A bipoláris tranzisztor IV.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
1/15 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele az elektródák nevének jelölésével.
Advertisements

Erősítő számítása-komplex feladat
Logikai alapkapcsolások
1/20 NPN rétegsorrendű, bipoláris tranzisztor rajzjele, az elektródák elnevezésével.
Számpélda a földelt kollektoros erősítőre Adatok: Rg=0.5k; RB=47k;
Az optikák tulajdonságai
A fotokémiai képrögzítés
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
A bipoláris tranzisztor III.
A bipoláris tranzisztor II.
Képfeldolgozás - esettanulmányok
Analóg alapkapcsolások
A bipoláris tranzisztor V.
Tranzisztoros erősítő kapcsolások vizsgálata
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Erősítők.
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba
MOS integrált áramkörök Mikroelektronika és Technológia BME Elektronikus Eszközök Tanszéke 1999 október.
A bipoláris tranzisztor modellezése
Fázishasító kapcsolás Feszültségerősítések Au1 Au2 Egyforma nagyság
A 741-es műveleti erősítő belső kapcsolása
Kaszkád erősítő Munkapont Au Rbe Rki nagyfrekvenciás viselkedés
A műveleti erősítők alkalmazásai Az Elektronika 1-ben már szerepelt:
Számpélda a földelt emitteres erősítőre RBB’≈0; B=100; g22=10S;
A tranzisztor kimeneti karakterisztikái
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Az elektrosztatikus mozgatás Székely Vladimír Mizsei.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke IC layout tervek tesztelése.
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A térvezérelt tranzisztorok I.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor I.
ELEKTRONIKA I. ALAPÁRAMKÖRÖK, MIKROELEKTRONIKA
Berendezés-orientált IC-k BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír, Mizsei János 2004 április BME Villamosmérnöki.
Analóg alapkapcsolások
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 MOS áramkörök: CMOS áramkörök,
A grafikus megjelenítés elvei
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris IC technológia.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A bipoláris tranzisztor.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A méréshatárok kiterjesztése Méréshatár váltás
A MÉRÉSI HIBA TERJEDÉSE
 Farkas György : Méréstechnika
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 10.
1 Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Villamosmérnöki és Informatikai Kar VET Villamos Művek és Környezet Csoport Budapest Egry József.
c.) Aszimmetrikus kimenettel Erősítések Bemenetek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
- 2. javított áramtükör Elektronika 2 / 5. előadás Ibe I Iki I IB
Elektronika Négypólusok, erősítők.
Energia Monitoring.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus hatások analóg integrált áramkörökben Esettanulmány:
Elektronika Tranzisztor (BJT).
A félvezető dióda Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök.
A félvezető eszközök termikus tulajdonságai
Zárthelyi előkészítés
Berendezés-orientált IC-k
Előadás másolata:

A bipoláris tranzisztor IV. Segédanyag a Villamosmérnöki Szak Elektronika I. tárgyához Belső használatra! BME Villamosmérnöki és Informatikai Kar Elektronikus Eszközök Tanszéke Székely Vladimír 2001 március

A négypólus helyettesítőképek h paraméterek Mérőirány konvenció (eltér az eddigiektől!)

A négypólus helyettesítőképek h paraméterek

A négypólus helyettesítőképek FE és FB h paraméterek

A négypólus helyettesítőképek h paraméterek a katalógusban

A h paraméterek a katalógusban

A h paraméterek megállapítása karakterisztikából

PÉLDA Határozzuk meg a h21e és a h22e paramétereket az IC=50 mA, UCE=20 V munkapontban!

A négypólus helyettesítőképek y paraméterek y paraméterek mérése: „rövidzár” lezárással ! 100 MHz, 1 pF: 10 KW

Mérés, számítás Ha h12=0, akkor y12 is =0 Kimeneti rövidzár Bemeneti szakadás Kimeneti rövidzár Bemeneti rövidzár Ha h12=0, akkor y12 is =0 (kételemes helyettesítőképek, ekkor a bemenet-kimenet “szétesik”

Nagyfrekvenciás működés a tranzisztor határfrekvenciái

Nagyfrekvenciás működés a tranzisztor határfrekvenciái (áramosztás)

Nagyfrekvenciás működés a tranzisztor határfrekvenciái

Nagyfrekvenciás működés a tranzisztor határfrekvenciái Pontosabban:

A tranzisztor határfrekvenciái (összefoglalva) fa: a 3 dB-es eséséhez tartozó frekvencia fb: b 3 dB-es eséséhez tartozó frekvencia f1: b=1 -hez tartozó frekvencia fT: f1 extrapolált értéke fmax: maximális oszcillációs frekvencia (a teljesítményerősítés egy) fa ~f1 ~ fT ~ b0 fb