MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor III. http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/08-bipol3.ppt
Az ideális tranzisztor karakterisztikái 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Közös bázisú alapkapcsolás Földelt bázisú kapcsolásként is emlegetik 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Közös bázisú alapkapcsolás Bemeneti karakterisztika: Kimeneti karakterisztika: IE 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az erősítés folyamata a FB alapkapcsolásban 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Közös emitteres alapkapcsolás Földelt emitteres kapcsolásként is emlegetik 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Közös emitteres alapkapcsolás B : közös emitteres, nagyjelű áramerősítés 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Közös emitteres alapkapcsolás Nem folyik áram. A bázis áram egy része a bázistöltés felholmozására fordítódik. Nő az UBE feszültség, elkezd folyni az emitter áram. A bázisáram egy másik része az emitter áram egy részével rekombinálódik. A bázis töltése nem nő tovább, a bázis áram növekedése az emitter áram rekombinációra forditódó részét növeli, ezáltal a teljes emiter áram is nő 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Közös emitteres alapkapcsolás Bemeneti karakterisztika: Kimeneti karakterisztika: 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
X UCE A telítés határa: UBC = 0 UBE = UCE 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
A valóságos tranzisztor karakterisztikái: másodlagos hatások Parazita CB dióda Soros ellenállások Early hatás Az áramerősítés munkapontfüggése 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
A CB parazita dióda hatása Nincs vele szemben emitter, így inverz működésben a kollektorból a bázisba injektált elektronok "elvesznek": romlik az inverz aktív áramerősítési tényező. 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
A soros ellenállások hatása Báziskivezetés RBB' A "belső bázispont" – ésszerű közelítés: RBB' B' B Ez hol van pontosan? E C 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
A soros ellenállások hatása Kollektor-kivezetés RCC' csökkentése diszkrét tranzisztoroknál: epitaxiális szerkezet (mint a diódánál) ICRCC' hozzáadódik UCE-hez karakterisztikák az 1/RCC' egyenestől csak jobbra lehetnek 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az Early hatás Visszahatás: A kimenet feszültsége befolyásolja a bemeneti karakterisztikát 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az Early hatás 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az Early hatás Az Early feszültség 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Early hatás FB kapcsolásnál 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Early hatás: a visszahatás folyamata ~exp(UBE/UT) FB FE 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az Early hatás PÉLDA Mekkora a földelt emitteres kimeneti ellenállása a tranzisztornak, ha az Early feszültség 80 V és a munkaponti kollektoráram 5 mA? 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az áramerősítés munkapontfüggése Feszültségfüggés: az Early hatás miatt 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008
Az áramerősítés munkapontfüggése Feszültségfüggés: az Early hatás miatt Áramfüggés: 2010-10-13 Mikroelektronika - A bipoláris tranzisztor III. © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008