Részecske vagy hullám? – A fény és az anyag kettős természetéről Vámos Lénárd TeTudSz 2010.okt.1.

Hullámcsomag terjedés grafénen Márk Géza István MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézet, Budapest
Készítette:Eötvös Viktória 11.a
Optikai Átviteltechnikai alapok
E képlet akkor ad pontos eredményt, ha az exponenciális tényező kitevőjében álló >>1 feltétel teljesül. Ha a kitevőben a potenciálfal vastagságát nanométerben,
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
A félvezető dióda.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Az elektron szabad úthossza
Napelemek Készítette: Vincze István (JHKAXQ) Energetika BMEGEENMN01
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Napenergia-hasznosítás
Közeltéri mikroszkópiák
Si egykristály előállítása
Szilárd anyagok elektronszerkezete
A FÉMEK ÁLTALÁNOS JELLEMZÉSE
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
Lézerek Nagy Szilvia.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XI. Előadás Félvezetők fizikája Törzsanyag Az Európai Szociális.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája IX. Előadás Kvantumstatisztikák Törzsanyag Az Európai Szociális.
Forgási állapotok kvantummechanikai leírása 1. Forgás két dimenzióban 2. Forgómozgás három dimenzióban; térbeli forgás - Míért fontos ez a témakör? - Miért.
A kvantummechanika alapegyenlete, a Schrödinger-féle egyenlet és a hullámfüggvény Born-féle értelmezése Előzmények Az általános hullámegyenlet Megoldás.
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtestfizikai alapjai szükségesek.
A szingulett gerjesztett állapot dezaktiválódási csatornái E SS1S1 S2S2 T1T1 T2T2 ?
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
5. OPTIKAI SPEKTROSZKÓPIA
3. A HIDROGÉNATOM SZERKEZETE A hidrogénatom Schrödinger-egyenlete.
Dr. Gali Ádám, egyetemi adjunktus BME Fizikai Intézet, Atomfizika Tanszék, Felületfizika Laboratórium 1111 Budapest, Budafoki út 8. T: F:
2. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
Elektron transzport - vezetés
Készítette: Fábián Henrietta 8.b 2009.
Energia Energia: Munkavégző képesség Különböző energiafajták átalakulhatnak Energiamegmaradás: zárt rendszer energiája állandó (energia nem vész el csak.
Nukleáris képalkotás 2. hét Sugárzásdetektorok Gáztöltésű detektorok
Gáztöltésű detektorok Szcintillátorok Félvezetők
Auger és fotoelektron spektrumok –az inelasztikus háttér modellezése Egri Sándor Debreceni Egyetem, Kísérleti Fizika Tanszék ATOMKI.
Az elektronburok szerkezete
Kvantumelektrodinamika
Az atom szerkezete Készítette: Balázs Zoltán BMF. KVK. MTI.
Kártyás Bálint MFA nyári iskola Puskás Tivadar Távközlési Technikum
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig C V. Poisson egyenlet.
Közeltéri mikroszkópiák
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Félvezető napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása (Bevezetés) Habilitációs előadás dr. Mizsei János, 2003.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A félvezetők működése Elmélet
FÉNYEMISSZIÓ, FÉNYFORRÁSOK, FÉNYKELTŐ ESZKÖZÖK
Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.
Interaktív ktv hálózatok SZÉCHENYI I. EGYETEM Távközlési Tanszék 1 AKTÍV OPTIKAI ESZKÖZÖK.
Az anyagszerkezet alapjai
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Fotonika Félvezető detektorok
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
Optikai Átviteltechnikai alapok
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Méréstechnika és Információs Rendszerek Tanszék R „Big Data” elemzési módszerek Kocsis Imre
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fiziája X. Előadás Szilárdtestek fizikája Törzsanyag Az Európai Szociális.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Minőségbiztosítás a mikroelektronikában A monolit technika.
Korszerű anyagok és technológiák
1. Dobozba zárt elektron alap energiája 0,6 eV
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
Félvezető fizikai alapok
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
Bevezetés: az aktív eszközök