MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A MOS inverterek http://www.eet.bme.hu/~poppe/miel/hu/13-MOSFET2.ppt

Vizsgált absztrakciós szint RENDSZER (SYSTEM) + RÉSZEGYSÉG (MODULE) KAPU (GATE) Vout Vin ÁRAMKÖR (CIRCUIT) ESZKÖZ (DEVICE) n+ S D G 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

MOSFET típusok áttekintése 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

A növekményes MOS tranzisztor karakterisztikája Az előbb kiszámoltuk! 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

MOSFET-ek egyszerű modellje A működés legegyszerűbb (logikai) modellje: nem vezet (off) / vezet (on) Gate Source (of carriers) Drain | VGS | | VGS | < | VT | | VGS | > | VT | Open (off) (Gate = ‘0’) Closed (on) (Gate = ‘1’) Ron növekményes eszköz szakadásban vezetésben 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Készítsünk invertert – ez az alap Ellenállás tápfeszre (VDD) kötve Másik vége egy kapcsolóval a földre (GND) kötve Kapcsoló vezérlése logikai jellel: 1 (VDD szint) – vezet 0 (GND szint) – szakadt Tekintsük kimenő jelnek a kapcsoló és az ellnállás közös pontját VDD GND BE KI load (terhelő ellenállás) 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Készítsünk invertert! BE = 1 KI = 0 BE = 0 KI = 1 kapcsoló vezet kimenet a GND-re kötve KI = 0 VDD GND BE KI BE = 0 kapcsoló szakadt kimenet VDD-n lebeg KI = 1 1 VDD GND BE KI 1 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

2 sorba kötött kapcsoló: NAND kapu Ha A és B 1, akkor KI=0 Ez a NOT (A AND B) függvény, azaz NAND VDD GND KI A B SOROS áram út A gyakorlatban max 3..4 bemenetű. Ha vagylagos áramutat alakítunk ki, akkor a NOR függvényt valósíthatjuk meg 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Komplex áramutak kialakítása == komplex logikai kapuk lehetősége A NOR kapu sémája: Ha A vagy B 1, akkor KI=0 Ez a NOT (A OR B) függvény, azaz NOR VDD KI A B GND GND PÁRHUZAMOS áram út Komplex áramutak kialakítása == komplex logikai kapuk lehetősége 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Komplex kapuk Soros áramutak párhuzamosan kapcsolva 4 áramút van VDD A KI B F C GND 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverter konstrukciók (elvi) Kapcsoló = n csatornás MOS tranzisztor: normally OFF device VDD GND BE KI Ellenállás: egy másik tranzisztor, pl. trióda tarományban VDD GND BE KI VGG VDD GND BE KI load drive Újabb tápfesz kéne – nem OK 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

nMOS technika – nagyon egyszerű Egyszerű technológia, de elavult, sok hátránnyal, pl. statikus fogyasztás, ha KI=0 ha kimenet logikai 0, az nem lesz tisztán a GND szint aszimmetrikus transzfer karakterisztika (l. később) Kiürítéses tr.: implantációval eltolt VT VDD GND KI Id ~ W/L Mindkét esetben a load ellenállás helyett MOS tranzisztort használtunk, de az nem kapott aktív vezérlést Ez a passzív terhelésű inverter BE 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Komplex kapuk (nMOS kivitel) Soros áramutak párhuzamosan kapcsolva 4 áramút van 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

A CMOS technika A név: Complementary MOS Ötlet: kapjon a terhelés is aktív vezérlést ha az nMOS driver (kapcsoló) tranzisztor vezet, a load helyén lévő tranzisztor legyen szakadásban ha az nMOS driver (kapcsoló) tranzisztor szakadásban van, a load helyén lévő tranzisztor vezessen Ehhez egy olyan normally OFF device kell, ami az nMOS tranzisztorhoz képest ellentett vezérléssel működik Ilyen a növekményes pMOS tranzisztor 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

A CMOS inverter Egy n és egy p típusú növekményes tranzisztorból áll Aktív terhelésű inverter: a két tranzisztort egyszerre vezéreljük VDD GND KI BE nMOS pMOS Állandósult állapotban a két tranzisztor közül mindig csak az egyik vezet, a másik lezárt 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Transzfer karakterisztika: kimeneti feszültség a bemeneti feszültség függvényében A kimeneti jel a bemeneti jel (logikai) invertáltja ideális és valós inverter transzfer karakterisztikája 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

A CMOS inverter karakterisztikája VDD pMOS BE KI nMOS UBE=UGSn UKI=UDSn GND 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Zavarvédettség: Széles Uin tartományhoz azonos Uout érték tartozik A karakterisztika 3 szakaszból áll. A két szélső szakasz laposan fut, azaz a bemeneten lévő feszültségváltozások csak nagyon kis változást okoznak a kimeneten L és H tartományok L H ideális és valós inverter transzfer karakterisztikája 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Jel regeneráló képesség a középső szakasz meredekségétől függ U in out "1" " 0" U1 egy "rossz" logikai 0 jel. Az első kapu kimenete U2 már közelebb áll az elfogadható logikai 1 szinthez. A második kapu kimenete, U3 már "jó" logikai 0 szint U2 U1 U3 ideális és valós inverter transzfer karakterisztikája 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Jel regeneráló képesség U3 U2 U1 0.0n 10.0n 20.0n 30.0n 40.0n time [sec] -1.0 -0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 U [V] UL=0V, UH=5V (SPICE szimuláció) U3-nak láthatóan a szintje is és a jelalakja is regenerálódott! 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Komparálási feszültség Az a határ, ami alatt 0 szintté és ami felett logikai 1 szintté regenerálja az inverterlánc a jelet. Az Uin=Uout egyenes és a karakterisztika metszéspontja Uin Uout Vdd Uk 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Logikai szinttartományok A logikai 0 és 1 szint azon feszültségtartománya, amin belül adott zavarszintek mellett az áramkör biztonságosan működik. Uin Uout Vdd UHm Uk UZ PÉLDA: 74HC00, Vdd=3V, ULM=0.9V UHm=2.1V ULM Kritikus feszültségek: ULM, a logikai 0 szint maximuma UHm, a logikai 1 szint minimuma 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Jelterjedési idő (propagation delay) tpd nehezen definiálható, ráadásul a fel és lefutáshoz tartozó késleltetés különböző lehet (pl. nMOS inverterek) 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Párkésleltetési idő 1 n n+2 Tegyük fel, hogy a jel egy hosszú, egyforma inverterekből álló láncon terjed. Elegendően sok inverter után a jelformát csak az inverterek belső tulajdonságai határozzák meg. A jel 2 inverter után megegyezik, a késleltetés pedig tpdp tpdp t U Un Un+2 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Párkésleltetési idő mérése A RING OSZCILLÁTOR (gyűrűs rezgőkör) Páratlan számú inverter láncba kapcsolva, nincs stabil állapota, oszcillál. 1 T=ntpdp 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013

Inverterek jellemzése, alapfogalmak Teljesítmény-késleltetés szorzat (P) mindkét érték jobb minőségre utal, így a szorzat egy áramkörtípus minőségi mérőszámának tekinthetô. Szemléletesen: az a minimális energia, ami 1 bit információ 1 feldolgozási lépéséhez szükséges. 2013-11-13 A MOS inverterek © Poppe András & Székely Vladimír, BME-EET 2008-2013