.Geresdi, A.Halbritter, G.Mihály, to be published (2011) Landauer formalizmus

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kapcsolási mechanizmus – Andrejev spektrum Kapcsolás folyamata: a nagy transzmissziójú nyitott csatornák száma változik A.Geresdi, A.Halbritter, G.Mihály, to be published (2011)

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kapcsolási idő Lineárisan növekvő amplitúdójú feszültségimpulzusok hatása kapcsolási tartomány

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. Kapcsolási idő OFF ON Minimális impulzusszélesség: ~10ns (instrumentális limit) Szobahőmérsékleten és kriogén körülmények között is A gyors kapcsolás feltétele a fémes vezetés 0.2V küszöbfeszültség + fémes minta (50 Ω) d  5 nm j  4·10 9 A/cm 2

A MAGYAR TUDOMÁNY ÜNNEPE MTA – november 9. V küszöb Ag AgS x W Összefoglalás 80nm Ag réteg, S-kezelt felület Si/SiO 2 hordozó Memrisztor szerkezet kialakítása d=3-100 nm Andrejev-analízis: - ballisztikus transzport - csatornaszám változás analóg memória elem Kapcsolási idő < 10 ns