1 Szenzorok Zaja Szentpáli Béla MFA. kitérő2 Miért zaj? Prof. Ambrózy András 1931-1990 2 OTKA + COPERNICUS OTKA (2002-5) konferencia: 2,5-3,5 szeres.

Slides:



Advertisements
Hasonló előadás
„Esélyteremtés és értékalakulás” Konferencia Megyeháza Kaposvár, 2009
Advertisements

PPKE ITK 2009/10 tanév 8. félév (tavaszi) Távközlő rendszerek forgalmi elemzése Tájékoztatás
Az optikai sugárzás érzékelése
Nyomtatott huzalozású szerelőlemezek mechanikai viselkedésének vizsgálata Készítette: Fehérvári Péter Konzulens: Dr. Sinkovics Bálint.
Elektrotechnika 5. előadás Dr. Hodossy László 2006.
Az optikai sugárzás érzékelése  Belső fényelektromos hatás  Záróréteges fényelektromos hatás  Külső fényelektromos hatás  Termo-elektromos hatás.
Készítette: Fehérvári Péter Konzulens: Hajdu István
Elektromos mennyiségek mérése
Scherübl Zoltán Nanofizika Szeminárium - JC Okt 18. BME.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Termikus kérdések, termikus elvű alrendszerek.
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 2 dr. Mizsei János, 2006.
A félvezető dióda (2. rész)
A térvezérelt tranzisztorok I.
3. Folytonos wavelet transzformáció (CWT)
FÉLVEZETŐ-FIZIKAI ÖSSZEFOGLALÓ
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
1. Bevezetés a waveletekhez (folytatás)
Feladatok Mikro és nanotechnika pót ZH-ra na meg pótpótZH-ra 
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 18.
Jelkondicionálás.
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Elektronikai Áramkörök Tervezése és Megvalósítása
Mérés és adatgyűjtés Szenzorok I. Mingesz Róbert
Kísérletezés az EDAQ530 adatgyűjtő műszerrel
MIKROELEKTRONIKA 2. - Elektromos vezetés, , hordozók koncentrációja, mozgékonyság, forró elektronok, Gunn effektus, eszközök Adalékolás (növesztésnél,
MIKROELEKTRONIKA 3. 1.Felületek, felületi állapotok. 2.Térvezérlés. 3.Kontakt effektusok a félvezetőkben. 4.MES átmenet, eszközök.
Speciális tranzisztorok, FET, Hőmodell
Bevezetés a méréstechnikába és jelfeldolgozásba
Zajgenerátor.
A jelátvivő tag Az irányítástechnika jelátvivő tagként vizsgál minden olyan alkatrészt (pl.: tranzisztor, szelep, stb.), elemet vagy szervet (pl.: jelillesztő,
Hang, fény jellemzők mérése
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtestfizikai alapjai szükségesek.
4. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
Fényszórás (sztatikus és dinamikus) Ülepítés gravitációs erőtérben
Ülepítés gravitációs erőtérben Fényszórás (sztatikus és dinamikus)
2. Félvezetőlézerek Lézerközeg: p-szennyezett és n-szennyezett félvezető anyag közötti határréteg Az elektromos vezetés szilárdtest-fizikai alapjai szükségesek.
A hiba-előjel alapú FxLMS algoritmus analízise Orosz György Konzulensek: Péceli Gábor, Sujbert László Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Méréstechnika.
A 741-es műveleti erősítő belső kapcsolása
Idősor elemzés Idősor : időben ekvidisztáns elemekből álló sorozat
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke A termikus tesztelés Székely Vladimír.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke Integrált mikrorendszerek II. MEMS = Micro-Electro-
Félvezető fotodetektorok és napelemek elmélete és gyakorlati megvalósítása 1 dr. Mizsei János,
Bipoláris integrált áramkörök alapelemei Elektronika I. BME Elektronikus Eszközök Tanszéke Mizsei János 2004.március.
Félvezető fotoellenállások dr. Mizsei János, 2006.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Integrált mikrorendszerek:
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Bipoláris technológia Mizsei János Hodossy Sándor BME-EET
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 Félvezető fizikai alapok.
 Farkas György : Méréstechnika
Elektronika 2 / 3. előadás „Bemelegítés”: Visszacsatolt kétpólusú erősítő maximálisan lapos átvitelének feltétele. Feltételek: 2/1›› 1 és H0 ›› 1.
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke 1. zárthelyi megoldásai október 11.
Az elektromos áram.
A Van der Waals-gáz molekuláris dinamikai modellezése Készítette: Kómár Péter Témavezető: Dr. Tichy Géza TDK konferencia
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
Zajok és véletlen jelenségek interdiszciplináris területeken való alkalmazásának kutatása és oktatása. TÁMOP A/2-11/ Fehérzaj-generátor.
Mérés és adatgyűjtés laboratóriumi gyakorlat Mérések MA-DAQ műszerrel 1 Makan Gergely, Mingesz Róbert, Nagy Tamás V
Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem Elektronikus Eszközök Tanszéke MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306 A pn átmenet működése: Sztatikus.
Üledékes sorozatok tagolás - agyagindikátorok
Kommunikációs Rendszerek
1.Határozza meg a kapacitást két párhuzamos A felületű, d távolságú fémlemez között. Hanyagolja el a szélhatásokat, feltételezve, hogy a e lemez pár egy.
Fotonika Félvezető detektorok
Lord Kelvin William Thomson ( )
MIKROELEKTRONIKA, VIEEA306
HŐMÉRSÉKLETMÉRÉS Udvarhelyi Nándor április 16.
Készítette:Ágoston Csaba
Jelkondicionálás.
Előadás másolata:

1 Szenzorok Zaja Szentpáli Béla MFA

kitérő2 Miért zaj? Prof. Ambrózy András OTKA + COPERNICUS OTKA (2002-5) konferencia: 2,5-3,5 szeres

3 Vázlat: Bevezetés érzékenység, dinamika-tartomány Bevezetés érzékenység, dinamika-tartomány Jósági tényezők Jósági tényezők zaj-eqiuvalens jel, tangenciális érzékenység, zajtényező, zajhőmérséklet, stb. Fizikai fluktuációk Fizikai fluktuációk ellenállás, dióda Példák Példák ellenállás-hőmérő, fotoellenállás, Hall-eszköz, mikrohullámú detektor dióda, fotodióda. Összefoglalás Összefoglalás

4bevezetés A szenzor válaszfüggvénye

5bevezetés érzékenység ↔ dinamika tartomány fotodetektor antireflexiós bevonat mikrohullám hangolás hőmérséklet hőhíd nyomás deformáció

6bevezetés a háttér szerepe

7bevezetés lehetséges hátterek elektromos zavarok háttérsugárzás hűtött falak termikus generáció hűtött szenzor

8bevezetés Mekkora a zaj? Méréstől függ! Gyakorlati, mérnöki leírás: idő ablakban (time domain) jósági tényező (figure of merrit) A fizikai fluktuáció leírása: frekvencia ablakban zaj spektrum (dimenzió: A 2 /Hz, V 2 /Hz, P/Hz, A/√Hz, V/√Hz, stb.!)

9bevezetés idő ablak ↔ frekvencia ablak Fourier transzformáció: Wiener-Khinchine tétel: Példa: Példa: Boode-, v. Lorenz diagram,

10jósági tényezők zaj-equivalens jel ~teljesítmény (NEP) 4½digit DVM mechanical galvanometers ~ Hz 3 digit DVM moving coil instrument ~2 Hz Phone voice ~3 kHz

11jósági tényezők szignifikánsan mérhető jel, tangenciális érzékenység (TSS) V p-p = 2.8 V eff TSS= 2.8 NES TSS= NES + 4 dB

12jósági tényezők zajtényező, equivalens zaj hőmérséklet és ellenállás zajtényező=10log(zajfaktor) : soros elemeké szorzódik! dB! equivalens zajforrás a zajtalan szenzor bemenetén: Equivalens zaj hőmérséklet: Equivalens zaj ellenállás: csak fehér zajra!

13jósági tényezők Műszaki jellemzők, jósági tényezők: Függenek: - érzékenység - háttér - szűrés-átlagolás, frekvencia független kifejezés csak fehér zajra alkalmazható Alkalmazhatók: - tetszőleges kétkapura - egymást követő egységek zajtényezői szorzódnak A zaj fizikai okáról nem tudnak Jósági tényező fizikai fluktuáció direkt számítás lehetséges

14fizikai fluktuációk Félvezető tömbi ellenállás zaja: Terminkus zaj, elektronok hőmozgása: (A hőmérsékleti sugárzás vezetett része, levágási fr. infravörösben) előfeszítés nélkül is észlelhető, abszolút zaj határ Gauss eloszlás

kitérő15 A termikus zaj abszolút limit! Pl. : Keithley műszerek felbontása

16fizikai fluktuációk Generációs-rekombinációs zaj, vezetőképesség moduláció, csak félvezetőkben! Eg Ec Ev ETET hν e-e-

17fizikai fluktuációk Generációs-rekombinációs zaj, PbS fotoellenállás, Rakovics Vilmos DUT Ri Keithley 195A DVM G 18 V

18fizikai fluktuációk 1/f zaj, ellenállás fluktuáció 1/f zaj, ellenállás fluktuáció Hooge –féle α zaj (1969) Empirikus képlet McWhorter- féle zaj (1955) folytonos eloszlású időállandók, 1/τ intenzitással, térben szétválasztva, ill. nem korreláló centrumok! példa: Si MOS csatorna α nem a remélt univerzális konstans (2*10-3) hanem anyag függő ….1. Ellenállás zaj, μ fluktuál, fonon szórás Gauss + eloszlás

19fizikai fluktuációk 1/f zaj, ellenállás fluktuáció a kiolvasáshoz előfeszítés kell térfogattal fordítva arányos U2zU2z ¼*U 2 z

20fizikai fluktuációk 1/f zaj, ellenállás fluktuáció Az MFA gázérzékelők Pt ellenállása: V= 405 μm 3 ; m= 8,67 ng ; N atom = 2,67*10 13 ; vegyérték : 2 α= 2*10 -3, I = 7 mA; R= 480 Ω ; T= 1000 K u 2 therm = 4kTRΔf = 2,65* V 2 Δf u 2 1/f = (I*R) 2 α Δf /(2Nf) = 4.22* V 2 * Δf /f töréspont: f= 15,9 Hz a Hooge-képlet fémrétegekre is érvényes a miniatürizálásnak korlátot állít!

21fizikai fluktuációk Diódák nincs szórás, 1/f~1/f 2 csak hibákon, sörétzaj, Poisson elaoszlás, nem abszolút korlát! I0I0 metal EFEF I+I 0 Schottky-diode EFEF p n p-n junction

22példák Tömbi ellenállás szenzorok Tömbi ellenállás szenzorok Termisztor nem túl kis térfogatú fém (Pt ellenállás hőmérő), csak termikus zaj, Tss feltétel: teljesítmény disszipáció! Fotoellenállás jó minőségű félvezető a sötétáramon csak termikus zaj van A fotoáram G-R zajt hordoz: t r is the transit time

kitérő23 Galvanomágneses effektusok J x =-qnv x =-qnμ n E x -qvB= -qμ n E x B Két eset: rövid, széles ellenállás hosszú, keskeny szerkezet

kitérő24 Galvanomágneses effektusok rövid, széles ellenállás: ellenállásnövekedés ΔR~B Corbino disc: ohmos Hosszú, keskeny eszköz: Hall feszültség ellenállásnövekedés ΔR~B 2 UHUH

25példák Rétegellenállások, mágnestér- érzékelő I VHVH B l w s t Hall - szonda Tanulság: SNR javul az előfeszítéssel, korlát a teljesítmény disszipáció SNR arányos μ*-gal termikus zaj 1/f

26példák Rétegellenállások, mágnestér- érzékelő Az MFA nyomás érzékelő : Felületi hatások, G-R ill. Felületi hatások, G-R ill. McWhorter- féle 1/f zaj stb. miatt végül is a p-n átmenettel határolt n-Si a legjobb!

27példák Mikrohullámú detektor dióda C j (V) RsRs R j (V)P δU~

28példák Mikrohullámú detektor dióda R s = 6 Ω Si Schottky detector diode from the Alpha Δf=100 MHz I 0 =8*10 -8 A; n=1.04; C j0 =0.11 pF; V D0 = 0.51 V; R s = 6 Ω

kitérő29 Mikrohullámú detektor dióda; soros ellenállás planár kialakításnál p ohmos Schottky n aktív réteg félszigetelő hordozó Ötvözött kontaktus n + kontaktuas réteg rch [  ]*L/p L

példák Fotodióda: záró előfeszítés p-n; p-i-n; hetero-; Schottky- foton háttér záró áram IpIp IbIb IrIr ITIT

31példák Lavina fotodióda letörésig előfeszített dióda (p-i-n) Minden áram lavina sokszorozódással erősítődik. erősítés: M, a zaja: S/N nő, mert a termikus zaj jelentősége csökken S/N –nek optimuma van, amikor a nevező két tagja egyenlő

32összefoglalás Összefoglalás A szenzorok használhatóságát a jósági tényezőkkel jellemezzük. Ezek értéke számos paramétertől függ, nem csak a fizikai fluktuációktól. (érzékenység, háttér, sávszélesség) A zajspektrumok ismeretében a jósági tényezőket számíthatjuk/tervezhetjük. Az ellenállás szenzorok jel/zaj viszonyát a konstrukciós paramétereken túl a disszipávió korlátozza.. Nemlineáris karakterisztikájú szenzorok esetén a jel/zaj viszony optimalizálható.