Elektron transzport - vezetés

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
ELEKTRONIKAI ALKATRÉSZEK
Advertisements

Szén nanocsövek STM leképezésének elméleti vizsgálata
Dióda, Tirisztor, GTO, Tranzisztor
MIKROELEKTRONIKA Nemlineáris elektromos jelenségek, eszközök
Elektromos alapismeretek
A hőterjedés alapesetei
Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC Okt 18. BME.
Fajlagos ellenállás definíciójához
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A félvezető dióda (2. rész)
Az elektronika félvezető fizikai alapjai
A félvezető dióda.
A térvezérelt tranzisztorok I.
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Az elektron szabad úthossza
MOS integrált áramkörök alkatelemei
Az elektrosztatikus feltöltődés keletkezése
Az elektrosztatikus feltöltődés keletkezése
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Szimuláció a mikroelektronikában Dr. Mizsei János 2013.
Elektrokémia kinetika Írta: Rauscher Ádám Bemutató: Kutsán György
Elektrokémia kinetika Írta: Rauscher Ádám Bemutató: Kutsán György
MIKROELEKTRONIKA 2. - Elektromos vezetés, , hordozók koncentrációja, mozgékonyság, forró elektronok, Gunn effektus, eszközök Adalékolás (növesztésnél,
Félvezető technika.
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
Elektrotechnika 7. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XI. Előadás Félvezetők fizikája Törzsanyag Az Európai Szociális.
Elektrotechnika-elektronika
12. előadás Elektrosztatikus és mágneses mezők Elektronfizika
Ma igazán feltöltőthet! (Elektrosztatika és elektromos áram)
ELEKTROMOS ÁRAM, ELEKTROMOS TÖLTÉS.
Ezt a frekvenciát elektron plazmafrekvenciának nevezzük.
A határfelületi jelenségek szerepe a kolloid diszperziók viselkedésében, kinetikai stabilitásában A fáziskolloidok termodinamikailag nem stabilak, csak.
Áramköri alaptörvények
A bipoláris tranzisztor modellezése
Gáztöltésű detektorok Szcintillátorok Félvezetők
Elektromos áram.
Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.
Poisson egyenlettől az ideális C-V görbéig C V. Poisson egyenlet.
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A bipoláris tranzisztor I.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
A Boltzmann-egyenlet megoldása nem-egyensúlyi állapotban
Villamos tér jelenségei
Elemi idegi jelenségek
A betatron Az időben változó mágneses tér zárt elektromos erővonalakat hoz létre. A térben indukált feszültség egy ott levő töltött részecskét (pl. elektront)
Hő és áram kapcsolata.
Ohm-törvény Az Ohm-törvény egy fizikai törvényszerűség, amely egy elektromos vezetékszakaszon átfolyó áram erőssége és a rajta eső feszültség összefüggését.
1.Határozza meg a kapacitást két párhuzamos A felületű, d távolságú fémlemez között. Hanyagolja el a szélhatásokat, feltételezve, hogy a e lemez pár egy.
ELEKTROSZTATIKA összefoglalás KÉSZÍTETTE: SZOMBATI EDIT
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikája XII. Előadás Elektron és lyuk transzport Törzsanyag Az Európai.
PPKE-ITK I.Házi Feladat Megoldásai Matyi Gábor Október 9.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében Az információtechnika fizikai alapjai XIII. Előadás Nanoáramkör - esettanulmányok Törzsanyag.
Készült a HEFOP P /1.0 projekt keretében
A FONTOSABB MÓDSZEREK:
Villamos töltés – villamos tér
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
A villamos és a mágneses tér kapcsolata
A félvezető dióda. PN átmenet kivitele A pn átmenet: Olyan egykristályos félvezető tartomány, amelyben egymással érintkezik egy p és egy n típusú övezet.
Elektromosságtan.
Korszerű anyagok és technológiák
Diffúzió Diffúzió - traszportfolyamat
Napelemek laboratórium 1. gyakorlat
Elektro-analitikai mérések műszeres analitikusok számára
A félvezető dióda.
Fizikai kémia I. a 13. GL osztály részére 2016/2017
Szimuláció a mikroelektronikában
Méréstechnika 1/15. ML osztály részére 2017.
Előadás másolata:

Elektron transzport - vezetés (makroszkópikus és mikroszkópikus jelenségek)

Vezetés (elektron transzport) a „semmiben” (vákuumban) fémekben félvezetőkben szigetelőkben elektrolitokban gázokban makroszkópikusan és mikroszkópikusan.

Áramok a (fél)vezetőkben Kétféle áramról beszélünk: • Sodródási áram (hőmozgás és elektromos térerősség hatására) • Diffúziós áram (hőmozgás és sűrűség különbség hatására) Amiről nem beszéltünk: hőmérséklet különbség is indíthat áramot a mágneses erőtérnek is van befolyása töltésáramlás mellett energiaáramlás is van „Kombinált transzportjelenségek”

Elektron transzport fémekben (félvezetőkben) Ohm: Elektron transzport fémekben (félvezetőkben)

Időfüggően: Állandósult állapotban:

Dielektromos relaxáció

Sodródási áram (drift áram) Az elektronok hőmozgása Nincs térerősség Van térerősség  = mozgékonyság m2/Vs

Sodródási áram (drift áram)  töltéssürüség v (átlag)sebesség Differenciális Ohm törvény A félvezetőanyag fajlagos vezetőképessége Fajlagos ellenállás

A mozgékonyságról n= 1500 cm2/Vs p= 350 cm2/Vs Félvezetők (Si): töltéshordozó koncentráció széles tartományban, nagy mozgékonyság n= 1500 cm2/Vs p= 350 cm2/Vs Fémek: nagyon nagy töltéshordozó koncentráció, nagyon kis mozgékonysággal

Arányos a sűrűség gradienssel A diffúziós áram Ok: a sűrűség különbség és a hőmozgás Arányos a sűrűség gradienssel D = diffúziós állandó m2/s

A teljes áramsűrűség Einstein összefüggés

Introduction: the potential working ability of a point charge in r the electric field: force on the charge it is a general „boundary condition” in the electronics advantages: it can be easily measured in a broad range, excellent for characterisation of physical systems

U’(r) elektrokémiai potenciál

U’(r) elektrokémiai potenciál

„R” makroszkopikusan lineáris „Szóródás” mikroszkopikus potenciálgátakon: lineáris karakterisztika „R” makroszkopikusan lineáris

„Szóródás” makroszkopikus potenciálgáton: nemlineáris karakterisztika (exponenciális)

Nagyon vékony (fél)vezető réteg: szóródás a határfelületeken is Az elektronok hőmozgása l l Nincs térerősség Van térerősség Kisebb mozgékonyság, nagyobb ellenállás

Boltzmann egyenlet elektronokra f inhomogenitása v sebességgel eltolódik Gyorsulás, energiafelvétel relaxáció, ütközések, energialeadás

Fajlagos ellenállás a rétegvastagság függvénye: a Boltzmann egyenlet megoldásából

Nagyon rövid (fél)vezető: ballisztikus transzport Az elektronok hőmozgása l Nincs térerősség Van térerősség  = mozgékonyság, nem jellemző! – sőt… m2/Vs

Minden dimenzió csökken:

Az alagút ellenállás értéke Az ellenállásra vonatkozó feltételnek teljesítenie kell a ΔW Δt > h bizonytalansági relációt, ahol ΔW a töltési energia és Δt az áttöltés időtartama Innen megkapható a Coulomb-gáthoz szükséges alagút ellenállás:

Minden dimenzió csökken:

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben Ohmikus (intrinsic, ld. félvezetők) Schottky emisszió, termikus emisszió (vákuumban is)

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben Poole-Frenkel (Schottky emisszió csapdákból)

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben „Hopping”: közvetlen csapdáról csapdára ugrás

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben Alagúthatás: kis potenciál (térerő) esetén ohmikus közepes potenciál (térerő) esetén bonyolult

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben Alagúthatás nagy térerő esetén: egszerűsödés, Fowler-Nordheim alagúthatás

Fából vaskarika: vezetés szigetelőkben Tértöltéskorlátozott áramsűrűség (vákuumban is): Ionos vezetés: (esetleg):